含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及有机半导体材料技术领域，提供一种含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料，其为结构式I-III表示的任意一种的化合物，式中，A1、A2、A3为相同或者不相同的取代的官能团，选自氢原子和吸电子基团中的任意一种，R为C1-C12的烷基。本发明专利技术还提供该含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料的制备方法和应用。上述蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料具有良好的空穴和电子传输性能、良好的溶解性以及高的发光效率，在光电领域有着巨大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机半导体材料
，具体涉及一种含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料及其制备方法和应用。
技术介绍
随着信息时代的发展，具有高效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(Organic Light Emitting Diodes OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。OLED技术被全球的科学家关注，相关的企业和实验室都在进行这项技术的研发。作为一种新型的LED 技术，具有主动发光、轻、薄、对比度好、能耗低等特点的有机电致发光器件对材料提出了较高的要求。1987年，美国festman Kodak公司的Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。由于蓝光能量最高，只要有较好的材料就可以通过多种方法得到绿光与红光。所以，如果实现全色显示及照明等应用目的，三基色中蓝光材料尤其重要。蒽单晶是最早使用的蓝色有机电致发光材料，但由于其易结晶而使器件不稳定。由于蓝光的能量高， 能隙宽，效率和稳定性没有绿光和红光材料好，同时材料的载流子传输性能也不是很好，因此提高蓝光的发光性能对实现有机电致发光全色显示及固体发光具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料及其制备方法和应用，旨在解决现有技术中有机光电器件中蓝光的能量高，能隙宽，效率低和稳定性欠佳，以及载流子传输性能差的技术问题。本专利技术的实施例是这样实现的，一种含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料，其为如下结构式(I)-(III)中任意一种表示的化合物权利要求1.一种含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料，其为如下结构式I-III中任意一种表示的化合物2.如权利要求1所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料，其特征在于，所述吸电子基团为氟原子、氰基、醛基、硝基和羧基中的至少一种。3.如权利要求1所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料，其特征在于，所述ApA2 和A3中至少有一个为吸电子基团。4.如权利要求1所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料，其特征在于，所述R为C2~C8的焼基。5. 一种含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料的制备方法，其包括如下步骤 选取如下结构式表示的化合物A、B、C、D，6.如权利要求5所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机金属催化剂为有机钯金属催化剂体系。7.如权利要求6所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述Suzuiki反应的温度为60V 130°C。8.如权利要求6所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚、苯、氯苯和甲苯中的至少一种。9.如权利要求5所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述化合物I、化合物II或化合物III的吸电子基团为氟原子、氰基、醛基、硝基和羧基中的至少一种。10.如权利要求1-4任一项所述的含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料在有机光电材料、有机太阳能电池器件、有机场效应晶体管器件、有机电致发光器件、有机光存储器件或有机激光器件中的应用。全文摘要本专利技术涉及有机半导体材料
，提供一种含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料，其为结构式I-III表示的任意一种的化合物，式中，A1、A2、A3为相同或者不相同的取代的官能团，选自氢原子和吸电子基团中的任意一种，R为C1-C12的烷基。本专利技术还提供该含蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料的制备方法和应用。上述蒽、噻吩、三聚茚的有机半导体材料具有良好的空穴和电子传输性能、良好的溶解性以及高的发光效率，在光电领域有着巨大的应用前景。文档编号H01L51/00GK102464650SQ20101054779公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月17日 优先权日2010年11月17日专利技术者周明杰, 张振华, 梁禄生, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，梁禄生，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：