【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种大功率半导体器件。
技术介绍
目前，大功率半导体器件的封装都是采用粗铝线超声键压的方法实现芯片电极引出到引线框架的管脚上，器件的设计电流比较大时，需要使用的粗铝线线径须设计到 Φ500ιιπι，数量达到3根或3根以上，生产效率低下，且多根粗铝线的超声键压过程中，因较大的超声功率和压力很容易导致芯片的损伤，从而给大功率器件封装造成成品率很低且留下使用后患的弱点和弊端。因此，应该提供一种新的技术方案解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用铜片代替铝线电极的大功率半导体器件。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是一种大功率半导体器件，依次包括引线框架、底板、设置在底板上的陶瓷片、设置在陶瓷片上的小底板、固定在小底板上的半导体芯片，所述引线框架上设有管脚，所述半导体芯片的电极与引线框架的管脚通过铜片相连接，所述铜片呈3-6夹角的V字形结构，所述夹角中烧结填充有焊锡膏。所述引线框架的管脚上设有V沟，所述V沟内烧结填充有焊锡膏。进一步的铜片的材料采用0. 2mm厚度KFC电解铜，焊锡膏成分为Pb92. 5重量份、 Sn5重量份、Ag2. 5重量份。本技术大功率半导体器件，将铜片设计成3-6°角度V字形结构，减小铜片与芯片的直接接触的面积，在V字形夹角中烧结填充焊锡膏，因焊锡为软焊料，能够充分吸收铜片热膨胀时的应力，从而大大减小了芯片受到的横向剪切力。为了保证在焊接烧结过程中，铜片与芯片、框架底板保持准确的位置，引线框架底板的管脚部位采取了 V沟设计，对应铜片位置也配合设计了 V沟结构，以保证铜片焊接烧结的位置准确度。铜片的材料采用 0. 2mm...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐洋，王琳，吴家健，严巧成，徐晓峰，黄健，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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