一种晶体生长炉的保温罩结构制造技术

本实用新型专利技术涉及晶体生长领域，尤其涉及一种晶体生长炉的保温罩结构。本实用新型专利技术公开了一种晶体生长炉的保温罩结构，包括外保温层、内保温层和上保温层，所述内保温层由多个圆环型保温层上下叠加嵌合于一底板上，顶部再叠盖一保温盖。本实用新型专利技术采用多层高纯度刚玉陶瓷圆环上下叠加嵌合成内保温层，可以防止生长炉内上下温度梯度大时刚玉开裂，产生粉屑，影响晶体纯度；同时刚玉纯度的提高也降低了对所生长晶体产生污染的风险。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体生长领域，尤其涉及一种晶体生长炉的保温罩结构。
技术介绍
晶体作为固体激光器的核心元件，其光学均勻性决定固体激光器品质的优劣。目前高温晶体生长炉中多采用普通刚玉陶瓷等作为保温层，其材质较疏松，且含有较多杂质， 高温下容易开裂并产生粉屑，影响晶体的纯度，对晶体生长很不利。
技术实现思路
为克服上述问题，本技术提出一种晶体生长炉的保温罩结构，采用多层高纯度刚玉陶瓷圆环上下叠加嵌合成内保温层，可以防止生长炉内上下温度梯度大时刚玉开 m农。为达到上述目的，本技术所提出的技术方案为一种晶体生长炉的保温罩结构，包括外保温层、内保温层和上保温层，所述内保温层由多个圆环型保温层上下叠加嵌合于一底板上，顶部再叠盖一保温盖。进一步的，所述圆环型保温层为高纯度刚玉陶瓷圆环，其上端有一与上环嵌合的圆台，下端有一与下环嵌合的凹环。进一步的，所述底板为一有缺口的刚玉陶瓷圆环，其上端有一与圆环型保温层嵌合的圆台，其内部放置一坩埚，所述缺口为观察口。进一步的，所述保温盖为一刚玉陶瓷圆环，其下端有一与圆环型保温层嵌合的凹环，其中心孔穿插一晶杆。本技术的有益效果本技术的一种晶体生长炉的保温罩结构，采用多层高纯度刚玉陶瓷圆环上下叠加嵌合成内保温层，可以防止生长炉内上下温度梯度大时刚玉开裂，产生粉屑，影响晶体纯度；同时刚玉纯度的提高也降低了对所生长晶体产生污染的风险。附图说明图1为本技术的保温罩结构示意图；图2为本技术的圆环型保温层结构示意图；图3为本技术的底板结构示意图。标号说明1外保温层；2内保温层；201圆台；202凹环；3上保温层；4底板；401 圆台；402观察口 ；5保温盖。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式，对本技术做进一步说明。如图1-3所示为本技术的一种晶体生长炉的保温罩结构，包括外保温层1、内保温层2和上保温层3，该内保温层2由多个圆环型保温层上下叠加嵌合于一底板4上，顶部再叠盖一保温盖5。其中，圆环型保温层为高纯度刚玉陶瓷圆环，其上端有一与上环嵌合的圆台201，下端有一与下环嵌合的凹环202。底板4为一有缺口的高纯度刚玉陶瓷圆环，其上端有一与圆环型保温层嵌合的圆台401，其内部放置一坩埚，所述缺口为观察口 402。保温盖5为一刚玉陶瓷圆环，其下端有一与圆环型保温层嵌合的凹环，其中心孔穿插一晶杆。 底板4、圆环型保温层和保温盖5通过圆台201，401及凹环202上下叠加嵌合在一起，如此晶体生长炉保温罩的内保温层结构可以紧密叠加在一起，起到很好的保温作用。而且采用多层高纯度刚玉陶瓷圆环上下叠加，可以防止生长炉内上下温度梯度大时刚玉开裂；同时提高刚玉纯度，也降低了对所生长晶体产生污染的风险。 尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上对本技术做出的各种变化，均为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉的保温罩结构，包括外保温层、内保温层和上保温层，其特征在于 所述内保温层由多个圆环型保温层上下叠加嵌合于一底板上，顶部再叠盖一保温盖。2.如权利要求1所述的一种晶体生长炉的保温罩结构，其特征在于所述圆环型保温层为高纯度刚玉陶瓷圆环，其上端有一与上环嵌合的圆台，下端有一与下环嵌合的凹环。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，卢秀爱，陈燕平，陈卫民，
申请(专利权)人：福州高意光学有限公司，
类型：实用新型
国别省市：