一种半导体装置，在半导体晶片(21)的下表面形成的由树脂构成的背面保护膜(3)的与切割道(22)的宽度方向中央部对应的部分，通过照射激光束的激光加工，形成开口部(23)。接着，使用树脂切削用的刀(27)，对与切割道(22)及其两侧对应的部分中的由树脂构成的密封膜(13)及半导体晶片(21)的上表面侧进行切削，形成槽(28)。接着，使用硅切削用的刀，对与切割道(22)对应的部分中的半导体晶片(21)及背面保护膜(3)进行切削。该情况下，由硅切削用的刀造成的对背面保护膜(3)的切削减少与开口部(23)对应的量，能够降低刀的堵塞的风险，并抑制半导体晶片的切削面的缺陷发生。并且，能够大幅降低该刀的树脂堵塞的风险，由此增长该刀的寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体基板的另一面侧。
技术介绍
已知在日本特开2006-2^112号公报中称为CSP (Chip Size Package)的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板。在半导体基板上设置的绝缘膜的上表面处设有布线。 在布线的焊接区(land)上表面设有柱状的外部连接用电极。在包含布线的绝缘膜的上表面，在外部连接用电极的周围设有由树脂构成的密封膜。在外部连接用电极的上表面设有焊料凸点。在半导体基板的下表面设有由树脂构成的背面保护膜。在上述日本特开2006-2^112号公报中，首先在晶片状态的半导体基板(以下称为半导体晶片)上形成绝缘膜、布线、外部连接用电极及密封膜。接着，对半导体晶片的下表面进行研磨，将半导体晶片的厚度减薄。接着，在半导体晶片的下表面形成背面保护膜。 接着，在外部连接用电极的上表面形成焊料凸点。接着，沿着切割道(dicing street)切断密封膜、半导体晶片及背面保护膜，得到多个半导体装置。另外，虽然在日本特开2006-2^112号公报中没有记载，但是在切割中使用的刀由使包含磨粒(abrasive grain)(例如，金刚石的颗粒)的结合剂成形而做成圆盘状的磨石(grindstone)构成，需要根据加工条件选择磨粒的集中度。即，根据磨粒的集中度的不同，切削时施加到刀的各磨粒上的负荷变化，自锐性(self-sharpening)(与伴随着切削的结合剂的磨损相应地，出现新的磨粒)的发生的容易度等变化，根据切削对象，将多余的力施加到切削对象上，在切削对象的切削面上容易产生缺陷(chipping)(缺口)。因此，不优选以一种刀将由树脂构成的密封膜、半导体晶片及由树脂构成的背面保护膜切断。这里，可以考虑，用树脂切削用的刀来切削由树脂构成的密封膜及半导体晶片的上表面侧，用磨粒的集中度比树脂切削用的刀低的半导体切削用的刀来切削半导体晶片的其余部分及由树脂构成的背面保护膜，从而抑制半导体晶片的切削面的缺陷(缺口)。但是，若以半导体切削用的刀来切削由树脂构成的背面保护膜，则对该刀逐渐产生由树脂造成的堵塞，若以逐渐产生了由该树脂造成的堵塞的状态下的刀来切削半导体晶片，则会在半导体晶片的切割面产生缺陷(缺口)。为了避免该情况，需要为了使刀的切削能力稳定而进行的、称为预切(precut)的、使用预切基板(被加工物的模型)的试切。但是，若频繁地进行该刀的预切，则会产生该刀的寿命变短等问题。
技术实现思路
因此，本专利技术抑制在半导体晶片的切削面处发生的缺陷(缺口)，并且延缓半导体切削用的刀的由树脂造成的堵塞，减少进行预切的频率，从而实现延长半导体切削用的刀的寿命的目的。或者，本专利技术目的在于，提供一种不使用半导体切削用的刀而能够切断半导体晶片的半导体装置的制造方法以及通过该方法得到的半导体装置。根据本专利技术的一种实施方式，其特征在于，具备半导体基板；密封膜，设置在该半导体基板的一面侧；以及背面保护膜，设置在上述半导体基板的另一面侧的至少除了外缘部以外。根据本专利技术的另一实施方式，其特征在于，在半导体晶片的一面侧形成密封膜，并在另一面侧形成背面保护膜；在与切割道对应的部分的上述背面保护膜形成开口部；在与上述切割道对应的部分的至少上述密封膜，通过第1刀形成槽；通过第2刀切割与上述切割道对应的部分的至少上述半导体晶片。另外，根据本专利技术的另一实施方式，其特征在于，在半导体晶片的一面侧形成密封膜，并在另一面侧形成背面保护膜；在与切割道对应的部分的上述背面保护膜形成开口部； 在与上述切割道对应的部分的至少上述密封膜，通过第1刀形成槽；通过隐形切割，分离与上述切割道对应的部分的至少上述半导体晶片。附图说明图1是作为本专利技术的第1实施方式的半导体装置的平面图。图2是大致沿图1的II-II线的部分的剖面图。图3是在图1及图2所示的半导体装置的制造方法的一例中最初准备装置的剖面图。图4是图3的后续工序的剖面图。图5是图4的后续工序的剖面图。图6是图5的后续工序的剖面图。图7是图6的后续工序的剖面图。图8是图7的后续工序的剖面图。图9是图8的后续工序的剖面图。图10是图9的后续工序的剖面图。图11是图10的后续工序的剖面图。图12是图11的后续工序的剖面图。图13是作为本专利技术的第2实施方式的半导体装置的剖面图。图14是在图13所示的半导体装置的制造方法的一例中、规定的工序的剖面图。图15是图14的后续工序的剖面图。图16是图15的后续工序的剖面图。图17是图16的后续工序的剖面图。图18是图17的后续工序的剖面图。图19是图18的后续工序的剖面图。图20是图19的后续工序的剖面图。具体实施例方式(第1实施方式)图1表示作为本专利技术的第1实施方式的半导体装置的平面图，图2表示大致沿图1 的II-II线的部分的剖面图。该半导体装置一般被称为CSP，具有硅基板(半导体基板)1。在硅基板1的周边部上部，设有剖面大致为方形的外缘部2。在硅基板1的下表面整体，设有由环氧树脂、聚酰亚胺树脂等树脂构成的背面保护膜3。在硅基板1的上表面，虽然未图示，但形成有构成规定功能的集成电路的元件、例如晶体管、二极管、电阻、电容等元件。在硅基板1的上表面周边部，设有与上述集成电路的各元件连接的、由铝类金属等构成的多个连接焊盘(connection pad)4。在除了硅基板1的周边部及连接焊盘4的中央部之外的硅基板1的上表面，设有由氧化硅、氮化硅等构成的钝化膜(绝缘膜幻，连接焊盘4的中央部经由设置在钝化膜5 中的开口部6露出。在钝化膜5的上表面，设有由聚酰亚胺类树脂等构成的保护膜(绝缘膜)7。在与钝化膜5的开口部6对应的部分的保护膜7中设有开口部8。在保护膜7的上表面设有多条布线9。布线9为2层构造，包括设在保护膜7的上表面的由铜等构成的基底金属层10及设在基底金属层10的上表面的由铜构成的上部金属层11。布线9的一端部9a经由钝化膜5及保护膜7的开口部6、8而与连接焊盘4连接，另一端部为焊接区％，其间为引绕线部9c。在布线9的焊接区9b的上表面设有由铜构成的柱状的外部连接用电极12。在除了硅基板1的外缘部2以外的周边部上表面及包含布线9的保护膜7的上表面，在外部连接用电极12的周围，设有由包含硅微粉(silica filler)的环氧树脂、聚酰亚胺树脂等树脂构成的密封膜13。该情况下，密封膜13的侧面与外缘部2的垂直面共面。这里，外部连接用电极12设置为，其上表面与密封膜13的上表面共面或比密封膜13的上表面低几ym。在外部连接用电极12的上表面设有焊料凸块14。接着，对该半导体装置的制造方法的一例进行说明。首先如图3所示，准备如下装置，即在晶片状态的硅基板(以下称作半导体晶片21)上形成连接焊盘4、钝化膜5、保护膜7、由基底金属层10及上部金属层11构成的2层结构的布线9、外部连接用电极12以及密封膜13，研磨半导体晶片21的下表面侧而使半导体晶片21的厚度变薄。在该情况下，密封膜13由包含硅微粉的环氧树脂、聚酰亚胺树脂等树脂形成。另外，在图3中，以符号22表示的区域为切割道。并且，将切割道22及其两侧的钝化膜5及保护膜7去除，在该去除后的部分形成密封膜13。接着，将图3所示的装置的上下反转，如图4所示，将半导体晶片21的底面(形成有密封膜13等的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：小六泰辅，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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