【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有锌的半导体层和光伏器件。
技术介绍
在光伏器件的制造过程中,半导体材料的层可以被施加到基底上,一层作为窗口层,第二层作为吸收层。窗口层可以允许太阳辐射穿过而到达吸收层,在吸收层光能被转换为电能。一些光伏器件可以使用透明薄膜,所述透明薄膜也是电荷的导体。导电薄膜可以包括透明导电层,所述透明导电层包含例如锡酸镉氧化物的透明导电氧化物。透明导电层可以允许光穿过半导体窗口层,以到达活性的光吸收材料,并且透明导电层也作为欧姆接触件,用来传输离开光吸收材料的光生载荷子。背电极可以形成在半导体层的背表面上。附图说明图1是具有多层的光伏器件的示意图。图2是具有多层的光伏器件的示意图。具体实施例方式光伏电池可以包括与基底相邻的透明导电氧化物层以及半导体材料层。半导体材料层可以包括双层,所述双层可以包括η型半导体窗口层和ρ型半导体吸收层。η型窗口层和P型吸收层可以定位为彼此接触,以产生电场。光子在与η型窗口层接触时可以释放电子-空穴对,将电子发送到η侧并且将空穴发送到P侧。电子可以经过外部电流路径流回到P侧。得到的电子流提供电流,与电场产生的电压结合产生功率。结果是光子能转换为电能。因此,光伏电池可以包括硫化镉窗口层和碲化镉吸收层。可以包括硫化镉锌层,以使带隙能量变宽,并且允许硫化镉锌和碲化镉之间的带偏移的调整。硫化镉锌层可以通过各种技术来制造,包括沉积含有锌的层。例如,可以将碲化镉锌层沉积到硫化镉层上,从而通过沉积后退火步骤或者通过例如在气相传输沉积中那样在高温下沉积所述层来使锌扩散到硫化镉中。类似地,可以将硫化锌层沉积到硫化镉层上,从而使锌扩散。可选 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.07.10 US 61/224,658;2009.07.13 US 61/225,0131.一种制造光伏电池的方法,所述方法包括以下步骤 在透明导电氧化物堆叠件上沉积硫化镉层;在硫化镉层上沉积含有锌的层;以及在含有锌的层上沉积碲化镉层。2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括形成硫化镉锌的步骤,其中,所述形成硫化镉锌的步骤包括对一个或多个层退火。3.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个在大约400°C至大约 800°C范围内的温度下进行。4.根据权利要求3所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个在大约500°C至大约 700°C范围内的温度下进行。5.根据权利要求4所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个在大约550°C至大约 650°C范围内的温度下进行。6.根据权利要求5所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个在大约550°C进行。7.根据权利要求5所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个在大约600°C进行。8.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个包括传输气相。9.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括对硫化镉层和含有锌的层退火。10.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括对碲化镉层退火。11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述退火包括在大约400°C至大约800°C的范围内的温度下加热硫化镉层和含有锌的层。12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述退火包括在大约500°C至大约700°C的范围内的温度下加热硫化镉层和含有锌的层。13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述退火包括在大约550°C至大约650°C的范围内的温度下加热硫化镉层和含有锌的层。14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述退火包括在大约550°C加热硫化镉层和含有锌的层。15.根据权利要求13所述的方法,其中,所述退火包括在大约650°C加热硫化镉层和含有锌的层。16.根据权利要求1所述的方法,其中,含有锌的层包括碲化锌。17.根据权利要求1所述的方法,其中,含有锌的层包括碲化镉锌。18.根据权利要求17所述的方法,其中,碲化镉锌具有大约2%至大约10%的锌含量。19.根据权利要求18所述的方法,其中,碲化镉锌具有大约4%至大约8%的锌含量。20.根据权利要求19所述的方法,其中,碲化镉锌具有大约5%至大约6%的锌含量。21.根据权利要求17所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个控制硫化镉层和碲化镉锌之间的交换反应。22.根据权利要求1所述的方法,其中,含有锌的层包括硫化锌。23.根据权利要求1所述的方法,其中,含有锌的层包括位于碲化锌层上的碲化镉锌层。24.根据权利要求23所述的方法,其中,碲化镉锌层包含比碲化锌层的锌浓度低的锌浓度。25.根据权利要求23所述的方法,其中,碲化镉锌层具有大约2%至大约10%的锌含量。26.根据权利要求25所述的方法,其中,碲化镉锌层具有大约4%至大约8%的锌含量。27.根据权利要求沈所述的方法,其中,碲化镉锌层具有大约5%至大约6%的锌含量。28.根据权利要求23所述的方法,其中,沉积步骤中的一个或多个控制硫化镉层和碲化镉锌层之间的交换反应。29.根据权利要求1所述的方法,其中,所述透明导电氧化物堆叠件包括位于透明导电氧化物层上的缓冲层,其中,所述透明导电氧化物层位于一个或多个阻挡层上。30.根据权利要求四所述的方法,所述方法还包括在第一基底上沉积透明导电氧化物堆叠件。31.根据权利要求30所述的方法,其中,第一基底包括玻璃。32.根据权利要求31所述的方法,其中,所述玻璃包括钠钙玻璃。33.根据权利要求四所述的方法,其中,所述一个或多个阻挡层中的每个包括从由氮化硅、铝掺杂的氮化硅、氧化硅、铝掺杂的...
【专利技术属性】
技术研发人员:利科·C·珀维,马克思·格鲁克勒尔,边雅敏·布鲁尔,邵锐,
申请(专利权)人:第一太阳能有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。