一种织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法技术

技术编号：7269769 阅读：331 留言：0更新日期：2012-04-15 14:53

本发明专利技术涉及纳米结构金属材料领域，具体地说是一种织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法，其微观结构由柱状晶粒组成，晶粒尺寸在1-50微米范围内，各晶粒内部均匀分布着高密度的纳米孪晶片层结构，孪晶片层的厚度从30纳米到几百纳米不等。结构特点：织构，柱状晶粒，小角晶界；垂直于生长方向的纳米尺寸孪晶片层，∑3共格孪晶界面；晶粒尺寸、孪晶片层可控生长，块体，其强度可达到粗晶铜的10倍。本发明专利技术利用传统的直流电解沉积技术，只需对工艺条件稍作改变，控制适当的镀液组成和沉积参数即可。本发明专利技术可解决现有技术中铜材料存在的性能问题，获得的铜材料性能优良，具有高强度的同时，具有高热稳定性、高导电性和塑性。