微波器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种微波器件及其制造方法，该微波器件中铝制腔体的缺口的内表面具有金属镀层，金属镀层是金、银、铜、锡、锌中的一种或者几种的合金；金属镀层中铁磁性金属含量不超过3％；缺口的内表面和同轴连接器的凸起的外表面之间的触点不包括绝缘物或铁磁性金属；触点的接触压力在1～500牛顿。本公开实施例中的微波器件将3G移动通信系统室内覆盖的瓶颈——无源器件的无源互调指标改善了至少3dB，并保持长期稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通信技术，特别涉及一种。
技术介绍
随着电信行业3G(第三代)、LTE等移动通信系统投入运营，无线高速下载业务逐渐走向千家万户。在无线通信系统中，随着固定带宽内需要通过的语音和数据信息日益增加，无源互调成为了限制系统容量的一个重要因素。如同在有源器件中一样，两个或更多的频率在非线性器件中混合在一起便产生了杂散信号——无源互调。当杂散互调信号落在基站的接收频带内，接收机的灵敏度就会降低，从而导致通话质量或系统载波干扰比(C/I) 的降低，和通信系统的容量减少。无源互调产生的原因很多，其中包括机械接触不良、射频通道中包含的磁性导体和射频传导面的污染等。具体到每种器件甚至每个器件，各种原因的权重分配都不相同，所以微波器件无源互调性能的改进主要依靠实际测量提供反馈信息。虽然精确预计器件的无源互调电平比较困难，但是我们可以用测量的数据来表征器件。因为无源互调的性能会随着结构上的微小改变而变化，因此制造商应该对应用在基站中的射频器件进行100%的检查，以确保器件的无源互调始终维持在合格范围。无源互调指标低于-120dBC(M3dBm的精确测量主要依靠进口互调仪，每台价格上百万元，每年校准费用数万元。测量过程中，需要操作人员精通无源互调产生的原理，而且具有丰富的实际操作经验。这使得所述精确测量很难实现。国产互调仪价格只需四、五十万元，但是对于无源互调低于-120dBc(M3dBm的指标测量，有时精确度不够。如果采用频谱仪和信号发生器、 滤波器等搭建IEC规定的测量系统，不但两台大功率低噪声信号源难以得到，所需的微波器件、电缆、接头本身都需要达到更高的无源互调指标，它们的校准测量也是难以解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。本专利技术的一个目的是提供一种具有低无源互调的微波器件。根据本专利技术的第一方面，提供了一种微波器件，包括铝制腔体和同轴连接器，铝制腔体的侧壁形成有缺口，同轴连接器具有与铝制腔体的缺口匹配的凸起；其中，缺口的内表面和凸起的外表面接触；缺口的内表面具有金属镀层，金属镀层是金、银、铜、锡、锌中的一种或者几种的合金；金属镀层中铁磁性金属含量不超过3%;缺口的内表面和凸起的外表面之间的触点不包括绝缘物或铁磁性金属；触点的接触压力在1 500牛顿。优选地，铝制腔体的内表面具有金属镀层。优选地，缺口的内表面与凸起的外表面之间沿螺纹拧紧固定；铝制腔体的内表面具有金属镀层。优选地，铝制腔体形成为密闭腔体。优选地，铝制腔体包括铝制空腔盒、铝制空腔盖板，铝制空腔盒和空腔盖板之间通过螺丝固定；铝制空腔盒内固定有电路模块；同轴连接器与铝制腔体通过螺丝固定；铝制空腔盒和空腔盖板之间的接缝经过密封处理材料的密封处理。优选地，铝制腔体的缺口的内表面形成有垫片。优选地，密封处理材料是防水涂层、或普通胶水。优选地，铝制腔体包括无盖板的铝制空腔，铝制空腔内有电路；铝制空腔具有与同轴连接器接触的内表面，同轴连接器具有与铝制空腔接触的外表面，铝制空腔的内表面与同轴连接器的外表面之间沿螺纹拧紧固定。优选地，触点的长期接触压力在4 40牛顿。优选地，缺口为圆柱形缺口，凸起为圆柱形凸起。优选地，铁磁性金属包括铁、钴、镍。优选地，金属镀层的厚度为l-8um，或者l_4um。优选地，微波器件为耦合器、合路器、电桥、或腔体功分器。本专利技术的另一个目的是提供一种具有低无源互调的微波器件的制造方法。根据本专利技术的另一个方面，提供一种微波器件的制造方法，包括提供同轴连接器和铝制腔体，铝制腔体内壁和铝制腔体与同轴连接器外导体接触的表面被电镀有金属镀层，金属镀层是金、银、铜、锡、锌中的一种或其中几种的合金，特殊金属中的铁磁性金属含量不超过3% ；确认铝制腔体与同轴连接器外导体之间的触点没有夹杂肉眼可见的绝缘物、 和铁磁性金属；将触点的长期接触的压力控制在1 500牛顿；微波器件组装后对铝制腔体以及铝制腔体与同轴连接器之间的接缝用密封处理材料做密封处理。优选地，金属镀层厚度为1 8um。优选地，铁磁性金属包括铁、钴、镍。优选地，密封处理材料是防水涂层、或普通胶水。。本专利技术的一个优点在于，微波器件具有金属镀层、触点不包括绝缘物或铁磁性金属、触点的接触压力在1 500牛顿，使得该微波器件的无源互调较低。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本专利技术的实施例，并且连同说明书一起用于解释本专利技术的原理。参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本专利技术，其中图1示出本专利技术的微波器件的一个实施例的结构图；图2A至2C示出本专利技术的微波器件的另一个实施例的示意图；图2A示出微波器件的铝制空腔盒、同轴连接器、内部电路和螺丝的示意图；图2B示出微波器件的铝制空腔盖板的示意图；图2C示出微波器件的端面例子示意图；图3A示出微波器件的圆柱形缺口没有电镀层时接触区域局部细节示意图；图IBB示出本专利技术的微波器件的缺口形成有金属镀层时接触区域局部细节示意图；图4A是微波器件含垫片的圆柱形缺口未电镀接触区域局部细节示意图；图4B是微波器件含垫片的圆柱形缺口已电镀接触区域局部细节示意图；图5A至5B示出本专利技术的微波器件的又一个实施例的示意图；图5A示出腔体二功分器的铝制空腔、内部电路、同轴连接器示意图；图5B示出腔体二功分器的端面例子示意图；图6A是腔体二功分器的铝制空腔与同轴连接器接触的表面未电镀示意图；图6B是腔体二功分器的铝制空腔与同轴连接器接触的表面已电镀示意图；图7示出本专利技术的低无源互调的微波器件的制造方法的一个实施例的流程图。具体实施例方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。在以RRU(射频拉远单元)做信源的室内分布系统的楼宇，有时下载速率很慢，这是由于当时RRU的反向噪声很高、反向信号被干扰。这种现象在800MHz频段CDMA(码分多址)移动通信系统中较为明显，在2GHz频段CDMA系统中，虽然这种现象出现少一些，但是更加扑朔迷离。这迫使运营商降低RRU的输出功率，进一步提高了室内覆盖的成本。这就限制了当前电信行业3G的推广使用。3G信号采用QPSK(四相移相键控)调制方式，信号峰均比很高，RRU发射的瞬时功率能达到49dBm(80瓦)以上，大大超过过去常用的直放站的发射功率；对于与其连接的微波器件、系统，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋海，
申请(专利权)人：中国电信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：