凸柱结构的制造方法技术

技术编号:7334096 阅读:315 留言:0更新日期:2012-05-11 11:48
本发明专利技术提供一种凸柱结构的制造方法,凸柱结构包括底部的第一柱状结构和位于其上的其他柱状结构,制造方法包括步骤:提供硅衬底;在硅衬底上形成氧化层掩模,其大小、位置与凸柱结构相对应;在硅衬底上旋涂光刻胶并作图形化;以图形化的光刻胶为掩模,干法刻蚀硅衬底,在硅衬底中形成环状的第一深槽,第一深槽内部围绕有第一柱状结构;去除光刻胶并作清洗,露出氧化层掩模;以氧化层掩模为掩模,干法刻蚀硅衬底,在硅衬底中形成第二深槽,同时在第一柱状结构上形成较之更细的第二柱状结构。本发明专利技术能够方便在较粗的柱状结构上形成较细的柱状结构,在深槽刻蚀中,较好地控制了深度、形貌、均匀性、选择比和速率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李凡曹荐林晶徐元俊张挺
申请(专利权)人:上海先进半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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