高能量密度放射性同位素微电源制造技术

技术编号：7284132 阅读：210 留言：0更新日期：2012-04-20 06:03

一种构建固态高能量密度微放射性同位素电源设备(10)的方法。在这些实施例中，所述方法包括将预伏打半导体合成物(38A)(包括半导体材料和放射性同位素材料)沉积至微腔室(28)，其中，所述微腔室形成在电源设备的主体(14)内。此方法另外包括加热所述主体(14)至一温度，在所述温度下，所述预伏打半导体合成物(38A)将在所述微腔室(28)内液化，以提供液态合成混合物(38B)。进一步地，此方法包括冷却所述主体(14)和所述液态合成混合物(38B)，使得所述液态合成混合物(38B)固化以提供固态合成伏打半导体(38)，由此提供固态高能量密度微放射性同位素电源设备(10)。