新的杂环衍生物及使用其的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种新的杂环衍生物和使用该化合物的有机电致发光器件，所述杂环衍生物可很大程度地改进有机电致发光器件的使用期限、效率、光化学稳定性和热稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新的化合物和使用其的有机电致发光器件。本申请要求2009年9月 10日在KIPO提交的第10-2009-00邪474号韩国专利申请的优先权，该申请全文以引用的方式纳入本说明书。
技术介绍
有机电致发光现象是电流通过特定有机分子的内部作用而转化成可见光线的实例。有机电致发光现象是基于以下机理。当有机物质层置于阳极和阴极之间时，如果将电压施加于两个电极之间，则电子和空穴从阴极和阳极注入有机物质层。注入有机物质层的电子和空穴重新结合形成激子(exciton)，激子降至基态而发射光。一般而言，使用该原理的有机电致发光器件可配置有阴极、阳极和置于其间的有机物质层，例如包含空穴注入层、 空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物质层。在有机电致发光器件中所使用的物质中占大部分的是纯的有机物质或有机物质和金属的络合物，可根据其用途分为空穴注入物质、空穴传输物质、发光物质、电子传输物质或电子注入物质。关于这一点，主要使用具有P型性能的有机物质，即易氧化且被氧化时具有电化学稳定的状态的有机物，作为空穴注入物质或空穴传输物质。同时，主要使用具有 η型性能的有机物质，即易还原且被还原时具有电化学稳定的状态的有机物，作为电子注入物质或电子传输物质。作为发光层物质，优选的是同时具有P型和η型性能的有机物质，即其在氧化和还原时都具有稳定状态的物质。当激子形成时，优选的是具有高的将激子转化成光的发光效率的物质。此外，优选在有机电致发光器件中所使用的物质还具有以下性能。首先，优选在有机电致发光器件中所使用的物质具有极佳的热稳定性。因为电荷在有机电致发光器件中的移动产生焦耳热(joule heating)。目前作为空穴传输层物质主要使用的是NPB，其玻璃化转变温度为100°C以下，因此难以应用于需要高电流的有机电致发光器件。其次，为了制备能在低电压下驱动并具有高效率的有机电致发光器件，注入有机电致发光器件内的空穴或电子必须平稳地传输至发光层，且注入的空穴和电子一定不能逸出到发光层外。为了实现这一点，在有机电致发光器件中所使用的物质必须具有合适的带隙(band gap)和合适的HOMO或LUMO能级。目前使用溶液涂渍法制备的有机电致发光器件中，用作空穴传输物质的PED0T:PSS与用作发光层物质的有机物质相比，LUMO能级低，因此难以制备具有高的效率和长的使用期限的有机电致发光器件。此外，在有机电致发光器件中所使用的物质必须具有极佳的化学稳定性、电荷迁移率以及与电极或相邻层的界面特性。即，在有机电致发光器件中所使用的物质必须几乎不因湿气或氧气而变形。此外，必须保证合适的空穴或电子迁移率以平衡空穴和电子在有机电致发光器件发光层中的密度，以使激子的形成最大化。此外，其必须能与包含金属或金属氧化物的电极具有良好的界面以保证器件的稳定性。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术旨在提供新的杂环衍生物，其能满足在有机电致发光器件中所使用的物质所需的条件(例如适当的能级、电化学稳定性和热稳定性)并具有能根据取代基而实现有机电致发光器件所需的多种功能的化学结构，以及使用其的有机电致发光器件。解决课题的方法本专利技术的一个示例性实施方案提供了由下式1表示的化合物权利要求1.一种由下式1表示的化合物2.权利要求1的化合物，其中式1的芳基为苯基、联苯基、三联苯基、芪基、萘基、蒽基、 菲基、芘基、花基或cryxenyl基。3.权利要求1的化合物，其中式1的杂芳基为噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、 噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基或吖啶基。4.权利要求1的化合物，其中式1的5.权利要求1的化合物，其中式1的芴基选自以下结构6.权利要求1的化合物，其中式1的亚杂芳基选自以下结构7.权利要求1的化合物，其中式1的化合物由下式表示8 一种有机电致发光器件，其以层压形式包括 第一电极，包含发光层的一层或更多层的有机物质层，和第二电极，其中所述一层或更多层的有机物质层包含权利要求1的化合物。9.权利要求8的有机电致发光器件，其中所述发光层包含红色、绿色、蓝色或白色磷光或荧光掺杂剂。10.权利要求9的有机电致发光器件，其中所述磷光掺杂剂为包含一种或更多种选自 Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb和Tm的元素的有机金属化合物。全文摘要本专利技术涉及一种新的杂环衍生物和使用该化合物的有机电致发光器件，所述杂环衍生物可很大程度地改进有机电致发光器件的使用期限、效率、光化学稳定性和热稳定性。文档编号C09K11/06GK102482575SQ201080040255 公开日2012年5月30日 申请日期2010年9月10日 优先权日2009年9月10日专利技术者孙世焕, 张俊起, 金公谦, 金芝垠 申请人:株式会社Lg化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金芝垠，金公谦，孙世焕，张俊起，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：