本发明专利技术公开了一种李氏禾快速繁殖方法。选取具有多个节点的李氏禾植株，于第二个节点处，剪取李氏禾茎尖，节点末端保留1.0-1.5cm茎段，刀片沿周破坏节点表皮，暴露形成层；将李氏禾的末端节点浸于5mg/L萘乙酸溶液中置于黑暗人工气候箱，6小时后，用蒸馏水将李氏禾末端的萘乙酸溶液清洗干净，于改良hoagland营养液中培养，培养环境为：光照强度2000LX，相对湿度70-80％，白天15h/d，温度25±1℃，夜间9h/d，温度20±1℃；经7-10天培养，节点处便生根并长出幼苗，将生根的李氏禾移栽至土壤中于自然环境下栽培，浇水，使育苗基质保持湿润。本发明专利技术方法简便快捷、成本低廉，为快速获得铬污染土壤或水体的植物修复材料提供新的途径。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于铬污染的植物修复
，具体涉及一种可用于铬污染修复的超富集植物——李氏禾(Leersia hexandra Swartz)的快速繁殖方法。
技术介绍
铬是一种广泛使用的工业原料，电镀、皮革加工、防腐以及蛇纹石矿的开采和冶炼都会造成铬污染(Shanker et al.，((Metallomics)) 2009 年第 1 卷 375-383 页)。铬污染不仅导致土地退化、农作物减产和品质下降，更重要的是其通过食物链进入人体，给人类健康带来风险。过量的铬会对人体产生明显的致癌和致畸作用(Shrivastava et al.， ((Microbiology)), 2002年第34卷1_7页)。因此，铬在全球范围内被列为重点防治对象 (Zayed and Terry, ((Plant and Soil)))，2003 年第 249 卷 139-156 页)。李氏禾(L. hexandra)作为中国境内首次报道的铬超富集植物 (hyperaccumulator)(张学洪等，《生态学报》，2006年第沈卷第3期沈4_267页)，不但在对修复水体和土壤铬污染方面表现出极大的应用潜力(Liu et al，《Journal of Hazardous Materials)) 2011年第188卷85-91页)，而且在对植物铬污染的耐受和富集机理上也表现出极大的研究价值。但是，该植物在实际运用中也存在一定的局限性。这主要表现在(1) 构件数复杂，不易区分单株幼苗；(2)结实率不高，且种子萌发率低；(3) —年只能结实一次，不能满足大规模的工程修复。因此，建立，成为将来推广和利用李氏禾进行污染修复和科学研究的关键所在。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种工艺简单、成活率高、繁殖速度快的铬超富集植物李氏禾的快速繁殖方法，可为土壤或水体铬污染提供大量植物修复材料，同时也为试验研究超富集植物铬的耐受和富集机制提供丰富的源材料。具体步骤为选取具有多个节点的李氏禾植株，于第二个节点处，剪取李氏禾茎尖，节点末端保留1.0-1. 5cm茎段，刀片沿周破坏节点表皮，暴露形成层；将李氏禾的末端节点浸于5mg/L 萘乙酸溶液中置于黑暗人工气候箱，6小时后，用蒸馏水将李氏禾末端的萘乙酸溶液清洗干净，于改良hoagland营养液中培养，培养环境为光照强度2000LX，相对湿度70-80%，白天 15h/d，温度25士 1°C，夜间9h/d，温度20士 1°C ；经7_10天培养，节点处便生根并长出幼苗， 将生根的李氏禾移栽至土壤中于自然环境下栽培，浇水，使育苗基质保持湿润。本专利技术的优点和有益效果是利用李氏禾节点细胞的分化性能，建立节点繁殖法， 既提高了李氏禾的繁殖系数，缩短了生长周期，又保证了李氏禾幼苗的质量，过程快捷、无季节影响、成本低廉，为快速获得铬污染土壤或水体的植物修复材料提供新的途径，具有重要的应用价值。该方法快速繁殖方法简便快捷、成本低廉可用于李氏禾的快速繁殖育苗。附图说明图1为本专利技术实施例李氏禾繁殖取材的部位。图2为本专利技术实施例培养7天的李氏禾无性繁殖苗。图3为本专利技术实施例移栽土培12后的李氏禾。具体实施例方式实施例选取50株生长健壮的具有多个节点李氏禾植株，于第二个节点处，剪取李氏禾茎尖，节点末端保留1.0-1. 5cm茎段(如图1所示)。刀片沿周破坏节点表皮，暴露形成层； 将李氏禾的末端节点浸于5mg/L萘乙酸溶液中置于黑暗人工气候箱，6小时后，用蒸馏水将李氏禾末端的萘乙酸溶液清洗干净，10株一组分装于改良hoagland营养液中培养，培养环境设置为光照强度2000LX，相对湿度75%，白天15h/d，温度25士 1°C，夜间恥/d，温度 20士 1°C。如图2所示，经7天培养，节点处便生根并长出幼苗。将生根的李氏禾移栽至土壤中于自然环境下栽培，适时浇水，使育苗基质保持湿润。12天后，李氏禾长出新叶(如图 3所示)，存活率达到95%。权利要求1. 一种李氏禾繁殖方法，其特征在于具体步骤为选取具有多个节点的李氏禾植株，于第二个节点处，剪取李氏禾茎尖，节点末端保留 1. 0-1. 5cm茎段，刀片沿周破坏节点表皮，暴露形成层；将李氏禾的末端节点浸于5mg/L萘乙酸溶液中置于黑暗人工气候箱，6小时后，用蒸馏水将李氏禾末端的萘乙酸溶液清洗干净，于改良hoagland营养液中培养，培养环境为光照强度2000LX，相对湿度70-80%，白天 15h/d，温度25士 1°C，夜间9h/d，温度20士 1°C ；经7_10天培养，节点处便生根并长出幼苗， 将生根的李氏禾移栽至土壤中于自然环境下栽培。全文摘要本专利技术公开了。选取具有多个节点的李氏禾植株，于第二个节点处，剪取李氏禾茎尖，节点末端保留1.0-1.5cm茎段，刀片沿周破坏节点表皮，暴露形成层；将李氏禾的末端节点浸于5mg/L萘乙酸溶液中置于黑暗人工气候箱，6小时后，用蒸馏水将李氏禾末端的萘乙酸溶液清洗干净，于改良hoagland营养液中培养，培养环境为光照强度2000LX，相对湿度70-80％，白天15h/d，温度25±1℃，夜间9h/d，温度20±1℃；经7-10天培养，节点处便生根并长出幼苗，将生根的李氏禾移栽至土壤中于自然环境下栽培，浇水，使育苗基质保持湿润。本专利技术方法简便快捷、成本低廉，为快速获得铬污染土壤或水体的植物修复材料提供新的途径。文档编号A01H4/00GK102487826SQ20111041033公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月10日 优先权日2011年12月10日专利技术者刘杰, 张学洪, 黄晓武 申请人:桂林理工大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张学洪，刘杰，黄晓武，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：
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