一种GaAs衬底的AlGaInP发光二极管的制备方法：在半切以前，都按正常的工艺流程制作，包括制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，半切时，将芯片正面与粘片机的蓝膜相接触，上片到切割机上，以牺牲了边缘不良品而得到的四条平边为基准线，按照不同芯片的规格尺寸做透切。通过使用背面透切的切割方式，能够减少正表面发光面积的损失，增加发光二极管的出光效率；可以减少背崩，增加发光二极管的良率；可以提高透切时的切割速度，并减少了测试不良品的时间，有效减少工作时间、提高了生产效率；还可以减少测试时对不良品的点墨，同时减少2-3次翻转所需要的费用，有效降低了成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件
，涉及AWaInP发光二极管的制备方法。
技术介绍
固态照明技术是在二十一世纪具有产业革命意义的重大技术，在世界范围内，从政府到企业都引起了很大的关注，固态照明技术的主要内容是半导体发光二极管器件在照明产业中的应用。超高亮度LED可以覆盖整个可见光谱范围，AKialnP发光二极管在黄绿、 橙色、橙红色、红色波段性能优越，在RGB白光光源、全色显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域具有广阔的应用前景。提高发光二极管的发光效率一直是技术追求的目标，通过提高外延材料的质量， 通过布拉格反射体减少砷化镓衬底对光的吸收、表面粗化、厚的电流扩展层以及在电极下方设置不导电的电流阻挡层等，这些对提高发光二极管的出光效率都有很好的效果。但是，对GaAs衬底的AKialnP发光二极管，可以同时具有提高出光效率、提高良率、节省成本的方法，很少有人提及，影响良率的问题主要表现在，透切时背崩严重，即使降低刀速也避免不了，并且很难控制。鉴于此，有必要提供一种切割方法能够有效的减少背崩问题，提高出光效率，节省成本。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术提供了一种GaAs衬底AKialnP发光二极管的制备方法采用接触划片式的透切方式，从芯片的背面做透切，有效提高切割速度的同时，减少正表面损失，减少了背崩。本专利技术的技术方案为在进行半切之前按照正常的工艺流程进行制作电极、研磨、 背镀、金属融合步骤，半切时步骤如下(1)将芯片的背面黏附在粘片机上，粘片的温度为常温，然后上片至接触划片式切割机上；(2)正面透切掉上、下、左、右四边的不良品，得到了为背面透切做准备的基准线， 透切的条件为切透蓝膜至少IOum ；(3)按照正常工艺做正面半切，正面半切的深度为40_80um ；(4)下片以及测试；(5)将芯片的正面黏附在粘片机上，粘片温度为55°C，然后上片至接触划片的切割机上；(6)以上、下两条水平边为基准线，按厚度190um的芯片计算，透切的深度为 140-180um ；(7)水平方向全部透切完成后，将芯片旋转90°C，再以左、右两条平边为基准线， 完成垂直方向的全部透切。其中，步骤O)中所述正面透切时，切透蓝膜的厚度优选为20_30um ；步骤(3)中正面半切的深度优选为40um ；步骤(6)中切入的深度值优选为比整个芯片厚度少至少IOum ；步骤(6)和(7)中所述透切的刀速为40mm/s。本专利技术采用背面透切方法，能够减少正表面的发光面积的损失，增加发光二极管的出光效率，亮度可提升3% -7% ；本专利技术采用背面透切的方法，切割速度从原来的30mm/s 提升到40mm/s，提高了 30%的生产效率；可以减少2 3次翻转所需要的费用，有效降低了成本。本专利技术透切掉上、下、左、右四边的不良品，一方面可以得到背面透切时需要的基准线，一方面减少了不良品的测试时间，同时减少了不良品点墨的成本。附图说明图1 背切时基准线的选取示意2 透切前的侧视图其中001为透切时的基准线，002为发光二极管芯片，003为边缘的不良品，004为 P面电极，005为电流扩展层，006为发光层，007为反射镜，008为正面半切切痕，009为背面透切切痕，010为GaAs衬底，011为N面电极。具体实施例方式实施例1本专利技术的技术方案为在半切以前均按照正常的工艺流程制作，其余按照如下步骤完成(1)将芯片的背面黏附在粘片机上，粘片的温度为常温，然后上片至接触划片式切割机上；(2)正面透切掉上、下、左、右四边的不良品，得到了为背面透切做准备的基准线， 透切的条件为切透蓝膜20-30um ；(3)按照正常工艺做正面半切，正面半切的深度为SOum ；(4):下片以及测试；(5)将芯片的正面黏附在粘片机上，粘片温度为55°C，然后上片至接触划片的切割机上；(6):以上、下两条水平边为基准线，按厚度190um的芯片计算，透切的深度为 140um ；(7)水平方向全部透切完成后，将芯片旋转90°C，再以左右两条平边为基准线， 完成垂直方向的全部透切。其中，步骤(6)和(7)中所述透切的刀速为40mm/s。本实施例参数及结果如下表所示；权利要求1.一种GaAs衬底AlfeInP发光二极管的制备方法，在进行半切之前按照正常的工艺流程进行制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，其特征在于，半切时步骤如下(1)将芯片的背面黏附在粘片机上，粘片的温度为常温，然后上片至接触划片式切割机上；(2)正面透切掉上、下、左、右四边的不良品，得到了为背面透切做准备的基准线，透切的条件为切透蓝膜至少IOum ；(3)按照正常工艺做正面半切，正面半切的深度为40-80um；(4)下片以及测试；(5)将芯片的正面黏附在粘片机上，粘片温度为55°C，然后上片至接触划片的切割机上；(6)以上、下两条水平边为基准线，切入的深度值比整个芯片厚度少至少IOum;(7)水平方向全部透切完成后，将芯片旋转90°C，再以左、右两条平边为基准线，完成垂直方向的全部透切。2.根据权利要求1所述的GaAs衬底AlfeInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述正面透切为切透蓝膜20-30um。3.根据权利要求1所述的GaAs衬底AlfeInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(3)中正面半切的深度为40um。4.根据权利要求1所述的GaAs衬底AlfeInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤 (6)中按厚度190um的芯片计算，透切的深度为140-180um。5.根据权利要求1-4任意一项所述的GaAs衬底AlfeInP发光二极管的制备方法，其特征在于步骤(6)和(7)中所述透切的刀速为40mm/s。全文摘要一种GaAs衬底的AlGaInP发光二极管的制备方法在半切以前，都按正常的工艺流程制作，包括制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，半切时，将芯片正面与粘片机的蓝膜相接触，上片到切割机上，以牺牲了边缘不良品而得到的四条平边为基准线，按照不同芯片的规格尺寸做透切。通过使用背面透切的切割方式，能够减少正表面发光面积的损失，增加发光二极管的出光效率；可以减少背崩，增加发光二极管的良率；可以提高透切时的切割速度，并减少了测试不良品的时间，有效减少工作时间、提高了生产效率；还可以减少测试时对不良品的点墨，同时减少2-3次翻转所需要的费用，有效降低了成本。文档编号B28D5/00GK102468382SQ20101056329公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月15日 优先权日2010年11月15日专利技术者林晓文, 武胜利, 肖志国, 高百卉 申请人:大连美明外延片科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖志国，林晓文，高百卉，武胜利，
申请(专利权)人：大连美明外延片科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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