一种发光二极管，包括基座、固定于基座上的引脚、电连接引脚的发光芯片及封装体，封装体包括第一区域及第二区域，第一区域及第二区域中的至少一个掺杂有荧光粉，该荧光粉受激发辐射出的光的波长不同于发光芯片发出的光的波长，第一区域及第二区域的其中之一设置有透光的光调节结构，该光调节结构由电致变色材料制成，电致变色材料在电流的作用下可改变其颜色及透光率中的至少之一者。该发光二极管的控制较为简单，可方便地改变出光颜色。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二极管，特别是指一种发光二极管。
技术介绍
发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之中，大有取代传统光源的趋势。发光二极管是通过采用电流激发其发光芯片的方式进行发光。由于芯片的材料限制，其通常仅能发出单一颜色的光。为获得某些特定的颜色，通常还会在发光二极管内掺杂相应的荧光粉，以通过荧光粉的转换来改变原有光线的颜色。比如，最常见的白光发光二极管就是采用蓝光芯片加黄色荧光粉的方式来获得白光的。为使输出光的颜色更加多样化，有业者设计出一种颜色调节装置。该种颜色调节装置为具有多个设有不同荧光粉区域的轮盘状结构。该轮盘可绕其中心轴旋转，使发光二极管正对于不同的荧光粉区域，从而使最终混光的颜色发生变化。然而，此种颜色调节装置由于需驱动轮盘转动，导致控制较为复杂，成本偏高。
技术实现思路
因此，有必要提供一种颜色可变的发光二极管，其控制较为简单。一种发光二极管，包括基座、固定在基座上的引脚、电连接引脚的发光芯片及封装体，该封装体包括第一区域及第二区域，第一区域内掺杂有第一荧光粉，该第一荧光粉受激发所辐射出的光的波长与发光芯片的光的波长不同，第一区域及第二区域中的其中之一设置有透光的光调节结构，该光调节结构由电致变色材料制成，该电致变色材料在电流的作用下可改变其颜色及透光率中的至少其中之一。由于电致变色材料的颜色或透光率受电流作用可发生变化，第一区域及第二区域中设置有光调节结构的其中一个区域所发出的光在经由其调整之后再与另外一个区域发出的光进行混合，从而得到不同颜色的混光。由于仅需通过输入电流就可改变发光二极管的出光颜色，因此控制较为简单。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。 附图说明图1示出了本专利技术发光二极管的剖面图，其中发光二极管的光调节装置处于未通电状态。图2与图1相似，其中光调节装置处于通电状态。图3为图1中的发光二极管的俯视图。图4示出了图1中的发光二极管在两种不同状态下的频谱曲线。主要元件符号说明权利要求1.一种发光二极管，包括基座、固定于基座上的引脚、电连接引脚的发光芯片及封装体，其特征在于封装体包括第一区域及第二区域，第一区域及第二区域中的至少一个掺杂有荧光粉，该荧光粉受激发的辐射频率不同于发光芯片的辐射频率，第一区域及第二区域的其中之一设置有透光的光调节结构，该光调节结构由电致变色材料制成，电致变色材料在电流的作用下可改变颜色及透光率中的至少其中之一。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于荧光粉包括第一荧光粉及第二荧光粉，第一区域掺杂有第一荧光粉，第二区域掺杂有第二荧光粉，第二荧光粉的辐射频率不同于第一荧光粉的辐射频率。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于第一荧光粉为黄色荧光粉，第二荧光粉为红色荧光粉，发光芯片为蓝色发光芯片。4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于第二区域环绕第一区域。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于发光芯片位于第一区域内。6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于光调节结构设置于第二区域上，光调节结构覆盖第二区域并暴露出第一区域。7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于光调节结构的颜色变化区间为无色.半:.监.^^ ο8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于光调节结构由氧化铱所制成。9.如权利要求1至8任一项所述的发光二极管，其特征在于发光二极管的出射光在对光调节结构通电之后的色温高于对光调节结构通电之前的色温。10.如权利要求1至8任一项所述的发光二极管，其特征在于发光二极管的出射光在对光调节结构通电之后的演色性要低于对光调节结构通电之前的演色全文摘要一种发光二极管，包括基座、固定于基座上的引脚、电连接引脚的发光芯片及封装体，封装体包括第一区域及第二区域，第一区域及第二区域中的至少一个掺杂有荧光粉，该荧光粉受激发辐射出的光的波长不同于发光芯片发出的光的波长，第一区域及第二区域的其中之一设置有透光的光调节结构，该光调节结构由电致变色材料制成，电致变色材料在电流的作用下可改变其颜色及透光率中的至少之一者。该发光二极管的控制较为简单，可方便地改变出光颜色。文档编号H01L33/54GK102456805SQ201010515038公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月22日 优先权日2010年10月22日专利技术者郭德文 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭德文，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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