一种发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开一种发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上；分布布拉格反射层是由N(1≤N≤100)对高折射率和低折射率的反射层依次周期性叠加而成，每一层高折射率反射层或每一层低折射率反射层的内部包含一个折射率渐变层。本实用新型专利技术使得分布布拉格反射层的反射率和反射带宽得到提高，从而提高发光二极管的光提取效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种具有渐变式折射率分布布拉格反射层的发光二极管。 技术背景半导体发光二极管(LED)由于其高效、节能和环保的特性而越来越广泛地受到关注，并开始逐渐应用到日常生活中，譬如交通信号灯、户外显示屏、夜景照明、手机和液晶电视的背光源等。近年来发光二极管的应用领域正在迅速的扩展，因此对发光二极管的发光效率提出了更高的要求。目前提高发光二极管的发光效率主要通过提高其内量子效率和光提取效率两种方法来实现。为了提高内量子效率，可以通过提高外延材料的质量，改善电流分布，增强有源层对电子和空穴的限制等方法来实现。而为了提高光提取效率，则可以通过表面粗化或者在有源层与衬底之间插入分布布拉格反射层的方法来实现。对某些波段的发光二极管， 其所发出的光可能被衬底所吸收。尤其是在有源层发光波长较短时，衬底对有源层发出的光吸收更严重。为了减小衬底的光吸收，可以在有源层与衬底之间插入分布布拉格反射层。 从有源层发出的射向衬底的光被分布布拉格反射层反射并从顶部射出，发光二极管的光提取效率因此得到极大的提高。一个由N(1 < N < 100)对高折射率和低折射率的反射层依次周期性叠加而成的分布布拉格反射层的反射率可由公式(1)计算得到权利要求1.一种发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上；分布布拉格反射层是由N对高折射率和低折射率的反射层依次周期性叠加而成，100，其特征在于每一层高折射率反射层或每一层低折射率反射层的内部包含一个折射率渐变层。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于每对分布布拉格反射层的厚度满足以下关系每一层高折射率反射层的厚度为D1 = (2k+l) · λ/(4ηι)；每一层低折射率反射层的厚度为D2= (2k+l) · λ/(4η2)；其中，k为满足的整数，λ为所要反射的光的波长，Ii1为高折射率反射层的平均折射率，η2为低折射率反射层的平均折射率，且满足关系ηι > n2。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于高折射率反射层的厚度D1与其中的折射率渐变层的厚度dn满足关系=D1 ^ dn ^ 0。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于低折射率反射层的厚度D2与其中的折射率渐变层的厚度d21满足关系D2 ^ d21 ^ 0。专利摘要本技术公开一种发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上；分布布拉格反射层是由N(1≤N≤100)对高折射率和低折射率的反射层依次周期性叠加而成，每一层高折射率反射层或每一层低折射率反射层的内部包含一个折射率渐变层。本技术使得分布布拉格反射层的反射率和反射带宽得到提高，从而提高发光二极管的光提取效率。文档编号H01L33/10GK202282380SQ20112035040公开日2012年6月20日 申请日期2011年9月15日 优先权日2011年9月15日专利技术者张双翔, 林志伟, 陈凯轩 申请人:厦门乾照光电股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯轩，张双翔，林志伟，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：