一种安规陶瓷电容器介质结构制造技术

一种安规陶瓷电容器介质结构，其特征在于，介质中心部分的厚度比边缘薄，介质圆柱体结构的上下底面各有一个圆台形的空缺，两个空缺关于介质圆柱体中心对称，空缺圆台的轴与介质圆柱的轴重合，介质中心部分的圆面与周围介质圆环之间有一个形如圆台侧面的斜面。本实用新型专利技术对照现有技术的有益效果是，减少了电容器边缘效应造成的耐压性能浪费，同等容量下，将中心部分对耐压水平没有增益的材料转移到边缘，进一步提高了电容器的耐电压水平。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种陶瓷电容器介质结构，尤其涉及一种安规陶瓷电容器的介质结构。
技术介绍
安规陶瓷电容器又称Y电容器，主要用于降低电气、电子设备或其他干扰源所产生的电磁干扰。在陶瓷电容器的国家标准中，对安规陶瓷电容器的耐电压要求明显高于其他电容器。安规陶瓷电容器的耐电压水平主要决定于陶瓷介质的质量，通常的安规陶瓷电容器呈圆板型，圆柱体结构，为保证耐压性能，安规陶瓷电容器的厚度远大于普通中低压型陶瓷电容器。在安规陶瓷电容器电击穿时，普遍存在着边缘效应，即平行板电容器边缘的场强远大于中部，随着电压的提升，当电容器中心部的场强还远远低于击穿电压时，电容器边缘的场强已经达到击穿电压，从而把电容器两电极板之间的电介质击穿。正常的圆板型安规陶瓷电容器电击穿部位都在边缘，击穿点集中在电极的边缘，因此保持电容器中部区域和边缘的耐压性能相同是不必要的，现有的圆板型安规陶瓷电容器介质结构存在耐压性能浪费且体积较大。
技术实现思路
本技术需解决的技术问题是提供一种可靠性和稳定性好、生产成本低的安规陶瓷电容器介质结构，可以有效的减少安规陶瓷电容器介质在耐电压击穿过程的性能浪费，缩小了产品体积，满足了产品小型化趋势，采用的技术方案如下本技术的安规陶瓷电容器介质结构，介质中心部分的厚度比边缘薄，其特征在于，介质圆柱体结构的上下底面各有一个圆台形的空缺，两个空缺关于介质圆柱体中心对称，空缺圆台的轴与介质圆柱的轴重合，介质中心部分的圆面与周围介质圆环之间有一个形如圆台侧面的斜面。也就是说，本介质结构类似于H的形状。考虑到边缘效应与介质外形的曲率相关，如采用圆柱形的空缺，将在圆柱的圆周面出现边缘效应，因此采用圆台形状空缺，减小了介质中心圆面向边缘圆环过渡的曲率，减弱了空缺造成的边缘效应。为了节省材料的同时能保证耐压性能，所述介质中心圆面的直径范围为介质外径的60% 85%，所述介质中心部分的厚度范围为介质最外侧厚度的50% 90%，所述斜面与圆环面的夹角范围为120 160度。本技术对照现有技术的有益效果是，介质中心厚度小于边缘，相比安规类陶瓷电容器通用的圆柱体介质结构，在同等耐电压水平下，本技术介质体积可减少5 % 30 %，用料更省，提高了材料利用率附图说明图1是本技术结构示意图。图2是本技术结构剖视图。具体实施方式实施例1，参见附图1、2所示，本技术包括两个中心圆面1，两个圆环面2，所述圆面和圆环面之间通过圆台侧边3连接，外侧圆周面4，分别和两个圆环面3相连。整个介质结构呈H形，关于两个中心圆面1的圆心连线轴对称。中心圆面的边101和圆环面的边 201平行，圆台侧面3于中心圆面1夹角a为130度，所述夹角a指的是剖视图中圆台侧面 3的边301和中心圆面的边101的夹角。中心圆面1到圆环面2的距离b为两个圆环面间距c的15%，所述距离b指的是中心圆面圆心到圆环所在平面的垂直距离，距离c是指两个圆环面的间距，中心圆面半径为圆环外圈圆周半径的80%。实施例2，本实施例中，安规陶瓷电容器介质结构于实施例1的区别在于所述圆台侧面与中心圆面的夹角为140度。中心圆面到圆环面的距离为两个圆环面间距的10%， 中心圆面半径为圆环外圈圆周半径的75%。实施例3，本实施例中，安规陶瓷电容器介质结构于实施例1的区别在于所述圆台侧面与中心圆面的夹角为160度。中心圆面到圆环面的距离为两个圆环面间距的10%， 中心圆面半径为圆环外圈圆周半径的65%。权利要求1.一种安规陶瓷电容器介质结构，其特征在于，介质中心部分的厚度比边缘薄，介质圆柱体结构的上下底面各有一个圆台形的空缺，两个空缺关于介质圆柱体中心对称，空缺圆台的轴与介质圆柱的轴重合，介质中心部分的圆面与周围介质圆环之间有一个形如圆台侧面的斜面。2.根据权利要求1所述的安规陶瓷电容器介质结构，其特征在于所述的形如圆台侧面的斜面与中心圆面的夹角范围为120 160度。3.根据权利要求1所述的安规陶瓷电容器介质结构，其特征在于所述的中心部分圆面的直径为介质结构外径的60% 85%。4.根据权利要求1所述的安规陶瓷电容器介质结构，其特征在于所述介质中心部分厚度为介质最外侧厚度的50% 90%。专利摘要一种安规陶瓷电容器介质结构，其特征在于，介质中心部分的厚度比边缘薄，介质圆柱体结构的上下底面各有一个圆台形的空缺，两个空缺关于介质圆柱体中心对称，空缺圆台的轴与介质圆柱的轴重合，介质中心部分的圆面与周围介质圆环之间有一个形如圆台侧面的斜面。本技术对照现有技术的有益效果是，减少了电容器边缘效应造成的耐压性能浪费，同等容量下，将中心部分对耐压水平没有增益的材料转移到边缘，进一步提高了电容器的耐电压水平。文档编号H01G4/12GK202268250SQ20112030684公开日2012年6月6日 申请日期2011年8月17日 优先权日2011年8月17日专利技术者李伟力, 李国正, 阙华昌 申请人:昆山市万丰电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟力，阙华昌，李国正，
申请(专利权)人：昆山市万丰电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：