本发明专利技术涉及一种封装基板。该封装基板用于封装发光二极管，其包括一基板主体，一整流装置以及一绝缘层。该基板主体具有一第一表面，该第一表面上形成金属线路层，且该第一表面上形成有多个凹槽。该整流装置包括多个二极管，该多个二极管分别设置在该基板的凹槽内，该多个二极管通过该金属线路层电连接成一桥式电路。该绝缘层形成在该基板主体的第一表面上，该桥式电路的两个输出端穿过该绝缘层，以用于与待封装的发光二极管电连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装基板，尤其涉及一种具有桥式整流电路功能的封装基板。
技术介绍
目前，发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。现在的在封装基板上封装发光二极管时，一般直接将发光二极管封装在封装基板上。如需直接采用交流电源对发光二极管供电，则需要封装基板上设置一个整流电路，因此，导致发光二极管封装结构复杂。
技术实现思路
下面将以实施例说明一种具有桥式整流电路功能的封装基板。一种封装基板，其用于封装发光二极管。该封装基板包括一基板主体，一整流装置以及一绝缘层。该基板主体具有一第一表面，该第一表面上形成金属线路层，且该第一表面上形成有多个凹槽。该整流装置包括多个二极管，该多个二极管分别设置在该基板的凹槽内，该多个二极管通过该金属线路层电连接成一桥式电路。该绝缘层形成在该基板主体的第一表面上，该桥式电路的两个输出端穿过该绝缘层，以用于与发光二极管电连接。相对于现有技术，所述封装基板内形成有整流装置，因此，将发光二极管设置在该封装基板上，直接将发光二极管与桥式电路的输出端电连接，从而可以直接通过外部交流电源供电，无需在封装基板上再次设置整流电路，因此，该封装基板结构简单。附图说明图1是本专利技术实施例提供的封装基板的剖面示意图。图2是图1的封装基板的俯视图。图3是图2中设置在封装基板上的二极管的电路连接方式的等效电路图。主要元件符号说明封装基板100基板本体10第--表面11第二二表面12第--导电材料13第二二导电材料14第--电连接点15第二二电连接点16凹和I17金属线路层18第一 通孔115第二.通孑L116整流装置20第一 二极管21第二.二极管22第三.二极管23第四二极管2具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术实施例作进一步的详细说明。请参见图1与图2，本专利技术第一实施例提供一种用于封装发光二极管的封装基板 100。该封装基板100包括基板本体10，整流装置20以及一个绝缘层30。在本实施例中，该基板本体10具有一第一表面11以及一与其相对的第二表面12。 该基板本体10上具有贯穿该第一表面11与该第二表面12的第一通孔115和第二通孔116。 该第一通孔115和第二通孔116分别用于填充第一导电材料13以及第二导电材料14。在本实施例中，该基板本体10的第二表面12上具有与第一导电材料13电连接的第一电连接点15，以及与该第二导电材料14电连接的第二电连接点16。该第一电连接点15与第二电连接点16作为外部电源接入点，其用于将外部电源电连接。基板本体10的第一表面11上具有多个向该第二表面12延伸的凹槽17。在本实施例中，该第一表面上具有四个向该第二表面12延伸的凹槽17，该四个凹槽17排列成矩形，该第一通孔115和第二通孔116位于该矩形的两端部。该基板本体10通常为蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓 (GaAs)、偏铝酸锂(LiAlO2)、氧化镁(MgO)、氧化锌(SiO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、或氮化铟αηΝ)等单晶基板。在本实施例中，该整流装置20包括四个二极管，其分别设置在该基板本体10的第一表面11上的四个凹槽17内。在本实施例中，该整流装置20包括一第一二极管21，一第二二极管22，一第三二极管23以及一第四二极管Μ。在本实施例中，该整流装置20所包括的多个二极管通过掺杂的方式直接成长在该基板本体10的凹槽17内。在本实施例中，该基板本体10的第一表面11上形成有金属线路层18。该金属线路层18用于将该多个二极管相互电连接，形成一个桥式电路。请一并参见图3，其为图2中电路连接方式的等效电路图。该第一二极管21，一第二二极管22，一第三二极管23以及一第四二极管M电连接成一桥式电路，该四个二极管分别作为桥式电路的一个桥臂。其中，该第一二极管21与第三二极管23为一相对桥臂，该第二二极管22与第四二极管M为一相对桥臂。该第一二极管21的阳极与第四二极管M的阴极相连接处定义为电连接点Α，该第二二极管22的阳极与第三二极管23的阴极相连接处定义为电连接点 B。电连接点A与电连接点B作为该桥式电路的外部电源接入点，用于与外部电源电连接。 在本实施例中，该外部电源为一交流电源。该第一二极管21的阴极与第二二极管22的阴极相连接处定义为电连接点C，该第三二极管23的阳极与第四二极管M的阳极相连接处定义为电连接点D。电连接点C与电连接点D作为该封装基板100的电源输出点。具体地，封装在该封装基板100上的发光二极管的两电极直接连接电连接点C与电连接点D，并通过外部电源对该发光二极管供电，从而通过该种封装基板100，实现了直接对发光二极管交流供电。该封装基板100结构简单， 可直接接通外部交流电源以对封装于其上的发光二极管进行交流供电。在实施例中，该绝缘层30形成在该基板本体10的第一表面11上。该绝缘层30 可以由玻璃，或硅等绝缘材料制成。电连接点C与电连接点D通过蒸镀方式透过该绝缘层 30，并在该绝缘层30的远离该基板本体10的表面上形成有电连接点，以用于与待封装至该封装基板100上的发光二极管电连接。可以理解的是，本领域技术人员还可于本专利技术精神内做其它变化，只要其不偏离本专利技术的技术效果均可。这些依据本专利技术精神所做的变化，都应包含在本专利技术所要求保护的范围之内。权利要求1.一种封装基板，其用于封装发光二极管，该封装基板包括一基板主体，其具有一第一表面，该第一表面上形成金属线路层，且该第一表面上形成有多个凹槽；一整流装置，其包括多个二极管，该多个二极管分别设置在该基板的凹槽内，该多个二极管通过该金属线路层电连接成一桥式电路；及一绝缘层，其形成在该基板主体的第一表面上，该桥式电路的两个输出端穿过该绝缘层，以用于与待封装的发光二极管电连接。2.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该基板主体进一步包括一个与该第一表面相对的第二表面，该基板主体上具有贯穿该第一表面与该第二表面的第一通孔与第二通孔，该金属线路层的两电极分别通过该第一通孔与该第二通孔引导至该基板主体的第二表面。3.如权利要求2所述的封装基板，其特征在于，该第一通与该第二通孔内分别填充有第一导电材料与第二导电材料。4.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该多个二极管通过掺杂的方式直接成长在该基板本体的凹槽内。5.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该绝缘层为玻璃或硅。6.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该该桥式电路的两个输出端通过蒸镀方式穿出该绝缘层。全文摘要本专利技术涉及一种封装基板。该封装基板用于封装发光二极管，其包括一基板主体，一整流装置以及一绝缘层。该基板主体具有一第一表面，该第一表面上形成金属线路层，且该第一表面上形成有多个凹槽。该整流装置包括多个二极管，该多个二极管分别设置在该基板的凹槽内，该多个二极管通过该金属线路层电连接成一桥式电路。该绝缘层形成在该基板主体的第一表面上，该桥式电路的两个输出端穿过该绝缘层，以用于与待封装的发光二极管电连接。文档编号H01L33/48GK102412358SQ201010289258公开日2012年4月11日 申请日期2010年9月23日 优先本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳辉，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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