低功耗电源控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低功耗电源控制电路，它包括电源控制模块、中央控制器及电子开关模块，中央控制器分别连接电源控制模块及电子开关模块；所述电源控制模块包括第一P沟道场效应管及第二P沟道场效应管，所述第一P沟道场效应管与第二P沟道场效应管的漏极、源极、栅极分别对应相连，其中源极还连接外部电源，漏极还连接中央控制器，栅极还受控连接中央控制器。本实用新型专利技术的有益效果在于采用了两个P沟道场效应管串接的电源控制模块，从而使得电路在工作过程中功耗更小。此外新结构中采用电子开关模块，克服了原有机械型开关易损坏的缺陷。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电源电路，尤其是指一种低功耗电源控制电路。
技术介绍
大多数现有设备的电源电路中都是通过串接在三极管上的机械开关来实现整个电源开/关切换的，然而众所周知机械开关存在一个使用劳损问题，反复使用后开关触电即会磨损导致损坏。此外三极管的电源控制电路在待机时功耗较大，特别对于便携式设备而言会直接影响其续航能力。
技术实现思路
本技术的目的在于克服了上述缺陷，提供一种功耗低且采用电子开关的低功耗电源控制电路。本技术的目的是这样实现的一种低功耗电源控制电路，它包括电源控制模块、中央控制器及电子开关模块，中央控制器分别连接电源控制模块及电子开关模块；所述电源控制模块包括第一 P沟道场效应管及第二 P沟道场效应管，所述第一 P沟道场效应管与第二 P沟道场效应管的漏极、源极、栅极分别对应相连，其中源极还连接外部电源，漏极还连接中央控制器，栅极还受控连接中央控制器；上述结构中，所述电源控制模块还包括电阻、第一电容、第二电容及第三电容；所述电阻连接于第一 P沟道场效应管的漏极和栅极间；所述第一 P沟道场效应管的栅极对地串接所述第一电容、源极对地串接有第二电容、漏极对地串接有第三电容；上述结构中，所述电阻阻值1兆欧；所述第一电容容量为101皮法；所述第二电容容量为2M皮法；所述第三电容容量为105皮法；上述结构中，所述电子开关模块包括上拉电阻、限流电阻单元及至少一个开关，电子开关模块输入通过上拉电阻与电源控制模块输出相连，上拉电阻串接限流电阻单元后分两路输出，一路接地串接开关，另一路连入中央控制器；上述结构中，所述限流电阻组包括串接的第一限流电阻及第二限流电阻，其中第一限流电阻对应开关设置。本技术的有益效果在于采用了两个P沟道场效应管串接的电源控制模块，从而使得电路在工作过程中功耗更小。此外新结构中采用电子开关模块，克服了原有机械型开关易损坏的缺陷。以下结合附图详述本技术的具体结构附图说明图1为本技术的电路图。100-中央控制器及其周边电路；200-电子开关模块；300-电源控制模块； UlOl-中央控制器；QlOl-第一 P沟道场效应管；Q102-第二 P沟道场效应管；C107-第一电容；Clll-第二电容；C112-第三电容。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1，本技术涉及一种低功耗电源控制电路，它包括电源控制模块 300、电子开关模块200和中央控制器及其周边电路100，中央控制器UlOl分别连接电源控制模块300及电子开关模块200。电源控制模块300具体包括第一 P沟道场效应管QlOl、第二 P沟道场效应管Q102、 电阻、第一电容、第二电容及第三电容，其中第一 P沟道场效应管QlOl与第二 P沟道场效应管Q102的漏极、源极、栅极分别对应相连，其中源极连接外部电源，漏极输出连接中央控制器U101，栅极受控连接中央控制器。所述电阻R109并联于第一 P沟道场效应管QlOl的漏极和栅极间，较佳的其电阻R109阻值为1兆欧；所述第一 P沟道场效应管QlOl的栅极对地串接有第一电容C107，较佳的其容量为101皮法，源极对地串接有第二电容C111，较佳的其容量为2M皮法，漏极对地串接有第三电容C112，较佳的其容量为105皮法，由此可保证其良好的电气性能和抗干扰能力。而电子开关模块200则包括有上拉电阻R102、限流电阻单元及至少多个开关，电子开关模块200输入通过上拉电阻R102与电源控制模块300输出相连，上拉电阻R102阻值为190K，其串接限流电阻单元，限流电阻组包括串接的第一限流电阻及第二限流电阻，而后分两路，一路接地串接开关，另一路连入中央控制器U101。其中第一限流电阻对应每路开关设置，本实施例中就设置了 K101-K104四路开关，对应每一路开关分别接地串接第一限流电阻R103 = 2. 2K欧、R104 = IOK欧、R105 = 15K欧、R120 = 20K欧，而第二限流电阻 R121 = 82K欧则串接在上述第一限流电阻后输入中央控制器U101。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。权利要求1.一种低功耗电源控制电路，其特征在于它包括电源控制模块、中央控制器及电子开关模块，中央控制器分别连接电源控制模块及电子开关模块；所述电源控制模块包括第一 P沟道场效应管及第二 P沟道场效应管，所述第一 P沟道场效应管与第二 P沟道场效应管的漏极、源极、栅极分别对应相连，其中源极还连接外部电源，漏极还连接中央控制器，栅极还受控连接中央控制器。2.如权利要求1所述的低功耗电源控制电路，其特征在于所述电源控制模块还包括电阻、第一电容、第二电容及第三电容；所述电阻连接于第一 P沟道场效应管的漏极和栅极间；所述第一 P沟道场效应管的栅极对地串接所述第一电容、源极对地串接有第二电容、漏极对地串接有第三电容。3.如权利要求2所述的低功耗电源控制电路，其特征在于所述电阻阻值1兆欧；所述第一电容容量为101皮法；所述第二电容容量为2 皮法；所述第三电容容量为105皮法。4.如权利要求1所述的低功耗电源控制电路，其特征在于所述电子开关模块包括上拉电阻、限流电阻单元及至少一个开关，电子开关模块输入通过上拉电阻与电源控制模块输出相连，上拉电阻串接限流电阻单元后分两路输出，一路接地串接开关，另一路连入中央控制器。5.如权利要求4所述的低功耗电源控制电路，其特征在于所述限流电阻组包括串接的第一限流电阻及第二限流电阻，其中第一限流电阻对应开关设置。专利摘要本技术涉及一种低功耗电源控制电路，它包括电源控制模块、中央控制器及电子开关模块，中央控制器分别连接电源控制模块及电子开关模块；所述电源控制模块包括第一P沟道场效应管及第二P沟道场效应管，所述第一P沟道场效应管与第二P沟道场效应管的漏极、源极、栅极分别对应相连，其中源极还连接外部电源，漏极还连接中央控制器，栅极还受控连接中央控制器。本技术的有益效果在于采用了两个P沟道场效应管串接的电源控制模块，从而使得电路在工作过程中功耗更小。此外新结构中采用电子开关模块，克服了原有机械型开关易损坏的缺陷。文档编号H02M1/08GK202210753SQ201120326379公开日2012年5月2日 申请日期2011年9月1日 优先权日2011年9月1日专利技术者吴良忠 申请人:东莞市圣宝电子制造有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴良忠，
申请(专利权)人：东莞市圣宝电子制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：