一种石英晶振制造技术

一种石英晶振，设有石英晶片、设置于石英晶片两面的第一银电极层和第二银电极层，所述第一银电极层与所述石英晶片对应的一面之间镀有第一铬层，所述第二银电极与所述石英晶片对应的另一面之间镀有第二铬层，所述第一铬层的厚度设置为30～60埃，所述第二铬层的厚度设置为30～60埃。第一铬层的厚度与所述第二铬层的厚度相等。第一铬层的厚度和第二铬层的厚度均设置为50埃。该石英晶振镀有铬层，使石英晶片与银电极附着更牢固，不易脱落，且第一铬层和第二铬层厚度的设置，使得该石英晶振的电极附着更牢靠、产品老化率良好、并能够改善现有技术中存在的DLD不良现象。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，特别是涉及一种石英晶振。
技术介绍
晶振Crystal，是时钟电路中最重要的部件之一。晶振主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，晶振就如一标尺，如果晶振的工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定。因此，必须首先保证晶振的品质。晶振通常由石英晶片和银电极构成，但是，石英晶片与银电极之间附着不牢固，容易脱落。此外，还存在产品的频率老化率低、DLD不良多的缺陷。因此，针对现有技术不足，提供一种电极牢靠、产品老化率良好、能够改善DLD不良的石英晶振甚为必要。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种石英晶振，该石英晶振的电极牢靠、产品老化率良好、能够改善DLD不良现象。本技术的目的通过以下技术措施实现。本技术的一种石英晶振，设有石英晶片、设置于石英晶片两面的第一银电极层和第二银电极层，所述第一银电极层与所述石英晶片对应的一面之间镀有第一铬层，所述第二银电极与所述石英晶片对应的另一面之间镀有第二铬层，所述第一铬层的厚度设置为30 60埃，所述第二铬层的厚度设置为30 60埃。优选的，上述第一铬层的厚度与所述第二铬层的厚度相等。进一步的，上述第一铬层的厚度设置为40 55埃，所述第二铬层的厚度设置为 40 55埃。更进一步的，上第一铬层的厚度和所述第二铬层的厚度均设置为50埃。优选的，上述第一银电极层的厚度设置为2000 7000埃，所述第二银电极层的厚度设置为2000 7000埃。进一步的，上述第一银电极层的厚度与所述第二银电极层的厚度相等。进一步的，上述第一银电极层的厚度设置为3000 5000埃，所述第二银电极层的厚度设置为3000 5000埃。本技术的一种石英晶振，设有石英晶片、设置于石英晶片两面的第一银电极层和第二银电极层，所述第一银电极层与所述石英晶片对应的一面之间镀有第一铬层，所述第二银电极与所述石英晶片对应的另一面之间镀有第二铬层，所述第一铬层的厚度设置为30 60埃，所述第二铬层的厚度设置为30 60埃。该石英晶振涂布设置有铬层，使石英晶片与银电极附着更牢固，不易脱落，且第一铬层和第二铬层厚度的设置，使得该石英晶振的电极附着更牢靠、产品老化率良好、并能够改善现有技术中存在的DLD不良现象。附图说明利用附图对本技术作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本技术的任何限制。图1是本技术一种石英晶振的结构示意图。在图1中包括石英晶片100、第一铬层200、第一银电极层300、第二铬层400、第二银电极层500、第一铬层的厚度HI、第二铬层的厚度H2、第一银电极层的厚度D1、第二银电极层的厚度D2。具体实施方式结合以下实施例对本技术作进一步描述。实施例1。一种石英晶振，如图1所示，设有石英晶片100、以及设置于石英晶片100两面的第一银电极层300和第二银电极层500，第一银电极层300与石英晶片100对应的一面之间镀有第一铬层200，第二银电极与石英晶片100对应的另一面之间镀有第二铬层400，第一铬层200的厚度Hl设置为50埃，第二铬层400的厚度H2设置为50埃。第一银电极层300的厚度Dl通常设置为2000 7000埃，第二银电极层500的厚度D2通常设置为2000 7000埃，第一银电极层300和第二银电极层500的厚度具体根据实际需要可灵活设置。该石英晶振通过在石英晶振与第一银电极层300之间设置50埃的第一铬层200， 在石英晶振与第二银电极层500之间设置50埃的第二铬层400，铬层的设置，使得石英晶片 100与电极能够牢固附着，防止电极脱落。将第一铬层200和第二铬层400的厚度H2设置为50埃，能够改善产品的产品老化率不良、并能够改善现有技术中存在的DLD不良现象，且使得第一银电极和第二银电极附着更牢靠。实施例2。一种石英晶振，其它结构与实施例1相同，不同之处在于第一铬层200和第二铬层400的厚度H2不同。第一铬层200的厚度Hl设置为30 60埃，第二铬层400的厚度 H2设置为30 60埃。优选将第一铬层200和第二铬层400的厚度H2镀为相同厚度，以增强产品的可靠性。第一铬层200和第二铬层400在此厚度范围内，石英晶振的银电极附着牢靠，产品的老化率良好，DLD不良现象有明显改善。实施例3。—种石英晶振，其它结构与实施例1相同，不同之处在于第一铬层200和第二铬层400的厚度H2不同。第一铬层200的厚度Hl设置为40 55埃，第二铬层400的厚度 H2设置为40 55埃。需要说明的是，第一银电极层300的厚度Dl通常设置为2000 7000埃，第二银电极层500的厚度D2设置为2000 7000埃。为了增强可靠性，优选将第一银电极层300 的厚度Dl与第二银电极层500的厚度D2设置为相等。第一银电极层300的厚度Dl也可以设置为3000 5000埃，第二银电极层500的厚度D2也可以设置为3000 5000埃，具体的厚度根据实际需要和实际产品灵活设置。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。权利要求1.一种石英晶振，其特征在于设有石英晶片、设置于石英晶片两面的第一银电极层和第二银电极层，所述第一银电极层与所述石英晶片对应的一面之间镀有第一铬层，所述第二银电极与所述石英晶片对应的另一面之间镀有第二铬层，所述第一铬层的厚度设置为 30 60埃，所述第二铬层的厚度设置为30 60埃。2.根据权利要求1所述的石英晶振，其特征在于所述第一铬层的厚度与所述第二铬层的厚度相等。3.根据权利要求2所述的石英晶振，其特征在于所述第一铬层的厚度设置为40 55 埃，所述第二铬层的厚度设置为40 55埃。4.根据权利要求3所述的石英晶振，其特征在于所述第一铬层的厚度和所述第二铬层的厚度均设置为50埃。5.根据权利要求4所述的石英晶振，其特征在于所述第一银电极层的厚度设置为 2000 7000埃，所述第二银电极层的厚度设置为2000 7000埃。6.根据权利要求4任意一项所述的石英晶振，其特征在于所述第一银电极层的厚度与所述第二银电极层的厚度相等。7.根据权利要求1所述的石英晶振，其特征在于所述第一银电极层的厚度设置为 3000 5000埃，所述第二银电极层的厚度设置为3000 5000埃。专利摘要一种石英晶振，设有石英晶片、设置于石英晶片两面的第一银电极层和第二银电极层，所述第一银电极层与所述石英晶片对应的一面之间镀有第一铬层，所述第二银电极与所述石英晶片对应的另一面之间镀有第二铬层，所述第一铬层的厚度设置为30～60埃，所述第二铬层的厚度设置为30～60埃。第一铬层的厚度与所述第二铬层的厚度相等。第一铬层的厚度和第二铬层的厚度均设置为50埃。该石英晶振镀有铬层，使石英晶片与银电极附着更牢固，不易脱落，且第一铬层和第二铬层厚度的设置，使得该石英晶振的电极附着更牢靠、产品老化率良好、并能够改善现有技术中存在的DLD不良现象。文档编号H03H9/19GK202197255S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜自甫，
申请(专利权)人：广东惠伦晶体科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：