本发明专利技术提供了一种蚀刻低辐射薄膜的可印刷的蚀刻膏、蚀刻方法及制品，涉及镀膜玻璃加工领域，该蚀刻膏包括酸性蚀刻剂、无机颗粒、碘的醇溶液以及非必要的添加剂，可通过丝网印刷、模板印刷、喷墨印刷等印制技术印制在低辐射薄膜玻璃上，形成图案化的低辐射镀膜玻璃。优点是：采用较少的成分配制出一种可完全蚀刻低辐射膜层特别是汽车前挡低辐射膜层的蚀刻膏，原料简单，成本较低，并起到很好的蚀刻效果，借助该蚀刻膏可以在Low-e膜上选择性蚀刻精细结构而不会或较少损害或侵蚀相邻区域，而且所用时间短、速度快、温度低，使其蚀刻出的1.0mm线宽的两侧的电阻达到MΩ级别，能大于20MΩ。
【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻低辐射薄膜的可印刷的蚀刻膏、蚀刻方法及制品
本专利技术涉及镀膜玻璃加工领域，尤其涉及蚀刻镀膜玻璃领域。
技术介绍
低辐射玻璃又称Low-e玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品，由于具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，因而低辐射玻璃是一种节能环保的产品，被广泛地应用。根据Low-e镀膜玻璃的制造工艺，可分为在线L0W_e镀膜玻璃和离线Low-e镀膜玻璃两种，本专利技术属于离线Low-e镀膜玻璃领域。离线Low-e镀膜玻璃是采用磁控溅射镀膜技术生产的，其主要功能层为银层，由于银层特别容易氧化，所以普通的离线Low-e镀膜玻璃不能进行加热，只能用于中空玻璃。虽然近几年出现的可钢化Low-e镀膜玻璃可以进行加热，但可钢化Low-e镀膜玻璃也不同于用于汽车前挡夹层玻璃的可烘弯Low-e镀膜玻璃，用于夹层玻璃的可烘弯低辐射镀膜玻璃对膜系配置的要求比可钢化低辐射镀膜玻璃对膜系配置的要求要高得多，一般包括玻璃基板、电介质层、牺牲层、保护层、Ag膜层，如中国专利申请号CN200910054331. 2所述，该专利提供了一种可烘弯的离线低辐射玻璃，其中一个实施例的膜层结构自玻璃基板向外依次为玻璃基板、过渡层SiOxNy、第一电介质层 SiSnOx/TiOy、低辐射层Ag、第二电介质层TiOx/ZnSnOy、保护层SixNy。然而在实际应用中，Lowe玻璃的表面并不需要或者并不能全部覆盖/涂覆L0W_e 膜层。一方面，Low-e膜层中的红外反射层可能屏蔽电磁波信号的透过，如ETC、GPS、RF等； 另一方面，Low-e膜层镀在玻璃板的外周边的最边缘区域容易造成膜层腐蚀，因此也需要把膜层边缘部分除掉。同时，随着人们生活水平的提高，对Low-e玻璃的美观性也提出了很高要求，要在Low-e镀膜玻璃上制备出各种各样的图案，如菱形等。根据现有技术状况，蚀刻镀膜玻璃的方法主要有激光支持的蚀刻法或在掩模后通过的化学湿刻蚀法(如专利CN02127845. 8)，或通过如等离子体蚀刻的干刻蚀法(如专利 CNOl 120689. 6)选择性地蚀刻任何所需图案。所述蚀刻方法的缺点在于耗时、浪费和成本昂贵，这些步骤在一些情况下在技术和安全方面复杂，并且频繁间断进行。为了避免或减少上述问题，研究人员在可印刷的蚀刻膏方面做了大量的工作。中国专利申请号CN200780040494. 4提供一种用于蚀刻透明和导电氧化物层的可印刷介质。该蚀刻介质用磷酸作为蚀刻成分，使用该蚀刻膏可以高度选择性地蚀刻最细的线和结构而不破坏或影响相邻表面。中国专利申请号CN200910037067. 1提供了一种金属及金属氧化物蚀刻油墨及其制备方法与应用，该油墨由非挥发性酸、水溶性高分子聚合物、油墨助剂及去离子水制备得到。可通过丝网印刷、胶印及平版印刷技术应用于金属镍、镁、不锈钢及氧化铟锡化合物等金属或金属氧化物的蚀刻。W02004/032218A1公开了一种简化方法，其中通过选择性印刷上的碱性蚀刻糊的作用在晶片表面中产生极细线或图案。所使用的糊剂是不含颗粒的组合物，如KOH或NaOH 充当蚀刻成分。但上述蚀刻膏/蚀刻糊多是应用于太阳能电池、半导体、电子行业，没有发现涉及 Lowe镀膜玻璃的蚀刻技术及相关文献。而且这些已有的蚀刻膏/蚀刻糊也不能直接拿来蚀刻汽车前挡夹层玻璃的可烘弯Low-e镀膜玻璃而达到令人满意的蚀刻效果，一是由于要蚀刻的成分不一致，二是由于用于汽车前挡夹层玻璃的可烘弯Low-e镀膜玻璃的膜层更致密，具有更好的耐久性和抗腐蚀性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有蚀刻膏应用到低辐射薄膜上，在同样条件下蚀刻时间长、侧面蚀刻效果不好并且蚀刻的1.0mm线宽电阻达不到兆欧级别等的不足， 提供一种蚀刻低辐射薄膜的可印刷的蚀刻膏，还提供一种利用该蚀刻膏去蚀刻低辐射玻璃的方法，以及进一步得到的蚀刻产品。为实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种蚀刻低辐射薄膜的可印刷的蚀刻膏，包括酸性蚀刻剂和无机颗粒，其特征在于所述酸性蚀刻剂质量百分比为30 70% ；所述无机颗粒质量百分比为10 60% ；还包括碘的醇溶液，其质量百分比为5 20%。根据本专利技术的另一方面，提供了一种应用上述蚀刻膏的蚀刻方法，其特征在于将所述蚀刻膏印制在低辐射玻璃上，将该玻璃在150°C -300°C下进行烘烤处理时间不超过 30min,烘烤处理完毕后采用水或弱碱水，清洗掉所剩蚀刻膏，再将玻璃进行烘干处理。根据本专利技术的第三方面，提供了一种应用上述蚀刻膏得到的低辐射镀膜玻璃，其特征在于该低辐射镀膜玻璃被所述蚀刻膏蚀刻后形成玻璃表面部分无镀膜的图案化低辐射镀膜玻璃，其满足条件刻蚀出的1. Omm线宽两侧电阻大于20ΜΩ。本专利技术的优点是采用较少的成分配制出一种可完全蚀刻低辐射膜层特别是汽车前挡低辐射膜层的蚀刻膏，原料简单，成本较低，并起到很好的蚀刻效果，借助该蚀刻膏可以在Low-e膜上选择性蚀刻精细结构而不会或较少损害或侵蚀相邻区域，而且所用时间短、速度快、温度低，使其蚀刻出的1.0mm线宽的两侧的电阻达到ΜΩ级别，能大于20ΜΩ。附图说明图1为本专利技术所涉及的蚀刻膏蚀刻Low-e玻璃工艺流程图；图2为蚀刻后的镀膜玻璃的剖面图；图3为蚀刻后的镀膜玻璃的平面图。具体实施方式根据本专利技术的一个方面，提供了一种蚀刻低辐射薄膜的可印刷的蚀刻膏，包括酸性蚀刻剂和无机颗粒，其特征在于所述酸性蚀刻剂质量百分比为30 70% ；所述无机颗粒质量百分比为10 60% ；还包括碘的醇溶液，其质量百分比为5 20%。本专利技术所述的酸性蚀刻剂指磷酸和硫酸中的至少一种，所选用的磷酸的质量百分比浓度不小于20%，所选用的硫酸的质量百分比浓度为20 60%，所述酸性蚀刻剂(包含酸里面的水)的含量占整个蚀刻膏的总质量的30-70%。所述无机颗粒来自石墨、炭黑、硅粉、二氧化硅粉、磷酸钙、磷酸钡、硫酸钙、硫酸钡中的一种或多种，其质量百分比为10 60% ；如果磷酸和硫酸两者都使用，那么无机颗粒为石墨、炭黑、硅粉、二氧化硅粉。如果单独使用磷酸，那么无机颗粒还可为磷酸钙、磷酸钡。 如果单独使用硫酸，那么无机颗粒还可为硫酸钙、硫酸钡。所述无机颗粒的等效粒径小于 IOum0所述碘的醇溶液质量百分比为5 20%，醇溶液来自乙醇、丙醇、乙二醇、丙三醇中的一种或多种。本专利技术所述的碘的醇溶液是碘单质溶解在醇类中，醇可为乙醇、丙醇、乙二醇、丙三醇的一种，也可为这四种醇的混合物或这四种醇分别与水的混合物或这四种醇混合后再与水混合形成的混合物。碘单质含量占所述碘的醇溶液含量的质量百分比为1 8 %。碘是先溶解在醇溶液中，然后再和酸性蚀刻膏混合，而非直接把碘加入到酸中。本专利技术还可以包括还可以包括添加剂，来自水、增稠剂、流动控制剂、消泡剂、脱气剂和粘合促进剂中的一种或多种。其中，作为溶剂的水为任何形式液态水，如去离子水、超纯水，其含量可根据酸性蚀刻剂的使用量进行适当调整，使蚀刻膏适合印刷。根据本专利技术的另一方面，提供了一种应用上述蚀刻膏的蚀刻方法，其特征在于将所述蚀刻膏印制在低辐射玻璃上，将该玻璃在150°C -300°C下进行烘烤处理时间不超过 30min,烘烤处理完毕后采用水或弱碱水，清洗掉所剩蚀刻膏，再将玻璃进行烘干本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何立山，福原康太，袁军林，
申请(专利权)人：福耀玻璃工业集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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