梁膜结合传感器结构，包括底部的支撑梁，支撑梁上部为压敏电阻层，压敏电阻层的表层为钝化膜，所述支撑梁截面呈正立的直角梯形，并在支撑梁的上部设置有一个与压敏电阻层和钝化膜等高的保护条，保护条用于限制压敏电阻层以及压敏电阻层表面的钝化膜进行侧向移动，并且可以对压敏电阻层的侧面进行保护，而支撑梁的截面呈正立的直角梯形，即直角梯形的宽边位于下部，直角梯形的窄边位于上部，这样可以使上部窄边所受到的压力进行扇面状的分散，可以降低对底部支撑壳体的应力要求。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种压力传感器结构，具体的说是钝化膜与支撑梁相结合的传感器结构。
技术介绍
MEMS压力传感器中最重要的部分是感受压力的压敏电阻，常用的结构式采用四个压敏电阻组成惠斯通桥。所以常用的压力传感器结构都会涉及一层压敏电阻层。在使用的过程中由于需要对压敏电阻层进行保护，而同时需要在感受压力之后将压力承受起来，于是就需要有支撑梁，常用的支撑梁都是倒梯形结构，由梯形的窄边进行支撑感受到的压力， 而宽边不需要承受压力，为了保证足够的支撑强度，需要将梯形的窄边设计的足够宽，这样就造成一定程度的材料浪费，而常用的压力传感器结构采用的都是层状结构，即外部的钝化膜、压敏电阻、支撑梁结构都是具有独立的分层的，相互之间不交叉，所以也就不能起到相应的限制作用，于是目前所使用的压力传感器都必须是整体成型的，如果采用分体成型的结构，则需要设计其他的保护、限制等结构。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种梁膜结合传感器结构，解决现有技术采用的整体式的支撑梁呈倒梯形，其应力承受范围相对较小，应力分布不均，易于产生应力集中的问题。本技术的目的是通过以下技术方案来实现梁膜结合传感器结构，包括底部的支撑梁，支撑梁上部为压敏电阻层，压敏电阻层的表层为钝化膜，所述支撑梁截面呈正立的直角梯形，并在支撑梁的上部设置有一个与压敏电阻层和钝化膜等高的保护条，所述保护条与所述支撑梁一体成型，保护条用于限制压敏电阻层以及压敏电阻层表面的钝化膜进行侧向移动，并且可以对压敏电阻层的侧面进行保护，而支撑梁的截面呈正立的直角梯形，即直角梯形的宽边位于下部，直角梯形的窄边位于上部，这样可以使上部窄边所受到的压力进行扇面状的分散，可以降低对底部支撑壳体的应力要求。事实上，不管是采用正立的梯形还是倒立的梯形结构，与压敏电阻层接触的部分所受到的压力不会减小，即两种设置方式中梯形的顶部承受的压力是相同的，不同之处仅在于底部所承受的压力变化，通过本技术的结构改进，可以降低底部支撑壳体的应力承受能力，提高稳定性。附图说明下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明。图1是本技术实施例所述的梁膜结合传感器结构的结构图。具体实施方式如图1所示，本技术所述的梁膜结合传感器结构，包括底部的支撑梁1，支撑梁1上部为压敏电阻层2，压敏电阻层2的表层为钝化膜3，所述支撑梁1截面呈正立的直角梯形，并在支撑梁1的上部设置有一个与压敏电阻层2和钝化膜3等高的保护条4，所述保护条4与所述支撑梁1 一体成型，保护条4用于限制压敏电阻层2以及压敏电阻层2表面的钝化膜3进行侧向移动，并且可以对压敏电阻层2的侧面进行保护，而支撑梁1的截面呈正立的直角梯形，即直角梯形的宽边位于下部，直角梯形的窄边位于上部，这样可以使上部窄边所受到的压力进行扇面状的分散，可以降低对底部支撑壳体的应力要求。事实上，不管是采用正立的梯形还是倒立的梯形结构，与压敏电阻层2接触的部分所受到的压力不会减小，即两种设置方式中梯形的顶部承受的压力是相同的，不同之处仅在于底部所承受的压力变化，通过本技术的结构改进，可以降低底部支撑壳体的应力承受能力，提高稳定性。保护条4与所述支撑梁1 一体成型，这样可以进一步提高支撑梁1对上部压敏电阻层 2的保护作用，提高压力传感器整体的稳定性。权利要求1.梁膜结合传感器结构，包括底部的支撑梁，支撑梁上部为压敏电阻层，压敏电阻层的表层为钝化膜，其特征在于，所述支撑梁截面呈正立的直角梯形，并在支撑梁的上部设置有一个与压敏电阻层和钝化膜等高的保护条，所述保护条与所述支撑梁一体成型。专利摘要梁膜结合传感器结构，包括底部的支撑梁，支撑梁上部为压敏电阻层，压敏电阻层的表层为钝化膜，所述支撑梁截面呈正立的直角梯形，并在支撑梁的上部设置有一个与压敏电阻层和钝化膜等高的保护条，保护条用于限制压敏电阻层以及压敏电阻层表面的钝化膜进行侧向移动，并且可以对压敏电阻层的侧面进行保护，而支撑梁的截面呈正立的直角梯形，即直角梯形的宽边位于下部，直角梯形的窄边位于上部，这样可以使上部窄边所受到的压力进行扇面状的分散，可以降低对底部支撑壳体的应力要求。文档编号G01L1/20GK202229864SQ20112032187公开日2012年5月23日 申请日期2011年8月31日 优先权日2011年8月31日专利技术者乔康, 戴兆喜, 程绍龙, 范传东, 韩民俊 申请人:江苏奥力威传感高科股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴兆喜，韩民俊，乔康，程绍龙，范传东，
申请(专利权)人：江苏奥力威传感高科股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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