一种基于数码成像的半导体激光耳镜装置，采用单管系列的半导体激光器或光纤耦合系列的半导体激光器技术方案。利用半导体激光耳镜装置，可以在数码显微镜的显示器上显示耳鼓膜的放大的像，在观察耳鼓膜的同时方便医生选择鼓膜的造孔的位置和大小，然后相应调整激光的空间位置及技术参数进行手术打孔。孔的直径可以在0.5mm～3mm的范围内连续可调，激光的功率也可以在0～20W之间连续可调，使医生可以在观察耳鼓膜的同时选择鼓膜造孔的位置和激光光斑的位置和大小进行手术。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种基于数码成像的半导体激光耳镜装置，涉及一种在视频显示耳鼓膜的同时进行激光鼓膜造孔术的半导体激光耳镜装置，它可以用来治疗分泌性中耳炎。
技术介绍
分泌性中耳炎是一种以鼓室积液及听力下降为特征的中耳非化脓性炎症，是导致传导性耳聋的重要病因。本病小儿发病率高，是引起小儿听力下降的常见疾病之一，严重时甚至可以致聋。但是在成人中也并非少见(引自《分泌性中耳炎临床疗效观察》，作者刘利敏，中华耳科学杂志2009年第7卷第2期，1 页)。鼓膜切开术和鼓室置管术是治疗分泌性中耳炎的有效方法。其中鼓室置管术的具体步骤如下成人选择局部麻醉，1. 5岁以上儿童采用全麻。取仰卧位，头偏向对侧。外耳道皮肤消毒后用耳内窥镜探入外耳道并调整术野，充分显露鼓膜。一手持耳内窥镜，一手持鼓膜切开刀，在鼓膜前下部、后下部或前上部， 距鼓膜缘约3mm处用尖刀刺入，弧形切开约1 2mm(长度相当于通气管的外径)、切开后通过切口吸净中耳积液。用中耳麦粒钳或通气管安装钳夹持“T”型硅胶通气管.将其修剪后的两翼插入鼓室内.钩针调整好管的位置。查见“T”型硅胶通气管引流通畅后，耳内滴入抗生素溶液，无菌棉球堵塞外耳道，回家后取出，注意保持术耳清洁。1周内隔日以α-糜蛋白酶+地塞米松液灌洗。半年后取出“Τ”型硅胶通气管。(《耳内窥镜下鼓膜切开置管治疗分泌性中耳炎30例》，作者陈杰，山东大学基础医学院学报2004年第18卷第6期，第 381 页)这种手术方法的缺点有需要对病人实施麻醉，由于耳道狭窄手术刀容易挡住视野，对手术者水平要求较高。除此之外还存在以下并发症耳漏或中耳感染流脓，听力下降， 鼓膜穿孔，通气管堵塞脱出、坠入中耳腔，鼓室硬化，鼓膜内陷、粘连、萎缩继发胆脂瘤形成， 中耳肉芽等。Goode首次提出采用(X)2激光治疗成人分泌性中耳炎。一般认为利用(X)2激光鼓膜造孔术治疗分泌性中耳炎具有操作简便、安全性高、患者痛苦小等优点，术后出现鼓膜永久穿孔、鼓膜增厚、鼓膜萎缩、中耳感染、鼓室硬化症、继发性胆脂瘤、眩晕等并发症的可能性也较小(摘自《0)2激光在耳科领域的应用》作者张小青，国际耳鼻喉头颈外科杂志2007 年9月第31卷第5期，304页)。采用(X)2激光器进行鼓膜造孔术，或者，在文献《鼓膜激光打孔治疗分泌性中耳炎 118例疗效观察》(作者杨国强，实用临床医药杂志2008年第12卷第4期，第39页)中报道了采用Nd: YAG激光器来进行鼓膜造孔术，其治愈率可达86. 2%、好转率8. 0%，总有效率 94. 2%。美国专禾Ij《Auricularinstrument))(专利号:4622967,时间:1986 年，作者 Ronald A. Schachar)专利技术了一种采用Nd: YAG激光器作为手术激光的手持耳镜装置，它将 Nd:YAG激光器和指示激光器均集成在耳镜内，所以耳镜的体积比较大；除此之外，它利用放大镜来观测耳鼓膜，导致观测不清楚，手术时术者的头部和手都不能动，所以使用不方便。与此同时，CO2激光器和Nd: YAG激光器还具有价格昂贵、体积庞大、需要水冷和笨重等缺点，并且(X)2激光还不易用光纤来传导。大功率半导体激光器在激光照明、抽运固体激光器、材料处理与加工、药疗以及航空航天等领域已经具有广泛的应用前景，这是因为同CO2激光器及Nd:YAG激光器相比，它具有体积小、功率大、可靠性高、成本低廉和易于光纤耦合等优点。通常IOW光纤耦合半导体激光器体积仅为30mmX 14mmX 7mm,维护间隔时间10000小时；IOW的(X)2激光器体积需要345mmX66mmX95mm，维护间隔时间也可达需要20000小时；IOW的Nd: YAG激光器尺寸为 350mmX IOOmmX80mm，其维护间隔时间却需要1000小时。所以半导体激光器在使用时具有易于移动，维护方便等优点。但是，大功率半导体激光器存在光束质量差的缺点。
技术实现思路
为了解决已有技术的问题，本专利技术提供一种基于数码成像的半导体激光耳镜装置。它可以使术者在数码成像的同时进行激光鼓膜打孔，并且具有视野宽广清晰，操作准确、成功率高和简便易行等优点，避免了术者因器械遮挡视线而影响手术效果，增加了手术的安全性。同时又可免除长期置管而导致感染、通气管脱入鼓室、鼓膜穿孔不愈和胆脂瘤形成等并发症。同时，本专利技术也解决了半导体激光器光束质量差的缺点，通过一套光学系统在鼓膜上形成均勻的、圆形的光斑。一种基于数码成像的半导体激光耳镜装置，采用单管系列的半导体激光器，或者光纤耦合系列的半导体激光器技术方案。(1)下面介绍采用单管系列半导体激光器的一种半导体激光耳镜装置的技术方案。一种基于数码成像的半导体激光耳镜装置，包括电源系统、激光器系统、激光光学系统和成像系统；电源系统，包括为手术半导体激光器2提供电能的电源1、为指示半导体激光器10 提供电能的电源9和为白光LED21提供电能的LED电源20 ；所述的电源1为脉冲电流源，其脉冲宽度和电流强度可连续调节，从而驱动手术半导体激光器2的出光功率在0 20W之间调节，脉冲宽度可在50 500ms之间连续调节， 目的是使术者根据患者的实际情况来选择鼓膜造孔的时间和激光功率的参数；激光器系统为单管系列半导体激光器，包括手术半导体激光器2和指示半导体激光器10 ；手术半导体激光器2出射的椭圆发散手术激光3为近红外波段，优选波长为 980nm，其采用的封装方式为单管，它的有源区在快轴方向的厚度为Ιμπι，激光发散角70° ； 有源区在慢轴方向上的宽度为50μπι，激光发散角12° ；手术半导体激光器2的出光端面置于快轴准直镜5和慢轴准直镜6的焦平面上， 其中快轴准直镜5的焦距为10mm，通光口径为7mm ；慢轴准直镜16的焦距为33. 3mm，通光口径也为7mm。指示半导体激光器10出射的指示激光11为可见光波段，优选波长为650nm，采用的封装方式为单管，它的有源区在快轴方向的厚度为1 μ m，激光发散角70° ；有源区在慢轴方向上的宽度为50μπι，激光发散角12° ；激光光学系统包括第一光束整形器4、第二光束整形器12、波长合束器8、激光聚焦镜17、透镜位置调节器18和热反射镜19 ；第一光束整形器4包括快轴准直镜5和慢轴准直镜6，快轴准直镜5采用非球面透镜以此来消除大发散角的椭圆发散手术激光3产生的球差；手术半导体激光器2出射的椭圆发散手术激光3通过第一光束整形器4后成为一束圆形准直手术激光7;第二光束整形器12的结构与第一光束整形器4相同，指示半导体激光器10的出光端面置于快轴准直镜13和慢轴准直镜14的焦平面上；指示半导体激光器4出射的椭圆发散指示激光11通过第二光束整形器12后成为一束圆形准直指示激光15 ；圆形准直手术激光7和圆形准直指示激光15均以45°入射角入射到波长合束器 8，通过波长合束器8合为双波长激光16 ；波长合束器7的通光特性是近红外激光以45°角入射时其透过率大于90%，可见激光以45°角入射时其反射率大于90% ；激光聚焦镜17为双胶合透镜，它的表面镀以增透膜，选用双胶合透镜是为了消除双波长激光16的色差和球差；双波长激光16通过激光聚焦镜17后以45°角入射到热反射镜19上；透镜位置调节器18可以调节激光本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王峙皓，郝明明，
申请(专利权)人：长春德信光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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