抗蚀剂剥离剂组合物和使用该组合物的抗蚀剂的剥离方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和以使用该组合物为特征的抗蚀剂的剥离方法，所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够简便且容易地将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离。本发明专利技术是关于半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的发明专利技术，其特征在于，该组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且pH小于7；并且本发明专利技术是关于抗蚀剂的剥离方法的发明专利技术，其特征在于，该方法使用该组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及照相平版印刷工艺中的光致抗蚀剂和其残渣(以下，有时将它们简称为抗蚀剂。)的剥离剂组合物以及使用该组合物的抗蚀剂的剥离方法。更详细地说，本专利技术涉及如下的抗蚀剂剥离剂组合物和抗蚀剂的剥离方法所述抗蚀剂剥离剂组合物能够将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离，进而其不对处于该抗蚀剂的下部的氧化硅膜等造成不良影响，能够将抗蚀剂剥离；所述抗蚀剂的剥离方法的特征在于使用上述组合物。
技术介绍
在例如集成电路、晶体管等半导体制造过程中，光致抗蚀剂被用于形成微细图案的照相平版印刷工艺等中。例如在硅基板上以所期望的图案形成氧化硅膜的情况下，通过例如以下工序对基板进行处理。即，首先，在硅基板的表面形成氧化硅膜，在该氧化硅膜上涂布光致抗蚀剂后，形成抗蚀剂膜。接下来，使用与所期望的图案对应的光掩模进行曝光、 显影，从而得到所期望的图案。进而，对于得到了所期望的图案的该基板，以该图案为掩模， 通过等离子体掺杂等蚀刻工序除去不要的氧化膜。最后，进行抗蚀剂的除去和基板表面的清洗，从而可以得到形成有所期望的图案的氧化硅膜。作为除去上述蚀刻工序后再不需要的抗蚀剂的方法，主要已知基于氧等离子体灰化等灰化的干式灰化方式(例如专利文献1等)和在含有各种添加剂的剥离溶剂中浸渍等湿式方式这两种方法。作为干式灰化方式的一例的氧等离子体灰化是利用氧气等离子体和抗蚀剂的反应将抗蚀剂分解、灰化并除去的方法，该方法被称为无公害法，但在通过灰化除去抗蚀剂时，若不精确地检测反应终点，则具有基板表面容易受到损伤的问题和基板表面容易附着、残存颗粒的问题。并且，还具有需要通常用于产生等离子体的昂贵设备等问题。 另一方面，作为湿式方式，已知下述方法例如作为无机系剥离溶剂，利用通过热浓硫酸和过氧化氢的反应得到的过一硫酸(卡罗酸)的强氧化力而将抗蚀剂无机物化(灰化)，从而将其除去(例如专利文献2等)。但是，该方法必须使用高温的浓硫酸，不仅具有危险性高的问题，而且具有强氧化力的热混合酸在金属表面生成无用的氧化物或者将金属溶解，因此还存在无法适用于具有例如铝布线等金属布线的基板的问题。在这种状况下，寻求一种基于简便且有效的方法的抗蚀剂的剥离方法，该方法不会产生上述干式灰化方式的问题，而且也不存在以湿式方式为代表的无机系剥离溶剂所具有的溶解金属布线等问题，人们希望存在满足该要求的试剂。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开平54911 号公报专利文献2 日本特开平3-115850号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是鉴于上述情况而进行的，提供如下的半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和抗蚀剂的剥离方法所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂简便且容易地剥离，该组合物还能够将抗蚀剂剥离，而不对处于抗蚀剂的下部的氧化硅膜、通过等离子体掺杂而产生的注入(4 > ^，)层、基板上所具有的金属布线等造成不良影响；所述抗蚀剂的剥离方法的特征在于使用该组合物。用于解决问题的方案本专利技术是半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的专利技术，其特征在于，该组合物含有〔 I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且PH小于7。并且，本专利技术是抗蚀剂的剥离方法的专利技术，其特征在于，该方法使用半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物，该半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、(II) 酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且PH小于7。专利技术效果本专利技术的抗蚀剂剥离剂组合物能够将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂简便且容易地剥离，通过组合使用〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕 有机溶剂，能够将抗蚀剂剥离，而不会对处于抗蚀剂的下部的氧化硅膜和注入层、以及基板上所具有的金属布线造成不良影响。并且，本专利技术的抗蚀剂的剥离方法是用于简便且容易地剥离抗蚀剂的有效方法， 通过使用上述组成的剥离剂，如上所述，不会对处于抗蚀剂的下部的氧化硅膜等造成不良影响，能够容易地将抗蚀剂剥离。S卩，本专利技术人为了达到上述目的进行了反复深入的研究，结果发现通过制成至少含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂的组合物，能够将抗蚀剂剥离；而且，首次发现通过使用含有上述成分的组合物，即使不采用等离子体灰化等使用大型或昂贵的装置的方法也能够将抗蚀剂剥离，另外，与使用卡罗酸的现有浸渍方法相比， 不仅能够稳和且简便地将抗蚀剂剥离，而且还能够将该组合物制成不含有会溶解金属的成分的组成，因此即使对于具有铝布线等金属布线的基板也可以适用，由此完成了本专利技术。并且，本专利技术人还发现与过氧化氢和臭氧等产生氧自由基的化合物相比，本专利技术的抗蚀剂剥离剂组合物中的碳自由基产生剂不易产生在金属布线的表面形成氧化膜等不良影响，因此不会对铝布线等金属布线造成不良影响，能够将抗蚀剂剥离。另外，本专利技术人还发现本专利技术的抗蚀剂剥离剂组合物由于不需要含有例如氢氟酸或其盐等产生氟离子(氟化物离子)的化合物，不具有氢氟酸等所产生的腐蚀作用，因此不仅具有操作容易、且废液处理容易等优点，而且作为例如形成有氧化膜(氧化硅膜)的硅基板那样的有可能被氢氟酸等腐蚀的半导体基板上的抗蚀剂剥离剂特别有用。具体实施例方式作为本专利技术的半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物中的〔I〕碳自由基产生剂，可以举出通过加热或光照射而适宜地产生碳自由基的化合物，具体可以举出例如2，2’ -偶氮二(4-甲氧基-2，4-二甲基戊腈)、2，2’_偶氮二(2，4_二甲基戊腈)、2，2’_偶氮二 O-甲基丙腈)、2，2’_偶氮二 (2-甲基丁腈)、1，1，_偶氮双(环己烷-1-甲腈)、1-甲酰胺等偶氮腈系碳自由基产生剂；例如2，2’-偶氮二 {2-甲基-N-丙酰胺}、2，2’-偶氮二 {2-甲基-N- 丙酰胺}、2，2’ -偶氮二 、2，2’ -偶氮二 、2，2’ -偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’ -偶氮二(N-环己基-2-甲基丙酰胺)等偶氮酰胺系碳自由基产生剂；例如2，2’-偶氮二甲基丙脒)二氢氯化物、2，2’ -偶氮二 四水合物等链状偶氮脒系碳自由基产生剂；例如2，2’ -偶氮二 二氢氯化物、2，2’ -偶氮二 硫酸氢盐、2，2’ -偶氮二 二水合物、2，2’ -偶氮二 {2-丙烷} 二氢氯化物、2， 2’ -偶氮二 、2，2’ -偶氮二(1-亚氨基-1-吡咯烷基-2-甲基丙烷)二氢氯化物等环状偶氮脒系碳自由基产生剂；例如二甲基_2，2’ -偶氮二甲 基丙酸酯)等偶氮酯系碳自由基产生剂；例如4，4’-偶氮二(4-氰基戊酰基酸)等偶氮腈羧酸系碳自由基产生剂；例如2，2’ -偶氮二(2，4，4_三甲基戊烷)等偶氮烷基系碳自由基产生剂；例如分子内具有偶氮基的二甲基聚硅氧烷化合物等大分子偶氮系碳自由基产生剂等通过加热而适宜地产生碳自由基的化合物；例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚系碳自由基产生剂；例如2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯基乙烷-1-酮等苄基缩酮系碳自由基产生剂；例如二苯甲酮、4，4’ -双(二乙基氨基)二苯甲酮、丙烯酸化二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸甲酯、2-苯甲酰基萘、4-苯甲酰基联苯、4-苯甲酰基二苯基醚、1，4_ 二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：水田浩德，柿沢政彦，
申请(专利权)人：和光纯药工业株式会社，
类型：发明
国别省市：