【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于直拉硅单晶炉的加热设备,特别是涉及一种单晶炉中三瓣锅。
技术介绍
硅硅单晶的大部分用切克劳斯基(Czochralski)法制造。在这种方法中,多晶硅被装进石英坩埚,加热熔化,然后,将熔硅略作降温,给予一定的过冷度,把一只特定晶向的硅单晶体(籽晶)与熔体硅接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上提升的速度,使籽晶缩颈排除位错后长大至目标直径时,提高提升速度,使单晶体恒直径生长。在生长过程的尾期, 此时埚内的硅熔体尚未完全消失,通过增加晶体的提升速度和调节向埚的供热量将晶体直径逐渐减小而形成一个尾形锥体,当锥体的尖足足够小时,晶体就会与熔体脱离,从而完成晶体的生长过程。直径硅单晶在制造时大致分为这么几个阶段装多晶料、抽空、多晶硅熔化、晶和肩的生长、等直径生长、尾部晶体生长、晶体冷却。由于在高温过程中,承载设备三瓣锅会因为氧化等作用而发生损耗,特别埚瓣与埚瓣之间的间隙将变大,造成生产上的不便
技术实现思路
;本专利技术将旧三瓣锅每瓣埚的两端上边口各打一个45°的斜角,用钼丝固定两瓣祸。本专利技术的设计,能够解决由于三瓣锅所用次数过多后造成的埚瓣与埚瓣之间缝隙过大的问题。三瓣锅所用次数过多后埚瓣与埚瓣之间缝隙会越来越大,由于石英坩埚在高温下会变软,会根据石墨坩埚的形状而变化。如果三瓣锅之间的缝隙过大,石英坩埚会膨胀开,影响石英坩埚的寿命和埚位的稳定性。如果缝隙再大点的话,会导致三瓣锅与加热器摩擦,使得液面晃动;更严重的会导致打火,损害加热器。本专利技术将旧三瓣锅每瓣埚的两端上边口各打一个45°的斜角,用钼丝固定两瓣埚,这样两两固定后,三瓣锅会和新的一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:殷国庆,
申请(专利权)人:常州益鑫新能源科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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