电路装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电路装置及其制造方法。该电路装置是具有良好的散热性的小型的电路装置。在本发明专利技术的混合集成电路装置(10)中，在电路基板(12)的上面固定安装有引线(18)及引线(20)。引线(18)具有岛部(28)、倾斜部(30)及引线部(32)，在岛部(28)的上面安装有晶体管(22)及二极管(24)。设置于晶体管(22)及二极管(24)的上面的电极经由金属细线(26)和接合部(34)相连接。引线(18)的接合部(34)被设置在相比岛部(28)位于上方的位置，从而与接合部(34)相连接的金属细线(26)彼此分开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及内置有对大电流进行开关的功率型半导体元件的。
技术介绍
下面，参照图9对现有的混合集成电路装置100的结构进行说明(参照下述的专利文献1)。在矩形基板101的表面上，隔着绝缘层102形成有导电图案103，在该导电图案 103上固定安装有电路元件，从而形成规定的电路。在此，半导体元件105A和芯片元件105B 作为电路元件与导电图案103相连接。引线104和形成在基板101的周边部的由导电图案 103构成的焊盘109相连接，并且具有作为外部端子的功能。密封树脂108具有密封形成于基板101表面的电路的功能。半导体元件105A是导通例如数安培 数百安培左右的大电流的功率型元件，发热量非常大。因此，半导体元件105A载置于在导电图案103上载置的散热片110的上部。 散热片110由例如高X宽X厚=IOmmX IOmmX Imm左右的铜等金属片构成。专利文献1 (日本)特开平5-1(^645号公报但是，在具有上述结构的混合集成电路装置100中，如果在基板101的上面形成逆变电路等用于变换大电流的电路，则需要扩大用于确保电流容量的导电图案103的宽度， 这阻碍了混合集成电路装置100的小型化。而且，为了确保散热性，需要对应每个半导体元件准备散热片，这也导致成本上升。
技术实现思路
鉴于以上问题，本专利技术主要目的是提供一种具有良好的散热性的小型。本专利技术的电路装置的特征在于，具有电路基板；多条引线，每条该引线具有固定安装在所述电路基板的上面的岛部、经由倾斜部和所述岛部相连续并且从所述电路基板的上面离开的接合部、和所述接合部相连续并向外部引出的引线部；电路元件，安装在所述岛部的上面并且经由连接装置和所述接合部相连接。本专利技术的电路装置的制造方法的特征在于，具有准备引线框架的工序，该引线框架由多条具有岛部、经由倾斜部和所述岛部相连续的接合部、和所述接合部相连续并向外部引出的引线部的引线构成；将电路元件和所述接合部经由连接装置连接的工序，该电路元件安装在所述岛部的上面，所述接合部设置在相比所述岛部位于上方的位置；将所述岛部的下面固定安装在电路基板的上面的工序；密封所述电路基板及所述电路元件的工序。根据本专利技术，将经由倾斜部相连续的岛部和接合部设置在引线上，将岛部固定安装于电路基板的上面，并且将接合部设置在从电路基板的上面离开的上方位置。然后，安装于岛部的电路元件和接合部经由连接装置相连接。由此，防止了例如由金属细线构成的连接装置相互接触而短路，所以能够通过多条引线及连接装置形成逆变电路等比较复杂的电路。附图说明图1是表示本专利技术的电路装置的视图，㈧是立体图，⑶是剖面图。图2是表示本专利技术的电路装置的俯视图。图3(A)、(B)是表示本专利技术的电路装置的一部分的剖面图。图4是表示本专利技术的电路装置的视图，(A)是表示要安装的逆变电路的电路图， ⑶是表示引出引线的俯视图，(C)是表示引线的剖面图。图5是表示本专利技术的其他形式的电路装置的剖面图。图6是表示本专利技术的电路装置的制造方法的视图，㈧是俯视图，⑶是剖面图。图7是表示本专利技术的电路装置的制造方法的视图，㈧是俯视图，⑶是剖面图。图8是表示本专利技术的电路装置的制造方法的视图，㈧是剖面图，⑶是俯视图。图9是表示
技术介绍
的混合集成电路装置的剖面图。附图标记说明10混合集成电路装置；12电路基板；14控制基板；16密封树脂；18引线；18A、 18B、18C、18D、18E、18F、18G、18H、18I、18J 引线；20 引线；20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G、 20H、20I、20J、20K、20L 引线；22 晶体管；24 二极管；26 金属细线；28 岛部;28D、28E、28F、 28J岛部；30倾斜部；32引线部；34接合部；34C、34D、34E、34F接合部；36接合部；38支承部；39支承部；40导电图案；42控制元件；44绝缘层；45电阻；46导电图案；48固定安装材料；50导电图案；52导电图案力4贯通电极；56逆变电路；58引线框架；60单元；62连接杆；64 外框；68 上模；70 下模；72 型腔；QU Q2、Q3、Q4、Q5、Q6 IGBT ；Dl、D2、D3、D4、D5、D6 二极管。具体实施例方式下面，参照图1至图5，对作为电路装置的一个例子的混合集成电路装置10的结构进行说明。首先，参照图1，对本实施方式的混合集成电路装置10的结构进行说明。图I(A) 是从斜上方看混合集成电路装置10的立体图。图I(B)是混合集成电路装置10的剖面图。参照图1㈧及图1⑶，混合集成电路装置10具有电路基板12、设置在电路基板 12的上面的引线18、20、安装在引线18的导部观上的晶体管22和二极管M (电路元件)、 将上述电路基板12、引线18、20、晶体管22及二极管M —体地密封的密封树脂16。电路基板12是以铝(Al)或铜(Cu)等金属为主要材料的金属基板。电路基板12 的具体大小为例如高χ宽χ厚=30mmX15mmXl. 5mm左右。在采用由铝构成的基板作为电路基板12的情况下，电路基板12的两个主面被进行氧化铝膜处理。电路基板12的上面及侧面被密封树脂16覆盖，而下面向外部露出。由此，能够使散热片与露出的电路基板12 的表面抵接，从而提高散热性。而且，为了确保耐湿性及绝缘耐压性，也可以通过密封树脂 16覆盖电路基板12的下面。参照图1(B)，在纸面左侧设置有引线18，而右侧设置有引线20。在此，多条引线 18,20沿着电路基板12的相向的两个侧边设置，但是，可以沿着一侧边仅设置引线18，另外，引线也可以沿着四个侧边设置。沿着电路基板12的一侧边设置有多条引线18。引线18构成为从内侧开始具有岛部观、倾斜部30、接合部34及引线部32。在岛部28的上面通过焊锡等导电性固定安装剂固定安装有晶体管22及二极管24。而岛部28的下面固定安装于电路基板12的上面。 由此，晶体管22及二极管M在工作时产生的热量经由岛部观及电路基板12很好地向外部散热。而且，通过在引线18的中间部设置倾斜部30，将电路基板12的左上部的端部和引线18分开，防止两者之间发生短路。另外，接合部34是经由金属细线沈(例如，直径为 20 μ m 500 μ m的铝线)和晶体管22及二极管M连接的部位。关于通过金属细线沈进行连接的结构，将在后面参照图4(B)进行说明。另外，引线部32是从密封树脂16向外部导出用于插入安装等的端子部。在与引线18相向的位置设置有多条引线20。引线20构成为从内侧开始具有接合部36、倾斜部39及引线部38。接合部36固定安装在电路基板12的上面，并且与安装在岛部观上的晶体管22的控制电极电连接。而且，引线部38经由倾斜部39从密封树脂16向外部引出。弓丨线18和引线20的功能不同。具体来说，通过在引线18上安装晶体管22和二极管M以构成逆变电路。即，引线18还具有作为导通通过逆变电路变换前的直流电或者变换后的交流电的通路的功能。而且，引线18由厚度为500 μ m左右的较厚的铜等金属构成，所以也具有散热片的功能。另一方面，引线20和晶体管22的控制电极相连接，具有导通控制信号的连接端子的功能。在图中，晶体管22等经由一条金属细本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：真下茂明，堀内文夫，工藤清昭，樱井章，稻垣裕纪，
申请(专利权)人：安森美半导体贸易公司，
类型：发明
国别省市：