一种数据驱动电路及其显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种采用氧化物薄膜晶体管实现的数据驱动电路及显示装置，数据驱动电路包括：移位寄存器，用于接收移位同步信号并产生数据采样信号；采样锁存器，用于在移位寄存器产生的数据采样信号的控制下，接收串行输入的数字信号，将所述串行输入的数字信号转换成并行数字信号并进行存储；自举锁存器用于在锁存使能信号的控制下，根据自举效应将并行数字信号转换为与串行输入的数字信号相对应的数字信号；数字-模拟信号转换器，用于接收自举锁存器输出的数字信号并将其转换为模拟信号。本发明专利技术的锁存器电路没有用到反相器，高电平以及低电平均能够达到满幅度；并且单元电路中器件数量少，电路简单，节省版图面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示装置，特别涉及一种数据驱动电路及采用该电路的显示装置。
技术介绍
TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)技术是现在平板显示技术的主流。平板显示技术的主要市场包括可移动显示(如手机、移动DVD、PSP等)、笔记本/监视器显示、电视显示等。在这些显示器件的设计中，优化显示效果、减少显示设备的成本、降低显示设备功耗是最主要的目标。全集成TFT面板设计是一种控制成本和降低功耗的重要技术， 近年来受到密切地关注。所谓全集成TFT面板设计，主要是在显示面板的基底材料上集成栅极驱动电路、数据驱动电路以及其他外围电路的设计。采用全集成TFT面板设计后，外围驱动芯片的数量及其压封工序得以减少，从而TFT面板的成本得以降低。此外，质量轻、厚度薄且外观对称的窄边框面板得以实现，液晶模组更为紧凑，且显示器的机械和电学可靠性增强。平板显示中应用较多的TFT技术包括有非晶硅(a-Si)、多晶硅(p_Si)以及氧化物TFT技术。非晶硅TFT的优势是均勻性好、成本低廉、工艺成熟；但是非晶硅TFT的迁移率较低，不适用于对速度要求较高的电路设计(例如数据驱动电路)。多晶硅TFT的迁移率能够满足电路设计的要求，但是其均勻性较差、工艺复杂、成本高昂。而氧化物TFT技术不仅迁移率高、性能稳定、均勻性好，而且工艺简单、成本低廉。氧化物TFT技术有望用于超高分辨率、3D显示、大屏幕显示以及以OLED为代表的新型显示等场合，从而突破传统硅基TFT 技术的发展限制。因此，氧化物TFT技术成为研究的热点，其被认为是下一代的TFT技术。氧化物TFT技术使得高性能的全集成TFT面板的实现成为可能。数据驱动电路是全集成TFT面板设计技术中较困难的部分。集成氧化物TFT数据驱动电路设计的挑战来自于(1)现行的氧化物TFT —般为N型器件，难于实现P型TFT ； (2)氧化物TFT的迁移率较之单晶硅的迁移率小2个甚至以上数量级；(3)氧化物TFT在长时间工作后可能发生器件性能的退化。因此，基于单晶硅CMOS技术发展起来的数据驱动电路设计方案并不能直接地用于氧化物TFT的数据驱动电路设计中。综上所述，集成氧化物TFT数据驱动电路的设计是一个具备较高应用价值、亟待解决的难题。
技术实现思路
本专利技术要解决的主要技术问题是，提供一种采用氧化物薄膜晶体管实现的数据驱动电路及显示装置。根据本专利技术的一个方面，提供一种数据驱动电路，包括移位寄存器，用于接收移位同步信号，并产生数据采样信号；采样锁存器，用于在移位寄存器产生的数据采样信号的控制下，接收串行输入的数字信号，将所述串行输入的数字信号转换成并行数字信号并进行存储；自举锁存器用于在锁存使能信号的控制下，根据自举效应将所述采样锁存器中存储的并行数字信号调整为与所述串行输入的数字信号振幅相同的数字信号；数字-模拟信号转换器，用于接收所述自举锁存器输出的数字信号并将其转换为模拟信号。进一步地，所述自举锁存器包括控制模块和自举锁存模块，所述控制模块的第一输入端耦合到所述采样锁存器的输出端，所述控制模块的第二输入端耦合到所述锁存使能信号，所述控制模块的输出端耦合到所述锁存模块的输入端，所述自举锁存模块根据所述控制模块输出的控制信号，当所述串行输入的数字信号为第一电平时，所述自举锁存模块输出与所述串行输入的数字信号振幅相同的第一电平信号；当所述串行输入的数字信号为第二电平时，所述自举锁存模块根据自举效应输出与所述串行输入的数字信号振幅相同的第二电平信号。进一步地，所述锁存使能信号包括同步使能信号、第一使能信号和第二使能信号， 所述同步使能信号比所述第一使能信号超前一个相位，所述第一使能信号和所述第二使能信号存在部分交叠；所述自举锁存模块包括第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管的控制极耦合到所述控制模块的输出端，第一电流导通极耦合到所述第一使能信号，第二电流导通极耦合到所述自举锁存器的输出端；所述第四晶体管的控制极耦合到所述同步使能信号，第一电流导通极耦合到所述自举锁存器的输出端以及所述第三晶体管的第二电流导通极，第二电流导通极耦合到第一电压源。一种实施例中，所述控制模块包括第二晶体管和第五晶体管；所述第二晶体管的控制极耦合到所述同步使能信号，第一电流导通极耦合到所述第五晶体管的第二电流导通极以及所述第三晶体管的控制极，第二电流导通极耦合到所述采样锁存器的输出端；所述第五晶体管的控制极耦合到所述第二使能信号，第一电流导通极耦合到第一电压源。另一种实施例中，所述控制模块包括第二晶体管、第五晶体管、耦合电容、第六晶体管、第七晶体管；所述第二晶体管的控制极耦合到所述同步使能信号，第一电流导通极耦合到所述第五晶体管的第二电流导通极以及所述第三晶体管的控制极，第二电流导通极耦合到所述采样锁存器的输出端；所述第五晶体管的控制极耦合到所述第二使能信号，第一电流导通极耦合到第一电压源；所述耦合电容的一端连接所述第一使能信号，另一端耦合到所述第六晶体管的控制极以及所述第七晶体管的第一电流导通极；所述第六晶体管的第一电流导通极耦合到第一电压源，第二电流导通极耦合到所述第五晶体管的第二电流导通极；所述第七晶体管的控制极耦合到所述第五晶体管的第二电流导通极，第二电流导通极耦合到第一电压源。进一步地，所述采样锁存器包括第一晶体管和存储电容，所述第一晶体管的控制极耦合到所述移位寄存器输出的数据采样信号，第一电流导通极耦合到串行输入的数字信号，第二电流导通极耦合到所述存储电容的一端，所述存储电容的另一端耦合到第一电压源。进一步地，所述移位寄存器包括至少一个移位寄存器单元电路，第一个移位寄存器单元电路的输入端耦合到所述移位同步信号，其余的每个移位寄存器单元电路的输入端耦合到其对应的上一级移位寄存器单元电路的输出端。进一步地，所述移位寄存器单元电路包括正反馈模块和负反馈模块，所述正反馈模块用于接收输入信号，并通过控制端驱动移位寄存器的负载；所述负反馈用于下拉所述正反馈的控制端以及所述移位寄存器单元电路的输出端至第一电压源。优选地，所述正反馈模块包括移位寄存单元第一晶体管、移位寄存单元第二晶体管、自举电容；所述移位寄存单元第一晶体管的控制极与其第二电流导通极均耦合到移位寄存器单元电路的输入端，其第一电流导通极耦合到所述移位寄存单元第二晶体管的控制极；所述移位寄存单元第二晶体管的第一电流导通极耦合到第一时钟信号，第二电流导通极耦合到移位寄存器单元电路的输出端；所述自举电容的一端连接到所述移位寄存单元第二晶体管的控制极，另一端连接到移位寄存器单元电路的输出端；所述负反馈模块包括移位寄存单元第三晶体管、移位寄存单元第四晶体管和移位寄存单元第五晶体管；所述移位寄存单元第三晶体管的控制极耦合到第二时钟信号，第一电流导通极耦合到所述移位寄存单元第二晶体管的控制极，第二电流导通极耦合到第一电压源；所述移位寄存单元第四晶体管的控制极耦合到第三时钟信号，第一电流导通极耦合到所述移位寄存单元第二晶体管的第二电流导通极，第二电流导通极耦合到第一电压源；所述移位寄存单元第五晶体管的控制极耦合到所述第一时钟信号，第一电流导通极耦合到移位寄存器单元电路的输出端， 第二电流导通极耦合到所述移位寄存单元第一晶体管的第一电流导通极。根据本专利技术的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，廖聪维，陈韬，刘晓明，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：