本发明专利技术公开了一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，所述基板像素电路包括多条绝缘交叉的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线分隔区域内形成有像素电极，所述扫描线和数据线交叉处设置有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和有机发光二极管；所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管的源极相连，其阴极和VSS线相连，所述数据线和像素电极部分交叠。本发明专利技术提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，通过先将数据断线位置的像素驱动TFT失效，然后将数据线断线两端与该像素电极熔接在一起，从而让像素电极作为转接线修复该数据断线，提高产品良率，且操作简单，易于实施。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种阵列基板数据线修复方法，尤其涉及。
技术介绍
有机发光显示器件(OLED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT -IXD )，OLED具有高对比度，广视角，低功耗，体积更薄等优点， 有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。在AMOLED制备过程中，AMOLED显示器的像素点不良和信号线断线不良是制备工艺中不可避免出现的两类主要缺陷，而且这两类缺陷大部分集中在阵列工艺末端以后，当检测出上述不良时，就需要进行相应的修复。对于封装之后出现的数据线断线不良，现有技术未给出切实可行的方案。因此，有必要提供有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线修复方法，提高产品良率，且操作简单，易于实施。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线修复方法，能够修复数据线断线，提高产品良率，且操作简单，易于实施。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线修复方法，所述基板像素电路包括多条绝缘交叉的扫描线和数据线， 所述扫描线和数据线分隔区域内形成有像素电极，所述扫描线和数据线交叉处设置有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和有机发光二极管；多条VDD线，沿所述数据线方向延伸，所述VDD线和驱动薄膜晶体管的漏极相连，并通过存储电容和驱动薄膜晶体管的栅极相连； 所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管的源极相连，其阴极和VSS线相连；所述数据线和像素电极部分交叠；所述修补方法包括如下步骤a)确定数据线断线的位置；b) 将数据断线位置的像素驱动薄膜晶体管失效；c)将数据断线两端与该像素电极熔接，让像素电极作为转接线修复该数据断线。上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，其中，所述步骤b) 采用激光切割方法从显示器阵列基板的一侧将所述不良像素点的驱动薄膜晶体管的栅极断开，使所述不良像素点的驱动薄膜晶体管失效。上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，其中，所述步骤C) 采用激光熔接方法将数据线断线两端与该像素电极熔接在一起。本专利技术对比现有技术有如下的有益效果本专利技术提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，通过先将数据断线位置的像素驱动TFT失效，然后将数据线断线两端与该像素电极熔接在一起，从而让像素电极作为转接线修复该数据断线。附图说明图1为一种有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图； 图2为一种有源矩阵有机发光显示器的像素结构等效电路图； 图3为本专利技术的有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图； 图4为本专利技术数据断线的修补流程示意图；图5为本专利技术实施例中使断线所在位置像素驱动TFT失效的示意图； 图6为本专利技术熔接像素电极和数据断线两端使数据线修复的示意图。图中1数据线2扫描线3存储电容4 VDD线5开关薄膜晶体管6驱动薄膜晶体管7像素电极9切割点10第一焊接点11第二焊接点。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。图3为本专利技术的有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图。请参见图3，本专利技术使用的有源矩阵有机发光显示器的像素电路包括多条绝缘交叉的扫描线2和数据线1，扫描线2和数据线1分隔区域内形成有像素电极7，扫描线2和数据线1交叉处设置有开关薄膜晶体管5、驱动薄膜晶体管6和有机发光二极管；多条VDD 线4，沿所述数据线方向延伸，VDD线4和驱动薄膜晶体管6的漏极相连，并通过存储电容3 和驱动薄膜晶体管6的栅极相连；所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管6的源极相连，其阴极和相连VSS线相连；数据线1和像素电极7部分交叠。等效像素电路参见图2，VDD线4和驱动薄膜晶体管T2的漏极相连，并通过存储电容Cs和驱动薄膜晶体管T2的栅极相连；多条VSS线，VSS线和有机发光二极管(OLED)的阴极相连，所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管T2的源极相连，开关薄膜晶体管Tl 的栅极和扫描线2相连接收行扫描信号Vscan，源极和数据线1相连接收数据信号Vdata。图4为本专利技术数据断线的修补流程示意图。请参见图4，本专利技术提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法包括如下步骤步骤S401 确定数据线断线的位置； 步骤S402 将数据断线位置的像素驱动薄膜晶体管6失效； 步骤S403 将数据断线两端与该像素电极熔接； 步骤S404 像素电极作为转接线修复该数据断线。具体来说，上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，使所述像素驱动TFT失效可采用激光切割方法，从阵列极板的一侧在切割点9处将所述像素点驱动TFT栅极断开，如图5所示。优选采用激光熔接方法将数据线断线两端与该像素电极熔接，这样像素电极作为转接线修复该断线，如图6所示的第一焊接点10和第二焊接点11。虽然本专利技术已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本专利技术，任何本领域技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本专利技术的保护范围当以权利要求书所界定的为准。权利要求1.，所述基板像素电路包括多条绝缘交叉的扫描线(2)和数据线(1)，所述扫描线(2)和数据线(1)分隔区域内形成有像素电极(7)，所述扫描线(2)和数据线(1)交叉处设置有开关薄膜晶体管(5)、驱动薄膜晶体管(6)和有机发光二极管；多条VDD线(4)，沿所述数据线方向延伸，所述VDD线(4)和驱动薄膜晶体管(6)的漏极相连，并通过存储电容(3)和驱动薄膜晶体管(6)的栅极相连；所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管(6)的源极相连，其阴极和VSS线相连； 其特征在于，所述数据线(1)和像素电极(7 )部分交叠，所述修补方法包括如下步骤a)确定数据线断线的位置；b)将数据断线位置的像素驱动薄膜晶体管(6)失效；c)将数据断线两端与该像素电极熔接，让像素电极作为转接线修复该数据断线。2.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，其特征在于，所述步骤b)采用激光切割方法从显示器阵列基板的一侧将所述不良像素点的驱动薄膜晶体管(6)的栅极断开，使所述不良像素点的驱动薄膜晶体管(6)失效。3.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，其特征在于，所述步骤c)采用激光熔接方法将数据线断线两端与该像素电极熔接在一起。全文摘要本专利技术公开了，所述基板像素电路包括多条绝缘交叉的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线分隔区域内形成有像素电极，所述扫描线和数据线交叉处设置有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和有机发光二极管；所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管的源极相连，其阴极和VSS线相连，所述数据线和像素电极部分交叠。本专利技术提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法，通过先将数据断线位置的像素驱动TFT失效，然后将数据线断线两端与该像素电极熔接在一起，从而让像素电极作为转接线修复该数据断线，提高产品良率，且操作简单，易于实施。文档编号H01L21/768GK102509720SQ201110419048公开日2012年6月20日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日专利技术者张婷婷, 邱勇, 高孝裕, 黄本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张婷婷，邱勇，黄秀颀，高孝裕，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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