半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种半导体表面用处理剂组合物以及以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法，所述半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层、抗蚀剂层和抗蚀剂固化层剥离。本发明专利技术是关于半导体表面用处理剂组合物的发明专利技术，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物；并且本发明专利技术是关于半导体表面的处理方法的发明专利技术，其特征在于，该方法使用该组合物。式中，R1表示碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基，R2表示氢原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。更详细地说，本专利技术涉及如下的半导体表面用处理剂组合物和半导体表面的处理方法 所述半导体表面用处理剂组合物能够将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离，进一步地，其不仅能剥离防反射膜层，还能将作为防反射膜层上层的抗蚀剂层和蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离；所述半导体表面的处理方法的特征在于使用上述组合物。
技术介绍
现有技术中，例如IC、LSI等半导体元件如下制造通过蒸镀法等在硅晶片等基板上形成导电性金属膜、绝缘层、低电介质层，在所形成的导电性金属膜、绝缘层、低电介质层之上涂布用于抑制曝光时的光散射(乱射)的防反射膜层和抗蚀剂层，然后对其选择性曝光、显影，形成抗蚀剂图案后，以该抗蚀剂图案为掩模，选择性地对导电性金属膜、绝缘层、 低电介质层、防反射膜层进行蚀刻，从而形成微细的电路，进而，通过灰化等对抗蚀剂层等进行灰化，由此将抗蚀剂层和防反射膜层剥离后，利用清洗(剥离)液等对灰化工序等中残留的抗蚀剂层的残渣和防反射膜层的残渣进行处理，由此制造半导体元件。另一方面，迄今已知各种抗蚀剂剥离剂(例如专利文献1、专利文献2等)，使用这些抗蚀剂剥离剂对上述蚀刻后的基板进行处理的情况下，对于原本就没有涂布防反射膜层的基板是有效的，但对于涂布有防反射膜层的基板，则存在虽然能够剥离抗蚀剂层但是难以剥离防反射膜层的问题，现在的状况是，旨在同时剥离抗蚀剂层和防反射膜层这两层时， 要依赖于灰化等技术。但是，这些技术(灰化等)需要大型的设备，或者在要求超微细的电路的现状中，需要在灰化工序后将经灰化的抗蚀剂层的残渣和防反射膜层的残渣等清洗 (剥离)，存在工序繁杂等问题。在这样的情况下，寻求一种基于简单方法(例如，不需要上述那样的大型装置等) 的防反射膜层的剥离方法，期待存在满足这一要求的试剂，期待存在不仅能剥离防反射膜层还能剥离抗蚀剂层的试剂。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2004-241414号公报专利文献2 日本特开2006-106616号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术要解决的技术问题在于提供一种半导体表面用处理剂组合物和以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法，所述半导体表面用处理剂组合物不仅能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离，还能够将防反射膜层及涂布于其上层的抗蚀剂层这两层剥离，进而还能够将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离。用于解决问题的方案本专利技术是半导体表面用处理剂组合物的专利技术，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式全文摘要本专利技术的目的在于提供一种半导体表面用处理剂组合物以及以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法，所述半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层、抗蚀剂层和抗蚀剂固化层剥离。本专利技术是关于半导体表面用处理剂组合物的专利技术，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物；并且本专利技术是关于半导体表面的处理方法的专利技术，其特征在于，该方法使用该组合物。式中，R1表示碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基，R2表示氢原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基。文档编号H01L21/306GK102484057SQ20108003822公开日2012年5月30日 申请日期2010年9月1日 优先权日2009年9月2日专利技术者木村卓博, 水田浩德 申请人:和光纯药工业株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：水田浩德，木村卓博，
申请(专利权)人：和光纯药工业株式会社，
类型：发明
国别省市：