防结晶的多层腔体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防结晶的多层腔体，包括壳体、若干分隔盘、带有喷嘴的供液管和用于支撑晶圆的载片台，所述分割盘和所述载片台位于壳体内，所述分割盘由上至下设置于壳体内并将壳体内的空间分成若干腔室，所述供液管位于所述载片台的上方，所述分割盘分别开有供所述载片台上下穿越的通孔，所述防结晶的多层腔体还包括一大小和所述通孔相匹配的密封板，所述密封板和所述载片台的距离和相邻分隔盘的间隔距离相同，所述密封板连接于所述供液管的上方，且从下方起第二个以上的分割盘分别开有供所述供气管穿越的缺口。通过该密封板和载片台可以将当前反应腔室和相邻的腔室相分隔，防止不同腔室内的挥发气体混合反应后凝结到腔室，提高晶圆良率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种防结晶的多层腔体。
技术介绍
半导体领域的很多工艺，例如蚀刻工艺会用到多层腔体。请参阅图1，图1所示是现有的多层腔体的结构示意图。由图1可见，现有的多层腔体包括壳体101、带有喷嘴的供液管102以及设于壳体101内的若干分隔盘103、和载片台104，所述载片台104用于放置晶圆(图1中未示出)。所述分割盘103分别开有供所述载片台104上下穿越的通孔，所述分隔盘103由上至下设置于所述壳体101内并将所述壳体内的空间分成若干腔室，分别是超纯水腔室 110、酸性腔室120和碱性腔室130。所述载片台104可以上下移动，并且可以根据需要分别停留在所述分隔盘103。所述供液管102位于所述载片台104的上方，所述供液管102根据载片台104的位置相应进行上下移动。所述供液管102设有喷头105，供液管102通过喷头105向载片台 104上的晶圆喷射反应溶液。当载片台104位于最上方的分隔盘103时，供液管102向晶圆喷射超纯水气雾，以润湿或清洗晶圆；当载片台104位于中间的分隔盘时，供液管102向晶圆喷射碱性蚀刻液， 如氨水(NH40H)；当载片台104位于下方的分隔盘103时，供液管102向晶圆喷射酸性蚀刻液，如氢氟酸(HF)、硝酸(HN03)等。在使用过程中，由于碱性腔室120和酸性腔室130没有密封隔离，碱性蚀刻液的挥发气体例如NH4+和酸性蚀刻液的挥发气体例如CL_、F_会混合而发生反应，主要进行以下两种化学反应NH4++CL— = NH4CLΝΗ4++Γ = NH4F上述化学反应的反应物会凝结于分隔盘103上形成结晶物100，这些聚集的结晶物100容易掉落到晶圆上，划伤晶圆，从而造成产品良率下降。因此，如何提供一种防结晶的多层腔体是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种防结晶的多层腔体，可以将不同腔室隔离，防止不同腔室的挥发气体间化学反应后产生的反应物凝结到腔室内。为了达到上述的目的，本技术采用如下技术方案一种防结晶的多层腔体，包括壳体、若干分隔盘、带有喷嘴的供液管和用于支撑晶圆的载片台，所述分割盘和所述载片台位于所述壳体内，所述分割盘由上至下设置于所述壳体内并将所述壳体内的空间分成若干腔室，所述供液管位于所述载片台的上方，所述分割盘分别开有供所述载片台上下穿越的通孔，所述防结晶的多层腔体还包括一大小和所述通孔相匹配的密封板，所述密封板和所述载片台的距离和相邻分隔盘的间隔距离相同，所述密封板连接于所述供液管的上方，且从下方起第二个以上的分割盘分别开有供所述供气管穿越的缺口。在上述的防结晶的多层腔体中，还包括控制器和若干缺口密封机构，所述缺口密封机构包括密封块和缺口密封执行部件，所述缺口密封执行部件的输出端和所述密封块连接，所述缺口密封执行部件和所述控制器连接。在上述的防结晶的多层腔体中，还包括若干排气管，所述排气管设置于一个或任意多个所述腔室的侧壁。在上述的防结晶的多层腔体中，还包括若干气动阀和电磁阀，所述气动阀设分别设置于相应的排气管上，所述电磁阀分别和所述控制器和所述气动阀连接。在上述的防结晶的多层腔体中，所述若干腔室一共有三个，分别是酸性腔室、碱性腔室和超纯水腔室。在上述的防结晶的多层腔体中，所述供气管是一直角弯管，包括竖直管和水平管， 所述水平管的一端和所述竖直管的一端垂直连接，所述喷嘴设置于所述竖直管的另一端。在上述的防结晶的多层腔体中，还包括供气管竖向移动机构和供气管竖向位置传感器，所述供气管竖向移动机构和所述供气管竖向位置传感器分别与所述控制器连接，所述供气管竖向移动机构的输出端和所述水平管固定连接，所述供气管竖向位置传感器设置于所述壳体。在上述的防结晶的多层腔体中，还包括供气管横向移动机构和供气管横向位置传感器，所述供气管横向移动机构和所述供气管横向位置传感器分别与所述控制器连接，所述供气管横向移动机构的输出端和所述竖直管固定连接，所述供气管横向位置传感器设置于所述壳体。在上述的防结晶的多层腔体中，还包括载片台驱动机构和载片台位置传感器，所述载片台驱动机构和所述载片台连接，所述载片台位置传感器设置于所述壳体内，所述载片台位置传感器与所述控制器连接。本技术的有益效果如下本技术提供的防结晶的多层腔体，通过在所述供液管的上方设置一大小和所述通孔相匹配的密封板，且所述密封板和所述载片台的距离和相邻分隔盘的间隔距离相同。通过该密封板和载片台可以将当前反应腔室和相邻的腔室相分隔，防止不同腔室内的挥发气体混合反应后凝结到腔室，从而避免凝结物即结晶物划伤晶圆，确保晶圆完好无损， 最终提高晶圆良率。另外，通过设置控制器和若干缺口密封机构，所述缺口密封机构包括密封块和缺口密封执行部件，所述缺口密封执行部件的输出端和所述密封块连接，所述缺口密封执行部件和所述控制器连接，当载片台到达指定的分隔盘上时，通过密封块可以将分隔盘上的缺口封闭，从而进一步隔离当前反应腔室和相邻的腔室密封隔离，进一步防止不同腔室内的挥发气体混合反应后凝结到腔室。另外，通过设置碱性排气管和酸性排气管可以及时将碱性腔室和酸性腔室内的挥发气体抽走，可以进一步防止这些挥发气体扩散到其他腔室内。附图说明本技术的防结晶的多层腔体由以下的实施例及附图给出。图1是现有的多层腔体的结构示意图；图2是本技术防结晶的多层腔体一实施例的结构示意图；图3是本技术防结晶的多层腔体一实施例的分割盘的结构示意图；图4是本技术防结晶的多层腔体一实施例的控制示意图；图5是本技术防结晶的多层腔体一实施例当碱性腔室工作时的示意图；图6是本技术防结晶的多层腔体一实施例当酸性腔室工作时的示意具体实施方式以下将对本技术的防结晶的多层腔体作进一步的详细描述。下面将参照附图对本技术进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。为使本技术的目的、特征更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率， 仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参阅图2和图3，其中，图2所示是本技术防结晶的多层腔体一实施例的结构示意图，图3所示是本技术防结晶的多层腔体一实施例的分割盘的结构示意图。这种防结晶的多层腔体，包括壳体201、若干分隔盘203、带有喷嘴205的供液管202、和用于支撑晶圆的载片台204。所述分割盘203和载片台204位于所述壳体201内，所述供液管 202位于所述载片台204的上方，所述分割盘203分别开有供载片台20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防结晶的多层腔体，包括壳体、若干分隔盘、带有喷嘴的供液管和用于支撑晶圆的载片台，所述分割盘和所述载片台位于所述壳体内，所述分割盘由上至下设置于所述壳体内并将所述壳体内的空间分成若干腔室，所述供液管位于所述载片台的上方，所述分割盘分别开有供所述载片台上下穿越的通孔，其特征在于，还包括一大小和所述通孔相匹配的密封板，所述密封板和所述载片台的距离与相邻分隔盘的间隔距离相同，所述密封板连接于所述供液管的上方，且从下方起第二个以上的分割盘分别开有供所述供气管穿越的缺2.根据权利要求1所述的防结晶的多层腔体，其特征在于，还包括控制器和若干缺口密封机构，所述缺口密封机构包括密封块和缺口密封执行部件，所述缺口密封执行部件的输出端和所述密封块连接，所述缺口密封执行部件和所述控制器连接。3.根据权利要求2所述的防结晶的多层腔体，其特征在于，还包括若干排气管，所述排气管设置于一个或任意多个所述腔室的侧壁。4.根据权利要求3所述的防结晶的多层腔体，其特征在于，还包括若干气动阀和电磁阀，所述气动阀设分别设置于相应的排气管上，所述电磁阀分别和所述控制器和所述气动阀连接。5.根据权利要求2所述的防结晶的多层腔体...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴良辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：