【技术实现步骤摘要】
本技术涉及利用多晶提拉出单晶硅领域，具体属于单晶炉的坩埚加热装置。
技术介绍
目前，直拉单晶炉是晶体生长设备中最重要的产品系列，用它来制作人工晶体，晶体生长速度最高，最容易实现人工控制，因此也获得了最广泛的应用。为了生长出大尺寸和高质量的单晶，人类几乎用了一切先进的手段。在单晶炉上集成了材料、机械、电气、计算机、磁多方面的高端知识和技术。硅单晶体作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。大部分的半导体硅单晶体采用直拉法制造。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种单晶炉的坩埚加热装置，结构设计合理，减少了热量损失，温度均勻性好，温度升高速度快，加热效率明显提高，且生产成本降低。本技术的技术方案如下单晶炉的坩埚加热装置，包括有石墨坩埚，所述石墨坩埚下方支托锅托，所述的锅托是由四个相互拼合的锅托体构成，锅托下方顶置有承托架，各个锅托体的缝隙放置有条形的坩埚垫。所述的承托架的顶端设有承托盘，承托盘的上端面具有与锅托体底部相配合的凹本技术的结构设计合理，减少了热量损失，温度均勻性好，温度升高速度快， 加热效率明显提高，且生产成本降低。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式参见附图，单晶炉的坩埚加热装置，包括有石墨坩埚1，石墨坩埚1下方支托锅托 2，锅托2是由四个相互拼合的锅托体3构成，锅托下方顶置有承托架4，各个锅托体3的缝隙放置有条形的坩埚垫5，承托架的顶端设有承托盘6，承托盘6的上端面具有与锅托体底部相配合的凹面。权利要求1.单晶炉的坩埚加热装置，包括有石墨坩埚，其特征在于所述石墨坩埚下方支托锅托，所述的锅托是由四个相互拼合的锅托体构成，锅托下...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林游辉，
申请(专利权)人：合肥景坤新能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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