一种晶体材料区熔基磷检测装置制造方法及图纸

一种晶体材料区熔基磷检测装置，涉及晶体材料杂质磷含量的检测装置，所述密闭腔体设置在机架中部，上部升降机构对应密闭腔体且通过上轴(7)联动密闭腔体内的原料棒，下部升降机构上部通过下轴(14)联动密闭腔体内的籽晶，所述上部升降机构、密闭腔体和下部升降机构为同心设置，上部升降机构和下部升降机构通过丝杠、导轨做轴向运动，所述密闭腔体通过抽气口连接管(30)连接真空泵；本实用新型专利技术通过设置在密闭腔体上下端的上、下部的升降系统的联动将原料晶棒在具有气体保护环境状态下的密闭腔体内将多晶拉制成符合要求的单晶，本实用新型专利技术具有结构简单，易于操作，密封性能好，且能快速开合，实现了效率高，成本低的目的。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种晶体材料区熔基磷检测装置
本技术涉及晶体材料杂质磷含量的检测装置，尤其是涉及一种晶体材料区熔基磷检测装置。
技术介绍
已知的，多晶硅是生产单晶硅的直接原料，也是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的基础材料。多晶硅是一种高纯物质，俗称高纯硅。一般金属硅纯度达到五个“9”就算是了不起了，可是对多晶硅来说还远远不够，电子工业所用的多晶硅必须是八个“9”到十个“9”;也就是说，在十亿到百亿个硅原子中仅有一个杂质原子。由此可知，对多晶硅的纯度要求是相当高的。多晶硅产品质量情况是通过区熔拉制成单晶“通称‘磷检’，所述磷检就是通过将多晶硅经过区熔拉制成为单晶，并使磷含量均勻分布在单晶内”后，用国标规定的方法测得电阻率，寿命和导电型号。在这过程中，任何的杂质都会影响检测的准确性，误导多晶硅的产品质量。在对多晶硅进行磷检过程中，要求多晶硅在气体保护环境下进行区熔拉制，故对检测装置的密闭性非常高，在目前将多晶硅在气体保护环境下区熔拉制成单晶进行检测的设备较为笨重，而且操作起来较为繁琐，在拉制过程中由于密封、预热等等因素的影响，往往对晶棒的污染严重，最终达不到预期检测的目的。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
中的不足，本技术公开了一种晶体材料区熔基磷检测装置，本技术所述的晶体材料区熔基磷检测装置通过设置在密闭腔体上下端的上、下部的升降系统的联动将原料晶棒在具有气体保护环境状态下的密闭腔体内将多晶拉制成符合要求的单晶，本技术具有结构简单，易于操作，密封性能好，且能快速开合，实现了效率高，成本低的目的。为了实现所述的专利技术目的，本技术采用如下技术方案一种晶体材料区熔基磷检测装置，包括上部升降机构、密闭腔体、下部升降机构、 导轨和机架，所述密闭腔体设置在机架中部，上部升降机构对应密闭腔体且通过上轴联动密闭腔体内的原料棒，下部升降机构上部通过下轴联动密闭腔体内的籽晶，所述上部升降机构、密闭腔体和下部升降机构为同心设置，上部升降机构和下部升降机构通过丝杠、导轨做轴向运动，所述密闭腔体通过抽气口连接管连接真空泵形成所述晶体材料区熔基磷检测直ο所述的晶体材料区熔基磷检测装置，所述密闭腔体为炉室，在炉室前部设有炉门， 所述炉门的中部设有观察窗，在炉门一侧设有连接炉室的合页，炉门的另一侧通过锁扣与炉室连接，其中所述炉门的合页两侧分别设有锁扣，形成炉门与炉室的密闭机构，所述炉室的一侧设有预热机构，其中预热机构前端设置的“C”形预热器设置在炉室的内壁上，其中炉室的炉壁为双层，内外层之间形成中空冷却介质通道，在炉室的一侧还设有压力表接口，其中压力表接口一端固定在炉室内，另一端固定由压力表，在炉室的后部还设有晶棒加热器， 所述晶棒加热器为炉室内或炉室后部两处移动设置，在晶棒加热器的前端设置有加热线圈，在炉室的上端设有上炉脖，上密封盒设置在上炉脖内；在炉室的下部设有下炉脖，下密封盒设置在下炉脖内。所述的晶体材料区熔基磷检测装置，所述抽气口连接管上设置有热偶计接口，所述热偶计接口内设置有热偶计，在炉室的另一侧设有进气口和排气口，所述进气口和排气口与保护气体系统连接，所述保护气体系统上设置进气流量表和排气阀门。所述的晶体材料区熔基磷检测装置，所述上部升降机构包括减速机A、上滑轨、上支撑块、减速机B、上轴、上轴升降丝杠、连接座B、电机A、连接座C和电机B，所述上支撑块前端的下部台阶面上固定有减速机B，所述减速机B的动力输入端通过连接座C与电机B连接，所述电机B的主轴通过联轴器与减速机B的动力输入轴连接，在减速机B的动力输出端设置有动力输出轴，所述动力输出轴穿过上支撑块与动力传输轮A连接，在上支撑块内设置的上丝杠穿入孔内固定有丝母，所述丝母与上轴升降丝杠丝接配合，所述上轴升降丝杠两端通过轴座固定在机架的上部面上，在上轴升降丝杠一端安装座的上部设有减速机A，减速机A的动力输出端与上轴升降丝杠上端连接，所述减速机A的动力输入端通过接座B与电机A连接，所述电机A的主轴通过联轴器与减速机A的动力输入轴连接，上轴通过轴承与上支撑块内的上轴穿入孔连接，在上轴的上端固定有动力传输轮B，所述动力传输轮B与动力传输轮A连接，上轴的下端设置在密闭腔体内，所述上轴的下部与上炉脖内的上密封盒紧密连接且滑动配合，在上支撑块的上滑块安装面上固定有滑块，所述滑块与设置在机架安装面上的上滑轨滑动配合；所述动力传输轮B与动力传输轮A通过带传动或链传动或齿合传动。所述的晶体材料区熔基磷检测装置，所述上支撑块的一侧安装有限位开关推板， 所述限位开关推板与安装在机架或上轴升降丝杠两端轴座上分别设置的两限位开关A形成上轴升降的保护机构。所述的晶体材料区熔基磷检测装置，所述下部升降机构包括下轴、连接座A、减速机C、下支撑块、电机C、下轴升降丝杠、下滑轨、减速机D、连接座D和电机D，所述下支撑块前端的上部台阶面上固定有减速机C，所述减速机C的动力输入端通过连接座A与电机C连接，所述电机C的主轴通过联轴器与减速机C的动力输入轴连接，在减速机C的动力输出端设置有动力输出轴，所述动力输出轴穿过下支撑块与动力传输轮C连接，在下支撑块内设置的下丝杠穿入孔内固定有丝母，所述丝母与下轴升降丝杠丝接配合，所述下轴升降丝杠两端通过轴座固定在机架安装面的下部面，在下轴升降丝杠一端安装座的上部设有减速机 D，减速机D的动力输出端与下轴升降丝杠下端连接，所述减速机D的动力输入端通过连接座D与电机D连接，所述电机D的主轴通过联轴器与减速机D的动力输入轴连接，下轴通过轴承与下支撑块内的下轴穿入孔连接，在下轴的下端固定有动力传输轮D，所述动力传输轮 D与动力传输轮C连接，下轴的上端设置在密闭炉体内，所述下轴的上部与下炉脖内的下密封盒紧密连接且滑动配合，在下支撑块的下滑块安装面上固定有滑块，所述滑块与设置在机架安装面上的下滑轨滑动配合；所述动力传输轮D与动力传输轮C通过带传动或链传动。所述的晶体材料区熔基磷检测装置，所述下支撑块的一侧安装有限位开关推板， 所述限位开关推板与安装在机架或下轴升降丝杠两端轴座上分别设置的两限位开关B形成下轴升降的保护机构。所述的晶体材料区熔基磷检测装置，所述抽气口连接管通过软管与真空泵连接。所述的晶体材料区熔基磷检测装置，在机架的下部设置有底座，所述底座的下部设置有调整块，在机架的上端设置有至少两个吊装环。采用上述技术方案，本技术的有益效果是本技术所述的晶体材料区熔基磷检测装置，实现了密闭炉室的快速抽取密闭及充入保护性气体，且密封性能好，上、下轴升降系统升降稳定，实现了快慢速升降及上下轴的旋转，使得最终获取的单晶晶棒的磷含量非常均勻的分布在晶棒上任一部位，在后续的检测过程中，获得更为准确的检测数据；本技术具有结构简单，易于操作，能快速开合，实现了效率高，成本低的专利技术目的。附图说明图1是本技术的立体结构示意图；图2是本技术的上支撑块结构示意图；图3是本技术的下支撑块结构示意图；在图中1、吊装环；2、机架；3、减速机A ；4、上滑轨；5、上支撑块；6、减速机B ；7、上轴；8、上轴升降丝杠；9、保护气体系统；10、炉门；11、合页；12、下炉脖；13、下密封盒；14、 下轴；15、连接座A;16、减速机C;17、下支撑块；18、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朝轩，
申请(专利权)人：洛阳金诺机械工程有限公司，
类型：实用新型
国别省市：