一种曝光方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种曝光方法，该方法首先判断曝光区域的中心是否在晶片上，当所述曝光区域的中心不在晶片上时，对该曝光区域采用漂移聚焦形式进行曝光；当所述曝光区域的中心在晶片上时，进一步判断该曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围内时，对该曝光区域采用漂移聚焦形式进行曝光；当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围之外时，对该曝光区域采用自动聚焦形式进行曝光。通过本发明专利技术所提供的曝光方法，能够有效地减少或避免曝光工艺中边缘聚焦现象的发生，降低返工率，从而有利于提高半导体器件的设备产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及。
技术介绍
众所周知，制造半导体器件的晶片是圆形，而在圆形晶片上进行曝光的区域却是矩形。为了使得晶片充分利用，追求利益最大化，需要在晶片表面布满尽可能多的管芯，因此，在光刻工艺中对晶片进行曝光时，在晶片边缘就不可避免地存在不完整矩形区域，对这些不完整矩形区域进行曝光将会发生聚焦现象，一般称这种聚焦为边缘聚焦。聚焦一般是因为光刻版的成像平面和胶平面没有平行，或者成像平面和胶平面偏离太大，进而造成图形颜色异常，图形模糊，甚至连条断裂。边缘聚焦即是发生在晶片边缘不完整区域的聚焦。边缘聚焦的一般处理方式为对曝光工艺进行返工，而返工不仅浪费时间和财力， 还有可能对晶片上其他正常管芯造成损伤，进而影响半导体器件的设备产能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供，该方法能够减少或避免边缘聚焦现象的发生，进而提高半导体器件的设备产能。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案，该方法包括步骤A 判断曝光区域的中心是否在晶片上，如果是，则执行步骤B ；如果否，则执行步骤C ；步骤B:判断曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，如果是，则执行步骤C;如果否，则执行步骤D ；步骤C 对所述曝光区域采用漂移聚焦形式进行曝光；步骤D 对所述曝光区域采用自动聚焦形式进行曝光。优选的，上述曝光方法中，所述预设宽度不小于去边宽度与光束长度一半之和。优选的，上述曝光方法中，所述预设宽度不小于去边宽度与光束对角线长度一半之和。优选的，上述曝光方法中，所述去边宽度为3mm。优选的，上述曝光方法中，所述光束长度为2mm。优选的，上述曝光方法中，所述光束对角线长度为2mm。优选的，上述曝光方法中，所述预设宽度为4mm。优选的，本专利技术所提供的方法中，所述步骤C具体为将对该曝光区域进行曝光的光束中心沿水平方向移动至能够实现自动聚焦的区域进行曝光。优选的，本专利技术所提供的方法中，所述步骤C具体为将对该曝光区域进行曝光的光束中心沿对角方向移动至能够实现自动聚焦的区域进行曝光。从上述技术方案可以看出，本专利技术所提供的方法首先判断曝光区域的中心是否在晶片上，当所述曝光区域的中心不在晶片上时，采用漂移聚焦形式对该区域进行曝光；当所述曝光区域的中心在晶片上时，进一步判断该曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围内时，采用漂移聚焦形式对该区域进行曝光；当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围之外时，采用自动聚焦形式对该区域进行曝光。由于所述预设宽度范围内至少有宽度为光束长度(或光束对角线长度)一半的环形区域上覆盖有光刻胶，因此，当所述曝光区域的中心(即光束中心)由晶片中心方向接近预设宽度范围时，能够保证光束全部处于光刻胶上，从而可采用自动聚焦形式对该曝光区域进行曝光，避免了边缘聚焦现象的发生；对于曝光区域的中心位于预设宽度范围内或晶片外的情况，采用漂移聚焦形式对该区域进行曝光，也解决了晶片边缘易于聚焦的问题。因此，本专利技术所提供的方法能够有效地减少或避免曝光工艺中边缘聚焦现象的发生， 减少返工率，利于提高半导体器件的设备产能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的流程图示意图；图2为本专利技术实施例所提供的晶片上一个曝光区域的位置示意图；图3为现有技术中NIKON曝光机自动聚焦和自动调平对晶片不同曝光区域的影响示意图；图4为图3所对应的晶片结构示意图；图5为本专利技术实施例所提供的一个曝光区域的结构示意图；图6为现有技术中晶片上两个曝光区域的位置示意图；图7为本专利技术实施例所提供的一种漂移聚焦的具体实现方式；图8为本专利技术实施例所提供的另一种漂移聚焦的具体实现方式。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。实施例一参考图1，图1为本专利技术实施例所提供的流程图示意图，所述方法具体包括如下步骤步骤A 判断曝光区域(即待曝光区域)的中心是否在晶片上，如果是，则执行步骤B;如果否，则执行步骤C。在光刻工艺过程中，需要对晶片进行曝光，每个曝光的区域为矩形，而晶片是圆形，因此晶片边缘不可避免地存在不完整矩形区域，所述不完整矩形区域指的是部分位于光刻胶上、部分位于没有光刻胶的去边宽度范围内的矩形区域。在对这些不完整矩形区域进行曝光时极易发生聚焦现象，一般称这种聚焦现象为边缘聚焦。专利技术人研究发现，产生边缘聚焦的本质原因在于在对晶片进行曝光时，所采用的光束不是点光束，而是具有一定长度和一定宽度的矩形光束。按照现有曝光机上的程序设置，采用该光束照射晶片边缘不完整矩形区域时，当光束的中心(即曝光区域的中心)接近晶片的去边边缘(即晶片上除去边缘特定宽度的光刻胶后剩余光刻胶的边缘)时，很容易使得所述光束一部分在光刻胶上，一部分在没有光刻胶的晶片上，即所述光束不在同一平面内，致使得到的聚焦信息不正确，从而出现边缘聚焦现象。为避免边缘聚焦现象的发生，本专利技术所采用的方法为首先判断曝光区域的中心是否在晶片上，如果是，则执行步骤B ；如果否，则执行步骤C。判断曝光区域的中心是否在晶片上，一般由曝光机的程序自动完成，即当所述曝光机对某晶片进行曝光时，首先由曝光机发出一光束照射到该晶片上的某个区域，此时，由内嵌入曝光机中的程序自动检测所述光束中心(即曝光区域的中心)的位置(或坐标)， 然后根据晶片上的原点位置(坐标)和半径，即可得知所述光束中心是否位于晶片上。对于当光束中心位于晶片上的情况，所述曝光机还可判断光束中心是否位于晶片上某一区域 (如去边宽度或预设宽度等)范围内，在此不再赘述。步骤B:判断曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，所述预设宽度不小于去边宽度与光束长度一半之和，如果是，则执行步骤C ；如果否，则执行步骤D。当曝光区域的中心位于晶片上时，进一步判断所述曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，所述预设宽度不小于去边宽度与光束长度一半之和，如果是，则执行步骤C;如果否，则执行步骤D。由于用来对晶片进行曝光的光束是有一定长度和一定宽度的矩形光束(所述宽度远小于所述长度，所述宽度相对所述长度来说可忽略不计)，而光束的中心正好照射到曝光区域的中心，因此，不能按照常规的方法，只判断所述曝光区域的中心是否在晶片边缘的去边宽度范围内，而是应该将传统方法中的“去边宽度”范围“拓宽”一下，即判断曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，所述预设宽度不小于去边宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段天利，张三强，平梁良，李晓波，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：