光电转换模块制造技术

抑制光电转换模块的背面电极的剥落。在基板(20)上设置：依次层叠透明导电层(22)、光电转换单元(24)和背面电极(26)而形成的光电转换元件；和用于对由光电转换元件生成的电流进行集电的第一集电电极(28)。此时，第一集电电极(28)形成为骑跨背面电极(26)和面板端部的除去区域A的透明导电层(22)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光电转换模块。
技术介绍
已知有使用多晶、微晶或者非晶硅的光电转换模块。特别是，具有层叠有微晶或者非晶硅的薄膜的结构的光电转换模块，从资源消耗的观点、成本的降低的观点和效率的观点而被关注。图7表示光电转换模块100的基本结构的截面示意图。光电转换模块100，一般具有在玻璃等的透明基板10上层叠有透明电极12、光电转换单元14和背面电极16的结构， 并且通过使光从透明基板10入射而产生电力。在这样的光电转换模块中，光电转换元件串列、并列地集成，并且用于从这些元件进行集电的集电电极18形成于光电转换模块100的面板端部的元件的背面电极16上。另外，公开有为了提高集电电极18等所使用的软钎焊材料的强度，调整浸沾软钎焊引线(solder dip lead)的高度的技术(例如参照专利文献 1)。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2007-273908号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，背面电极16和光电转换单元14的界面的接合力较弱，在背面电极16上形成有集电电极18的情况下，具有背面电极16与集电电极18 —起剥落的问题。其结果是， 可能导致光电转换模块100的破损，或导致光电转换効率的降低。用于解决课题的方法本专利技术的一个方式是光电转换模块，在基板上，具有依次层叠透明导电层、发电层和背面电极而形成的光电转换元件；和用于对由光电转换元件生成的电流进行集电的集电电极，集电电极形成为骑跨透明导电层与基板中的至少一个和背面电极。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制光电转换模块的背面电极的剥落。 附图说明图1是表示本专利技术的实施方式中的光电转换模块的结构的俯视图。图2是表示本专利技术的实施方式中的光电转换模块的结构的截面图。图3是表示本专利技术的实施方式中的光电转换模块的结构的截面图。图4是表示本专利技术的实施方式中的光电转换模块的结构的截面图。图5是表示本专利技术的实施方式中的光电转换模块的结构的另外例子的截面图。图6是表示本专利技术的实施方式中的光电转换模块的结构的另外例子的截面图。图7是表示现有的光电转换模块的结构的截面图。具体实施例方式如图1的俯视图和图2、图3、图4的截面图所示，本实施方式中的光电转换模块 200构成为包含基板20、透明导电层22、光电转换单元M、背面电极沈、第一集电电极观和第二集电电极30。其中，图2是沿图1的线X-X的截面图。图3是沿图1的线Y-Y的截面图。图4是沿图1的线Z-Z的截面图。基板20是具有使在光电转换单元对被利用于光电转换的波长的光透过的光学特性的透明基板。基板20例如使用玻璃、塑料等。透明导电层22能够使用在氧化锡(SnO2)、 氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)等掺杂有锡(Sn)、锑(Sb)、氟(F)、铝(Al)等的透明导电性氧化物(TCO)。在透明导电层22形成有狭缝Sl以串列地连接光电转换元件。狭缝Sl能够通过激光加工形成。激光加工优选使用波长1064nm的YAG激光。调整从激光装置射出的激光束的功率而从透明导电层22侧照射，并连续在狭缝Sl的方向上扫描，由此能够形成狭缝Si。 而且，用于形成狭缝Sl的激光也可以从基板20侧照射。另外，如图1所示，在透明导电层22形成有狭缝S2以并联地连接光电转换元件。 狭缝S2能够通过激光加工形成。激光加工优选使用波长1064nm的YAG激光。调整从激光装置射出的激光束的功率而从透明导电层22侧照射，并连续在狭缝S2的方向上扫描，由此能够形成狭缝S2。而且，用于形成狭缝S2的激光也可以从基板20侧照射。光电转换单元M接受透过了基板20和透明导电层22的光，来进行光电转换。光电转换单元M由PN结或者PIN结的半导体层构成。光电转换单元M并未被特别限定，但例如列举有非晶硅(a-Si)光电转换单元、微晶(μ c-Si)光电转换单元或者它们的串列结构。光电转换单元M能够使用等离子体CVD等形成。在光电转换单元M形成狭缝S3以串列地连接光电转换元件。狭缝S3在狭缝Sl 的附近与狭缝Sl不重合的位置沿狭缝Sl的方向形成至透明导电层22的表面。狭缝S3能够通过激光处理形成。激光处理优选使用波长532nm的YAG激光O倍高次谐波)。调整激光束的功率而从基板20侧照射，并在狭缝S3的方向上扫描，由此能够形成狭缝S3。在光电转换模块200的背面侧设置有背面电极沈，用于从光电转换单元M输出电力。背面电极26形成为覆盖光电转换单元M和狭缝S3。背面电极沈优选为反射性金属。另外，也优选为反射性金属和透明导电性氧化物(TCO)的层叠结构。作为反射性金属能够使用银(Ag)、铝(Al)等。另外，作为透明导电性氧化物(TCO)能够使用氧化锡(SnO2)、 氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)等。在背面电极沈形成狭缝S4以串列地连接光电转换元件。狭缝S4在狭缝S3的附近与狭缝Sl和S3不重合的位置沿狭缝Si、S3的方向以分割光电转换单元M和背面电极 26的方式形成至透明导电层22的表面。狭缝S4通过激光处理形成。激光处理优选使用波长532nm的YAG激光O倍高次谐波)。调整激光束的功率而从基板20侧照射，并且在狭缝 S4的方向上扫描，由此能够形成狭缝S4。另外，如图1所示，在背面电极沈形成狭缝S5以并列地连接光电转换元件。狭缝4S5与狭缝S2重合地沿狭缝S2形成。狭缝S5以分割在狭缝S2内形成的光电转换单元M 和背面电极26的方式形成至基板20的表面。狭缝S5通过激光处理形成。激光处理优选使用波长532nm的YAG激光O倍高次谐波)。调整激光束的功率而从基板20侧照射，并且在狭缝S5的方向上扫描，由此能够形成狭缝S5。另外，沿狭缝S1、S3、S4的方向，按照除去光电转换模块200的面板端部的光电转换单元M和背面电极沈而残留透明导电层22的方式形成除去区域A。除去区域A能够通过激光处理形成。激光处理优选使用波长532nm的YAG激光O倍高次谐波)。调整激光束的功率而从基板20侧照射，并且在面板边缘的方向扫描，由此能够形成除去区域A。第一集电电极观形成为用于对通过狭缝S2、S5被并列分割的光电转换元件的出力电力进行集电。因而，第一集电电极观形成为骑跨狭缝S2、S5使得并列地连接光电转换模块200的面板端部的背面电极26。此时，第一集电电极观形成为从背面电极沈骑跨除去区域A。即，第一集电电极观从背面电极沈的表面经由背面电极沈和光电转换单元M 的侧面形成至透明导电层22的表面。此时，第一集电电极观也可以形成为未到达狭缝Si、 S3、S4(特别是狭缝S4)的程度。第一集电电极观也可以被构成为含有在集电上有充分的导电性的材料。第一集电电极观能够为例如在表面或内部混入有导电性物质的导电性带、线状的软钎焊、通过网板印刷等涂布有银糊的物质等。这样，通过从背面电极沈骑跨除去区域A地形成第一集电电极28，能够抑制背面电极26从与光电转换单元M的界面剥落。这被认为是由于除去区域A的透明导电层22 和第一集电电极观的界面的粘合性良好，所以能抑制背面电极26被第一集电电极观从光电转换单元M剥下。特别是，优选使透明导电层22的面积形成为比背面电极沈上的面积大。由此，能够使剥落的抑制效果更强。另外，优选按照还覆盖除去区域A中的透明导电层 22的端部的方式形成第一集电电极观。由此，能通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳浦聪生，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：