一种提高电流扩展效应的LED制作方法技术

本发明专利技术涉及一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特点是：步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成用于发光的有源区；步骤②，在所述的有源区外表面生成用于作为电极的P型结构层或N型结构层；步骤③，进行选择性掺杂，在所述的P型结构层或N型结构层加入掺杂离子。由此，改变PN结的P型区或N型区域的参杂浓度分布，提高电流扩展均匀性。由此，可以控制电流的流向，从而改变电流扩展性能，提升LED的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED制作方法，尤其涉及一种提高电流扩展效应的LED制作方法。
技术介绍
这些年来，随着半导体照明的不断深入发展，LED以其高电光转换效率和绿色环保的优势受到越来越广泛的关注。半导体照明产品中的核心组成部分——LED芯片，其研究与生产技术有了飞速的发展，芯片亮度和可靠性不断提高。在LED芯片的研发和生产过程中，器件外量子效率的提高一直是核心内容，因此，光提取效率的提高显得至关重要。在LED器件中，电流从电极注入，发光的有源区电流集中在上电极下面。由于LED 器件纵向很薄，光基本只能从上表面出射，而金属电极是不透明的，这使得有源区所发的光大部分被上电极遮挡而无法透射出来。因此，在器件设计时，希望改变器件中电流的传输方向，将电流尽量分布到电极周围，再注入有源区发光，从而使发出的光能够被提取出来，充分利用注入电流。为达到改善电流传输的目的，需要在LED电极下方制作电流扩展层，目的是使电流分散到电极之外。这要求外延片表面的有一层电导率高而且透明的材料。通常用透明导电的氧化铟锡薄膜做电流扩展层，用电子束蒸镀的方法做在芯片上表面，收到了很好的电流扩展效果，而且并未带来过多的附加压降，成为电流扩展方面常用的技术。但是，即使如此，电流更容易沿垂直方向流动，从而导致电流扩展不均勻。为了阻挡电极下的电流，通常有两个做法1。在电极下插入介质材料，比如Si02，SiN等；2。破坏电极下发的欧姆接触。但是这两种做法都有工艺复杂，电极的可靠性不好等缺点。因此，如何在不增加器件制作成本、工艺复杂性的前提下有效提高电流扩展的均勻性，已成为业界亟待解决的技术问题。专利
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种提高电流扩展效应的LED制作方法。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其包括以下步骤 步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成用于发光的有源区； 步骤②，在所述的有源区外表面生成用于作为电极的P型结构层或N型结构层； 步骤③，进行选择性掺杂，在所述的P型结构层或N型结构层的外表面加入掺杂离子。上述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其中所述的选择性掺杂为，在PN 结的P型区域中加入P型掺杂离子，形成不均勻电阻区域。进一步地，上述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其中所述的选择性掺杂为，在PN结的N型区域中加入P型掺杂离子，形成PN结区。更进一步地，上述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其中所述的选择性掺杂为，在PN结的P型区域中，加入N型掺杂离子，形成PN结区。再进一步地，上述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其中所述的选择性掺杂为，在PN结的N型区域中，加入N型掺杂离子，形成不均勻电阻区域。再进一步地，所述的有源区为多层量子阱沉积。再进一步地，所述的选择性掺杂通过掩膜方法实现。再进一步地，所述的掩膜为软掩膜或硬掩膜。再进一步地，所述的软掩膜为光阻掩膜、所述的硬掩膜为Si02掩膜或SiN掩膜。再进一步地，所述的选择性掺杂方法为离子注入或热扩散。本专利技术技术方案的优点主要体现在通过在沉积电流扩展层之前，改变PN结的P 型区或/和N型区域的参杂浓度分布，提高电流扩展均勻性。由此，可以控制电流的流向， 从而改变电流扩展性能，提升LED的品质。附图说明本专利技术的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本专利技术技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本专利技术要求保护的范围之内。这些附图当中，图1是本专利技术实施例一的实施示意图； 图2是本专利技术实施例二的实施示意图。图中各附图标记的含义如下_权利要求1.一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于包括以下步骤步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成用于发光的有源区；步骤②，在所述的有源区外表面生成用于作为电极的P型结构层或N型结构层；步骤③，进行选择性掺杂，在所述的P型结构层或N型结构层的外表面加入掺杂离子。2.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的选择性掺杂为，在PN结的P型区域中加入P型掺杂离子，形成不均勻电阻区域。3.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的选择性掺杂为，在PN结的N型区域中加入P型掺杂离子，形成PN结区。4.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的选择性掺杂为，在PN结的P型区域中，加入N型掺杂离子，形成PN结区。5.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的选择性掺杂为，在PN结的N型区域中，加入N型掺杂离子，形成不均勻电阻区域。6.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的有源区为多层量子阱沉积。7.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的选择性掺杂通过掩膜方法实现。8.根据权利要求7所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的掩膜为软掩膜或硬掩膜。9.根据权利要求8所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的软掩膜为光阻掩膜，所述的硬掩膜为Si02掩膜或SiN掩膜。10.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于所述的选择性掺杂方法为离子注入或热扩散。全文摘要本专利技术涉及一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特点是步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成用于发光的有源区；步骤②，在所述的有源区外表面生成用于作为电极的P型结构层或N型结构层；步骤③，进行选择性掺杂，在所述的P型结构层或N型结构层加入掺杂离子。由此，改变PN结的P型区或N型区域的参杂浓度分布，提高电流扩展均匀性。由此，可以控制电流的流向，从而改变电流扩展性能，提升LED的可靠性。文档编号H01L33/00GK102468377SQ201010554509公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日专利技术者孙智江 申请人:孙智江本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙智江，
申请(专利权)人：孙智江，
类型：发明
国别省市：