易开盖刻痕深度的调整方法技术

易开盖刻痕深度的微调方法，在结构上包括：下模(2)、位于下模(2)上部的易开盖盖坯(Q)、绕在下模(2)外围的电热线圈(3)和位于易开盖盖坯(Q)上方空间的上模(1)；其特征在于：其使用方法如下：所述下模(2)的高度(H)是通过绕制在下模(2)外围的电热线圈(3)对下模(2)进行加热造成其发生垂直方向的膨胀程度来微调的，即通过该高度(H)的微调来控制上模(1)底部刀模(W)冲刻易开盖盖坯(Q)时造成该易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)。—由于采用了金属热胀冷缩特性来控制易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)，这就为实现易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)深度(h’)的微调创造了条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及易开盖刻痕深度微调的技术。
技术介绍
易开盖刻痕深度是影响易开盖产品质量的关键因素；目前易开盖刻痕深度的调整主要通过在下模和基底之间增加硬质垫片(例如采用金属铜垫片)或手动调节其位移方法来实现的，其不足在于需要通过停机来完成上述的条件，给连续生产带来了不便。
技术实现思路
本专利技术之目的为解决上述问题而提出的易开盖刻痕深度的微调方法。为了实现专利技术目的，拟采用以下的技术A.本专利技术在结构上包括下模、位于下模正上方的易开盖盖坯、绕在下模外围的电热线圈和位于易开盖盖坯上方空间的上模；其特征在于B.本专利技术的使用方法所述的下模的高度是通过绕制在下模外围的电热线圈对下模进行感应加热造成下模发生垂直方向的膨胀程度来调整的，即通过该高度的微调整来控制上模底部刀模冲刻易开盖盖坯时造成该易开盖盖坯上刻痕的深度。本专利技术与现有技术比较的特点由于本专利技术采用了对金属的热胀冷缩特性来控制易开盖盖坯上刻痕的深度的微调，这就为方便地实现易开盖刻痕深度微调创造了条件。——可以在连续生产时无需停机的情况下通过冷热的调节来完成上下距离的微调(微量位移)。附图说明图示意了本专利技术的实施例。1 上模；2 下模；3 电热线圈；4 感温元件；Q 易开盖盖坯；W 刀模；V 刻痕；A 调温系统；P 基底；S 刻痕所在圆的环径；H 下模的高度；h 刀模深度；h’ 刻痕深度；U 电压。具体实施例方式如图所示，本专利技术的关键部件就是位于基底P上部的下模2(例如其直径为 68mm,高度H为40mm——它是由线膨胀系数为10. 95X 1061/K的Crl2作为材料制作成的)， 它高度H之变化(相当微小——在微米的量级上)完全是通过调温系统A根据感温元件4 测得的下模2温度值的反馈来决定提供给电热线圈3的电压U改变下模2的温度来完成的， 即最终通过冷热调节来完成上下位移的微调(微量位移)。当下模2的高度H确定以后，易开盖盖坯Q上的刻痕V的深度h’的数值也就被确定了。——上模1向下冲压(位移)的距离是个恒定值，因此，易开盖盖坯Q上的刻痕V的深度h’的数值是由下模2垂直方向热胀冷缩的位移距离所决定的。显然，本专利技术的方法关键点在于完全是通过下模2的向上微量位移来确定易开盖盖坯Q上的刻痕V的深度h’的，并且，实际的刻痕V深度h’会小于或等于刀模W的深度 h。例如下模2高度H为40mm，当调温系统A通过电热线圈3给下模2加热，温度波动范围在30°C至50°C时，下模2高度H的微调范围在10 μ m之间，也就是本专利技术在易开盖盖坯Q上的刻痕V的深度h’的微调范围至少在10 μ m之间，又由于易开盖盖坯Q上的刻痕 V深度h’是由上模1底部的刀模W冲刻易开盖盖坯Q造成的，刀模W的深度h为0. 5mm,刻痕V的深度h，可以为90 μ m。至于涉及本专利技术关键部位的其他次要执行元件的相关数据如下本专利技术刀模W —般可取其环径S为66mm (小于下模2的直径)，这样所刻出的位于易开盖盖坯Q上的环状刻痕V的环径S刀模W环径S完全一致.下模2外围绕制电热线圈3时的绕制距离不能超过下模2的高度H，例如其距离为30mm，线圈匝数为6匝。权利要求1.易开盖刻痕深度的微调方法，A.在结构上包括下模O)、位于下模O)正上方的易开盖盖坯⑴)、绕在下模(2)外围的电热线圈(3)和位于易开盖盖坯(Q)上方空间的上模(1)；其特征在于B.使用方法所述的下模O)的高度(H)是通过绕在下模(2)外围的电热线圈(3)对下模( 进行加热造成下模(2)发生垂直方向的膨胀程度来调整的，即通过该高度(H)的调整来控制上模(1)底部刀模(W)冲刻易开盖盖坯(Q)时造成该易开盖盖坯(Q)上刻痕 (V)的深度(h，)。全文摘要易开盖刻痕深度的微调方法，在结构上包括下模(2)、位于下模(2)上部的易开盖盖坯(Q)、绕在下模(2)外围的电热线圈(3)和位于易开盖盖坯(Q)上方空间的上模(1)；其特征在于其使用方法如下所述下模(2)的高度(H)是通过绕制在下模(2)外围的电热线圈(3)对下模(2)进行加热造成其发生垂直方向的膨胀程度来微调的，即通过该高度(H)的微调来控制上模(1)底部刀模(W)冲刻易开盖盖坯(Q)时造成该易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)。—由于采用了金属热胀冷缩特性来控制易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)，这就为实现易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)深度(h’)的微调创造了条件。文档编号B21D51/44GK102416426SQ201110226898公开日2012年4月18日 申请日期2011年8月2日 优先权日2011年8月2日专利技术者汪伟, 蔡慧, 金丽秋 申请人:中国计量学院本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金丽秋，汪伟，蔡慧，
申请(专利权)人：中国计量学院，
类型：发明
国别省市：