光刻胶喷头的清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术一种光刻胶喷头的清洗装置，包括清洗槽，其内壁形状与所述光刻胶喷头的形状适配；至少一个冲洗管，设置于清洗槽上，所述冲洗管的出液管口朝向所述光刻胶喷头；排液管，设置于所述清洗槽底部。相比于现有技术，本实用新型专利技术提供一种光刻胶喷头的清洗装置，设置在光刻设备上，在对晶圆喷涂光刻胶之前，先清洗去除位于光刻胶喷头周围残留杂质，从而减少了喷涂光刻胶过程中引入的杂质，降低光刻工艺中污染物引起的缺陷问题，提高光刻工艺的质量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

光刻胶喷头的清洗装置
本技术涉及一种集成电路工艺制造设备，尤其涉及一种用于降低光刻工艺中污染物引起的缺陷问题的光刻胶喷头的清洗装置。
技术介绍
在集成电路工艺制造中，晶体三极管、二极管、电容、电阻以及金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻工艺(Lithographic Process)生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件(parts)的关联正确。光刻工艺是集成电路工艺制造的基本工艺中最为关键的一个。光刻工艺确定了器件的关键尺寸。光刻工艺相当于高科技版本的照相技术，是在难以置信的微小尺寸下完成。 然而光刻工艺的许多问题不容忽视，首先光刻过程中产生的错误能够造成图形歪曲或套准不好，最终会转化为对半导体器件的电特性不良影响；光刻工艺图形的错位也会导致类似的不良结果；此外，光刻工艺的另一个问题是缺陷，在制程中各种污染物会造成缺陷。例如， 在提供的晶圆表面涂覆光刻胶时，用于喷涂光刻胶的光刻胶喷头勻速地在晶圆表面移动， 并向晶圆表面均勻地喷涂光刻胶；光刻胶喷头在喷涂光刻胶过程中，长时间处于光刻胶形成的喷雾环境中，其周围会形成大量结晶颗粒，该结晶颗粒如果不及时清除，不慎掉落后续喷涂光刻胶的晶圆上，轻则造成光刻胶变形，重则引起晶圆划伤问题，并且光刻工艺在一片晶圆的生产过程中要完成5层至20层甚至更多，故，结晶颗粒如不及时清理，产生的污染问题会进一步放大。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种光刻胶喷头的清洗装置，以减少喷涂光刻胶过程中引入的杂质，降低光刻工艺中污染物引起的缺陷问题，提高光刻工艺的质量。为解决上述问题，本技术提供一种光刻胶喷头的清洗装置，包括清洗槽、至少一个冲洗管以及至少一个排液管，所述清洗槽内壁形状与所述光刻胶喷头的形状适配；所述冲洗管设置于清洗槽上，所述冲洗管的出液管口朝向所述光刻胶喷头；所述排液管设置于所述清洗槽底部。进一步的，所述冲洗管的出液管口位于所述清洗槽的侧壁中部。进一步的，在所述清洗槽上相对位置设置有两个所述冲洗管。进一步的，所述冲洗管的直径为2mm 5mm。进一步的，所述排液管的直径大于所述冲洗管的直径。进一步的，所述排液管的直径小于所述冲洗管的直径进一步的，所述清洗装置的材质为特氟龙。进一步的，所述清洗装置还包括用于烘干所述光刻胶喷头的烘干装置，所述烘干装置设置于清洗槽上。相比于现有技术，本技术所提供的光刻胶喷头的清洗装置设置在光刻设备上，在对晶圆喷涂光刻胶之前，先清洗去除位于光刻胶喷头周围残留杂质，从而减少了喷涂光刻胶过程中引入的杂质，降低了光刻工艺中污染物引起的缺陷问题，提高了光刻工艺的质量。附图说明图1为本技术第一实施例中光刻胶喷头的清洗装置的结构示意图。图2为本技术第二实施例中光刻胶喷头的清洗装置的结构示意图。图3为本技术第三实施例中光刻胶喷头的清洗装置的结构示意图。具体实施方式为使本技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本技术的内容作进一步说明。当然本技术并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本技术的保护范围内。其次，本技术利用示意图进行了详细的表述，在详述本技术实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本技术的限定。实施例一图1为本技术第一实施例中光刻胶喷头的清洗装置的结构示意图，如图1所示，本实施例提供一种光刻胶喷头的清洗装置，所述清洗装置包括清洗槽101、至少一个冲洗管103以及至少一个排液管105。所述清洗槽101的内壁形状与所述光刻胶喷头100的形状相适配，且所述清洗槽 101的内壁环绕所述光刻胶喷头100设置，并且形状与光刻胶喷头100形状近似，但大于所述光刻胶喷头100的尺寸，所述清洗槽101的内壁形状能够提高冲洗光刻胶喷头100的效率，并防止冲洗过程中，冲洗液溅出造成环境二次污染。所述冲洗管103设置于清洗槽101上，所述冲洗管103的出液管口朝向所述光刻胶喷头100 ；较佳的，所述冲洗管103的出液管口位于所述清洗槽的侧壁中部，能够尽量全面地冲洗光刻胶喷头100的周围，并提高清洗的效率，所述冲洗管103的直径为2mm 5mm， 可以充分清洗光刻胶喷头100，且不会过多浪费清洗液；所述冲洗管103的数量不限。其中， 所述冲洗管103流出的冲洗液例如为丙烯或去离子水。所述排液管105设置于所述清洗槽101底部。优选地，所述排液管105的直径大于或等于所述冲洗管105的直径，实现所述冲洗管103的总流入量与所述排液管105的流出量相当，避免冲洗液积留于清洗槽101内。当然，排液管105的直径也可以小于所述冲洗管105的直径，可通过设置多个排液管105来避免冲洗液积留于清洗槽101内。较佳地，所述清洗装置的材质为常见且不易被腐蚀的特氟龙材料或其他不会被腐蚀产生杂质污染的材料。实施例二如图2所示，其为本技术第二实施例中光刻胶喷头的清洗装置的结构示意图，与实施一不同之处在于，在本实施例中所述清洗槽101上相对位置设置有两个冲洗管 103a、103b，能够较佳地实现光刻胶喷头100的全面清洗，此外冲洗管103的数量可以为四个或其他，能够实现光刻胶喷头100全面清洗的数量都在本技术的思想范围内。实施例三如图3所示，其为本技术第三实施例中光刻胶喷头的清洗装置的简要结构示意图，与上述实施例不同之处在于，所述清洗装置还可以设置烘干装置107，所述烘干装置 107设置于所述清洗槽101上。当冲洗管103完成对光刻胶喷头100的冲洗后，光刻胶喷头 100可以向上移出一些，则所述烘干设备107对光刻胶喷头100实现快速烘干，节约工艺时间，并避免光刻胶喷头100上残留的冲洗液对光刻胶喷涂造成污染。综上所述，本技术提供一种光刻胶喷头的清洗装置，设置在光刻设备上，在对晶圆喷涂光刻胶之前，先清洗去除位于光刻胶喷头周围残留杂质，从而减少了喷涂光刻胶过程中引入的杂质，降低光刻工艺中污染物引起的缺陷问题，提高光刻工艺的质量。虽然本技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本技术，任何所属
中具有通常知识者，在不脱离本技术的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。权利要求1.一种光刻胶喷头的清洗装置，其特征在于，包括清洗槽，其内壁形状与所述光刻胶喷头的形状适配；至少一个冲洗管，设置于清洗槽上，所述冲洗管的出液管口朝向光刻胶喷头；至少一个排液管，设置于所述清洗槽底部。2.如权利要求1所述的光刻胶喷头的清洗装置，其特征在于，所述冲洗管的出液管口位于所述清洗槽的侧壁中部。3.如权利要求1或2所述的光刻胶喷头的清洗装置，其特征在于，在所述清洗槽上相对位置设置有两个所述冲洗管。4.如权利要求1所述的光刻胶喷头的清洗装置，其特征在于，所述冲洗管的直径为 2mm 5mm05.如权利要求1或4所述的光刻胶喷头的清洗装置，其特征在于，所述排液管的直径大于所述冲洗管的直径。6.如权利要求1或4所述的光刻胶喷头的清洗装置，其特征在于，所述排液管的直径小于所述冲洗管的直径。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：