一种放大电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种放大电路，该放大电路包括晶体管Q2、比较器、信号发生器、电压采样模块、电阻R1、电阻R2及CMOS管Q1；所述的晶体管Q2的集电极与电源Us连接，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接；所述的比较器的一个输入端与电压采样模块连接，另一个输入端与信号发生器连接；所述的CMOS管Q1的栅极通过电阻R1与电源Us连接，漏极连接直流电源，源极依次连接电阻R2、电压采样模块后接地。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有可以实现多种波形的放大，而且还可以驱动大功率的用电器等优点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电路，尤其是涉及一种放大电路。
技术介绍
放大电路在电子学的领域中非常常见，其实质是用能量比较小的输入信号来控制另一个能源，使输出端的负载上得到功率比较大的信号。放大电路的基本形式有三种共发射极放大电路，共基极放大电路和共集电极放大电路，通过这三种基本形式的组合，形成了多种放大器。现在使用最广的是以晶体管(双极型晶体管或场效应晶体管)放大电路为基础的集成放大器。由于材料和晶体管参数的限制，此种放大电路能够驱动的电压低，并且功率小，不能满足客户需求。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种可以实现多种波形的放大，而且还可以驱动大功率的用电器的放大电路。本技术的目的可以通过以下技术方案来实现一种放大电路，其特征在于，该放大电路包括晶体管Q2、比较器、信号发生器、电压采样模块、电阻R1、电阻R2及CMOS管 Ql ；所述的晶体管Q2的集电极与电源Us连接，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接；所述的比较器的一个输入端与电压采样模块连接，另一个输入端与信号发生器连接；所述的CMOS管Ql的栅极通过电阻Rl与电源Us连接，漏极连接直流电源，源极依次连接电阻R2、电压采样模块后接地。所述的晶体管Q2为NPN型三极管。所述的CMOS 管 Ql 为 IRFP264CM0S 管。与现有技术相比，本技术由于CMOS管子响应速度比较快，可以实现任意波形的放大，特别是EMC行业中关于直流电源方面的一些波形都可以实现，而且还可以驱动大功率的用电器。附图说明图1为本技术的电路示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。实施例如图1所示，一种放大电路，该放大电路包括晶体管Q2、比较器D、信号发生器A、电压采样模块B、电阻R1、电阻R2及CMOS管Q1。晶体管Q2的集电极与电源Us连接，晶体管 Q2的发射极接地，晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接。比较器的一个输入端与电压采样模块连接，另一个输入端与信号发生器连接。CMOS管Ql的栅极通过电阻Rl与电源化连接，漏极连接直流电源C，源极依次连接电阻R2、电压采样模块后接地。晶体管Q2为NPN 型三极管。CMOS管Ql为IRFP264CM0S管。本技术的工作原理如下电压采样模块采样得到的反馈电压与信号发生器传来的给定电压进行比较，来控制晶体管Q2的通断，然后通过Q2的导通或截止来控制CMOS 管Ql的状态，从而控制电压输出。波形输出可以根据信号发生器的输出给定来控制，这样可以实现小信号的放大。此处的小信号是EMC中专用波形。放大的原理是基于电路的稳定性实现的，是一种有源放大电路。当信号发生器发出小信号和电压采样模块采样的电压相同时电路处于稳定，所以可以通过控制信号发生器发出的小信号的幅度，输出一些特殊的波形。这样小信号的电压有变化导致比较器的电路有变化，可以控制晶体管Q2的通断，进而控制高压输出Ql的通断，这样输出端得电压的到控制，完成小信号放大。当用于大功率时，可以根据电流的大小来确定并联的CMOS管的数量。权利要求1.一种放大电路，其特征在于，该放大电路包括晶体管Q2、比较器、信号发生器、电压采样模块、电阻R1、电阻R2及CMOS管Ql 所述的晶体管Q2的集电极与电源Us连接，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接；所述的比较器的一个输入端与电压采样模块连接，另一个输入端与信号发生器连接；所述的CMOS管Ql的栅极通过电阻 Rl与电源Us连接，漏极连接直流电源，源极依次连接电阻R2、电压采样模块后接地。2.根据权利要求1所述的一种放大电路，其特征在于，所述的晶体管Q2为NPN型三极管。3.根据权利要求1所述的一种放大电路，其特征在于，所述的CMOS管Ql为 IRFP264CM0S 管。专利摘要本技术涉及一种放大电路，该放大电路包括晶体管Q2、比较器、信号发生器、电压采样模块、电阻R1、电阻R2及CMOS管Q1；所述的晶体管Q2的集电极与电源Us连接，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接；所述的比较器的一个输入端与电压采样模块连接，另一个输入端与信号发生器连接；所述的CMOS管Q1的栅极通过电阻R1与电源Us连接，漏极连接直流电源，源极依次连接电阻R2、电压采样模块后接地。与现有技术相比，本技术具有可以实现多种波形的放大，而且还可以驱动大功率的用电器等优点。文档编号H03F3/21GK202218195SQ201120295930公开日2012年5月9日 申请日期2011年8月15日 优先权日2011年8月15日专利技术者毛文斌, 顾建军 申请人:上海普锐马电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛文斌，顾建军，
申请(专利权)人：上海普锐马电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：