公开了用于降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和电容的方法和系统。当每个存储通道使用更多的双列直插式存储模块(DIMM)连接器时，总的总线带宽会受到迹线长度和迹线电容的影响。为了降低总的迹线长度和迹线电容，该系统和方法使用棕榈树拓扑布局，即背靠背DIMM布局，来以镜像的方式将表面安装技术(SMT)DIMM连接器(而非通孔连接器)背靠背地布置在印刷电路板(PCB)的每一侧。与通常使用的将所有DIMM连接器都布置在PCB的一侧的传统拓扑布局相比，该系统和方法可以改善信号传播时间。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于降低大的存储器覆盖区背景下的迹线长度和电容的方法和系统
技术介绍
当前的印刷电路板(PCB)技术可以使用若干种不同类型的拓扑布局来布置双列直插式存储模块(DIMM)连接器。期望最大化每个存储通道的DIMM连接器的数量以获得高的存储容量，同时以存储通道能够支持的最大可能的频率进行操作。一种解决方案是将所有的DIMM连接器都布置在多核插座附近以保持迹线长度尽可能短。然而，当支持越来越多的DIMM连接器以获得更高的存储容量时，连接DIMM连接器的信号迹线在传统拓扑中被加长。例如，在双数据速率2 (DDM)存储技术的情况下，以传统拓扑布线的每存储通道4个 DIMM连接器可以获得667MHz的边缘结果。而且，通过使用通孔DIMM连接器并通过将通孔DIMM连接器仅布置在PCB的一侧， 远离多核插座的DIMM连接器组将设定存储总线能够操作的速度。因此，与最大数量的DIMM 连接器装配在一起的高负载总线会因影响时序参数的长迹线的电容效应而导致更低的速度。
技术实现思路
印刷电路板(PCB)组件的实施例包括具有顶面和底面的PCB、布置在PCB的顶面的第一表面安装技术(SMT)双列直插式存储模块(DIMM)连接器以及布置在PCB的底面的第二 SMT DIMM连接器。第二 SMT DIMM连接器与第一 SMT DIMM连接器共享至少一个过孔。用于降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和电容的方法的实施例包括将第一表面安装技术(SMT)双列直插式存储模块(DIMM)连接器布置在印刷电路板(PCB)的顶面；将第二 SMT DIMM连接器布置在PCB的底面；以及允许第二 SMT DIMM连接器与第一 SMT DIMM 连接器共享至少一个过孔。用于降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和电容的系统的实施例包括用于将第一表面安装技术(SMT)双列直插式存储模块(DIMM)连接器布置在印刷电路板(PCB)的顶面的模块；用于将第二 SMT DIMM连接器布置在PCB的底面的模块；以及用于允许第二 SMT DIMM连接器与第一 SMT DIMM连接器共享至少一个过孔的模块。附图说明将参照附图来详细描述用于降低大的存储器覆盖区(memory footprint)中的迹线长度和电容的方法和系统的示例性实施例，其中类似的标号指代类似的元件，并且其中图1、2和3分别示出了示例性的菊花链、T形和星形拓扑布局，它们是用于布置双列直插式存储模块(DIMM)连接器的传统拓扑布局；图4示出了用于每存储通道4个DIMM配置的示例性棕榈树拓扑布局，其利用了用于降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和电容的示例性系统；图5和6是图4的示例性棕榈树拓扑布局的DI匪连接器的放大视图；以及图7是示出了用于降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和电容的示例性方法的流程图。具体实施例方式描述了用于降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和电容的系统和方法。如上所述，期望最大化每个存储通道的双列直插式存储模块(DIMM)连接器的数量，同时以存储通道能够支持的最高可能的频率进行操作。当每个存储通道使用更多的DIMM连接器时，总的总线带宽会受到迹线长度和迹线电容的影响。为了降低总的迹线长度和迹线电容，该系统和方法使用棕榈树拓扑布局，即背靠背DIMM布局，来以镜像的方式将表面安装技术(SMT) DIMM连接器(而非通孔连接器)背靠背地布置在印刷电路板(PCB)的每一侧。与将所有的 DIMM连接器(或通孔DIMM插座)布置在PCB的一侧的传统拓扑布局(诸如菊花链、T形和星形拓扑布局)相比，该系统和方法可以改善信号传播时间。图1示出了示例性的菊花链拓扑100布局。对于每个存储通道，菊花链拓扑100提供了迹线布线，即从多核插座130到DMM1 141的连接110 JADMM1 141到DIMM2 142的连接 122、从 DIMM2 142 到 DIMM3 143 的连接 123 以及从 DIMM3 143 到 DIMM4 144 的连接 124。图2示出了示例性的T形拓扑200布局。对于每个存储通道，T形拓扑200需要至少两层连接一层用于从多核插座230到DIMM2 242的连接210，以及第二层用于从DIMM2 242 到 DIMM1 241 和 DIMM3 243 的连接 220。图3示出了示例性的星形拓扑300布局。对于每个存储通道，星形拓扑300需要至少三层连接一层用于从多核插座330到公共过孔A350的连接310，第二层用于从公共过孔A350到DI^4 344的连接322和从公共过孔A350到DIMM1 341的连接328，以及第三层用于从公共过孔A350到DIMM2 342的连接3 和从公共过孔A350到DIMM3 343的连接 324。从公共过孔A350到4个DIMM连接器；344、；343、342和341中的每一者的连接322、324、 326和328的长度相等。与菊花链拓扑相比，T形和星形拓扑布局能够改善信号传播时间和带宽，因为T形和星形拓扑布局能够保持迹线长度短并且对于每个DIMM连接器均衡。然而，T形和星形拓扑布局要求更多的层和过孔来连接与同一存储通道相关联的一组DIMM连接器。例如，对于使用通孔DIMM连接器来连接8个DIMM连接器的两个存储通道而言，菊花链拓扑可能需要4 到5层。T形拓扑可能需要5到6层，而星形拓扑可能需要至少6层，从而增加了采用这些拓扑布局的PCB的成本。在高频的一些情况中，星形拓扑可能要求终止无元件(unpopulated) 的DMM插座，以维持总线电均衡。棕榈树拓扑被如此命名，是因为SMT DIMM连接器布局从侧面看起来像棕榈树的树枝。棕榈树拓扑的背靠背SMT DIMM连接器布局使用最简单的菊花链迹线布线来降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和迹线电容。图4示出了用于每存储通道4个DMM配置的示例性棕榈树拓扑400布局，其利用了用于降低大的存储器覆盖区中的迹线长度和电容的示例性系统。两个DIMM连接器布置在PCB的顶面，两个DMM连接器以镜像的方式布置在PCB的底面。特别地，DIMM1 441 和DI^3 443布置在例如PCB460的顶面，而DIMM2 442和DIMM4 444布置在例如PCB470的底面。在该示例性棕榈树拓扑400布局中，迹线布线，即连接410，将多核插座430与DIMM1441相连接。另一连接420将DIMM1 441与DIMM3 443相连接。不再需要另外的长连接，因为DIMM2 442通过将迹线布线与DIMM1 441相连接来共享过孔，以及DIMM4 444通过将迹线布线与DIMM3443相连接来共享过孔。结果，4-DIMM负载的存储器覆盖区可以被降低例如百分之五十(50% )。图5和6是图4的示例性棕榈树拓扑400布局的DI匪连接器的放大视图。参照图5，位于PCB460的顶面的DIMM3 443具有两个SMT连接器焊盘(pad)，即焊盘2532和焊盘力31。过孔562使用迹线连接到焊盘2532，以及过孔561使用迹线连接到焊盘#31。DIMM4 444的焊盘力41在DIMM3443的焊盘2532的相对侧位于PCB470的底面。类似地，DIMM4 444 的焊盘2542在DI^3 443的焊盘力31的相对侧位于PCB470的底面。继续参本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：R·M·卡德里，S·F·康特里拉斯，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。