导体层形成用组合物及导体基板、以及导体基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种导体层形成用组合物、使用其的导体基板及其制造方法，所述导体层形成用组合物能够形成导电性优异的导体层，并且在形成导体层时，工序数量少，且无需高温下的处理，制造成本低。所述导体层形成用组合物包含下述式(1)所示的金属络合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
作为制造IC标签的天线、电磁波屏蔽体、柔性印刷布线板等的导体层的方法，广泛利用光刻工艺。作为仅通过单纯的印刷来形成导体图案的方法，已知有印刷由银等的金属微粒形成的导电性墨的方法。使用金属微粒时，为了获得充分的电导率，使颗粒间紧密地融合是不可或缺的。此外，需要充分地除去作为金属微粒的粘结剂配合的树脂等非金属成分，很多情况下，在150°C以上的高温下实施烧成。除了光刻工艺、导电性墨印刷以外，还已知有加成法(additive method)。光刻工艺是通过蚀刻除去不需要的导体层的方法(subtractive method,消减法)，与此相对，加成法是仅在需要的地方通过化学镀敷形成导体层的方法。该方法中，通常通过印刷法等形成化学镀敷的催化剂层，然后在该处实施化学镀敷。例如专利文献1中公开了印刷含有钯、钼、镍、铜络合物的墨的方法。专利文献2 中公开了印刷含有聚合物以及第IB属金属或第8属金属的化合物、络合物或胶体的催化剂墨后实施金属镀敷的方法。现有技术文献专利文献专利文献1 美国专利第4，368，281号说明书专利文献2 日本特表平6-508181号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，光刻工艺需要诸多工序在铜箔层压板上涂布光致抗蚀剂的工序；通过介由光掩模的曝光对抗蚀剂进行图案烧蚀的工序；对光致抗蚀剂进行显影并蚀刻铜箔的工序寸。由于导电性墨印刷需要在150°C以上的温度下进行烧成，所以聚对苯二甲酸乙二醇酯等通用塑料基材在耐热性的方面存在难以使用的问题。关于加成法，例如专利文献1的墨由于不仅含有溶剂还含有粘接剂作为必须成分，所以不仅需要使溶剂干燥的工序，还需要在印刷后进行用于使粘接剂交联的热处理工序，因此，存在工序数量多而繁杂的问题。专利文献2的方法中，除了印刷后的干燥工序以外，为了使催化剂活化，需要在160 500°C这样的高温下进行热处理，存在无法避免基材的树脂薄膜变质的问题。此外，专利文献1及专利文献2的墨中配合的成分实质上限于钯系化合物。因此，存在无法避免因使用昂贵的钯而产生的成本方面的不利的问题。对于以上述墨为代表的现有的墨而言，除了用于形成导体层的工序数量多、需要高温下的处理等问题以外，还存在墨成分非常昂贵的问题，期望开发解决这种问题的技术。本专利技术是鉴于上述情况而进行的，目的在于提供一种导体层形成用组合物、使用其的导体基板及其制造方法，所述导体层形成用组合物能够制成导电性优异的导体层，并且在形成导体层时，工序数量少且无需高温下的处理，制造成本低。用于解决问题的方案本专利技术人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，通过使用具有特定结构的金属络合物作为导体层形成用组合物，从而能够在基材上形成导电性优异的导体层， 并且工序数量少且无需高温下的处理，成本低，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术如下所述。 一种导体层形成用组合物，其包含下述式(1)所示的金属络合物。权利要求1. 一种导体层形成用组合物，其包含下述式(1)所示的金属络合物，2.根据权利要求1所述的导体层形成用组合物，其中，所述R1、! 2、! 3、! 4及R5各自独立地表示氢原子或异丙基。3.根据权利要求1或2所述的导体层形成用组合物，其中，所述M表示Cu。4.一种导体基板，其包含基材，以及通过将权利要求1 3中任一项所述的导体层形成用组合物涂布到所述基材上后进行还原而形成的导体层。5.一种导体基板的制造方法，其包括以下工序将包含下述式(1)所示的金属络合物的导体层形成用组合物涂布到基材上，然后进行还原，6.根据权利要求5所述的导体基板的制造方法，其中，所述还原使用硼氢化钠来进行。7.根据权利要求5或6所述的导体基板的制造方法，其中，在进行所述还原后，还包括对所述导体层实施镀敷的工序。8.根据权利要求7所述的导体基板的制造方法，其中，所述镀敷为化学镀敷。9.根据权利要求8所述的导体基板的制造方法，其中，所述化学镀敷为化学镀铜。10.根据权利要求5 9中任一项所述的导体基板的制造方法，其中，将所述导体层形成用组合物涂布到基材上的方法通过柔性印刷或凹版印刷来进行。全文摘要本专利技术提供一种导体层形成用组合物、使用其的导体基板及其制造方法，所述导体层形成用组合物能够形成导电性优异的导体层，并且在形成导体层时，工序数量少，且无需高温下的处理，制造成本低。所述导体层形成用组合物包含下述式(1)所示的金属络合物。文档编号C23C18/16GK102396037SQ20108001681公开日2012年3月28日 申请日期2010年4月5日 优先权日2009年4月14日专利技术者清水克也 申请人:旭化成电子材料株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水克也，
申请(专利权)人：旭化成电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：