用于从载体中分离晶片的装置和方法制造方法及图纸

一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的装置，其带有用于接收由载体与晶片构成的载体晶片复合体的接收装置、用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件和用于从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体的分离器件，其中，解开连接器件构造成在0至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。此外本发明专利技术涉及一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的方法，其带有以下步骤：在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体、通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接并且通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体，其中，解开连接器件在直至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于将晶片从载体中分离(Abl0esen)的根据权利要求1的一种装置和根据权利要求14的一种方法。
技术介绍
晶片的背面减薄(Rueckduermen)在半导体工业中经常是必需的，并且可机械地和/或化学地来实现。为了背面减薄，晶片通常暂时地固定在载体上，其中对于固定存在不同的方法。例如可使用薄片、玻璃基层或硅晶片作为载体材料。根据所使用的载体材料和所使用的在载体与晶片之间的连接层，已知用于溶解或破坏连接层的不同的方法，例如使用紫外光，激光光束、温度效应或溶剂。分离越来越作为最重要的工艺步骤中的一个示出，这是因为带有几μ m的基层厚度的薄的基层(Substrate)在分离/取出时易于折断或者由于对于分离的过程所必需的力而遭受损伤。此外，薄的基层几乎不具有形状稳定性并且典型地无支撑材料地卷起。因此，在背面减薄的晶片的手动操作期间，晶片的固定和支撑实际上是不可避免的。文件DE 10 2006 032 488 B4描述了一种用于借助于激光加热连接材料的方法， 其中，连接材料的连接效果通过与此相联系的温度显著升高到400至500°C来消除。因此， 虽然整个晶片堆的加热的问题被解决(参见那里)。但是，至少边缘区域和由于晶片材料的良好的热的传导还有相邻于边缘区域的区域经受了显著的温度升高。在此，所产生的温度梯度也是成问题的。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的是说明一种装置和一种方法，以便尽可能无损坏地将晶片从载体中解开。本目的通过权力要求1和14的特征来实现。本专利技术的有利的改进方案在从属权利要求中说明。在说明书、权力要求和/或附图所说明的特征中的至少两个的所有的组合也落在本专利技术的框架中。在所说明的值范围中，处于所提到的边界内的值也应公开为边界值并且可以以任意的组合要求权利。本专利技术的构思在于规定一种装置，利用其能够在温度小于350°C的情况下进行分离。已证实的是，处于350°C之上的温度范围对于晶片正好可能为有损害的。此外对于更高的温度需要更多的能量，从而根据本专利技术的装置需要更少的能量，以便从载体中解开晶片。相应地，用于将晶片从通过连接层与晶片相连接的载体中分离的根据本专利技术的装置通过以下特征来标识-用于接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体的接收装置，-用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件 (Verbindungsloesemittel)禾口4-用于从载体中分离晶片或者用于从晶片中分离载体的分离器件，其中，解开连接器件构造成在0至350°C的、尤其在10至200°C的、优选地20至 80°C的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。此外根据本专利技术设置有一种将晶片从通过连接层与晶片相连接的载体中分离的方法，其可具有以下步骤-在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体，-通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接以及-通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体，其中，解开连接器件在直至350°C的、尤其10至200°C的、优选地20至80°C的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。对晶片理解为产品基层(Produktsubstrat)，例如半导体晶片，其通常变薄到在 0. 5 μ m与250 μ m之间的厚度，其中，趋势为产品基层越来越薄。作为载体，例如应用带有在50μπι与5000μπι之间的厚度的载体基层。粘胶、例如可松开的粘胶、尤其热塑性塑料可以考虑作为连接层，其例如选择性地被施加在载体晶片复合体的边缘区域中、尤其在0. 1至20mm的边缘区域中。替代地，粘胶可整个面地来施加，其中，中心的粘结力可通过降低粘附的层、例如聚氟物、优选地特氟龙来降低。特别夹盘(Chuck)、尤其用于接收载体晶片复合体的旋转夹盘适合作为接收装置， 尤其借助于负压，例如吸道(Saugbahn)、孔或吸盘(Saugnapf)。替代地，机械的接收部(例如通过侧面的夹子)是可考虑的。上方的基层接收部(例如释放夹盘(Release-chuck))可用作分离器件，优选地通过负压加载，例如吸道、孔或吸盘。在本专利技术的一个有利的实施形式中设置成，解开连接器件构造成基本上不加热地工作。以该方式能够放弃每个加热装置。在本专利技术的另一有利的实施形式中设置成，解开连接器件包括用于解开连接层的流体介质(Fluidmittel)，尤其选择性地溶解连接层的溶剂。连接层的化学的溶解特别保护晶片并且对于相应的材料选择，溶解也可非常快速地实现，尤其当仅晶片的边缘区域设有连接层时，使得溶剂可从侧面这里快速地作用。以该方式，可放弃在载体基层和/或产品基层中的打孔。在本专利技术的替代的实施形式中设置成，解开连接器件包括用于解开连接层的机械的分开器件(Trermmittel)，尤其用于切开连接层的刀具。由此，晶片从载体中特别快速的分离是可能的。也可考虑机械的分离器件与流体介质的组合。在本专利技术的另一替代的实施形式中设置成，解开连接器件包括用于解开连接层的紫外光源。该实施形式也可与带有机械的分开器件的实施形式和/或带有流体介质的实施形式相组合。只要解开连接器件构造成尤其仅从载体晶片复合体的侧缘作用，则可放弃从晶片的上侧和/或下侧、尤其位于侧缘内的内部区域作用晶片和/或载体。通过设置有用于旋转载体晶片复合体的旋转装置，可放弃解开连接器件布置在载体晶片复合体的整个周边上，并且在载体晶片复合体的周边处的部分的作用是足够的。有利地，解开连接器件具有至少一个包围侧缘的、尤其在接收装置和/或分离器件处优选地密封地作用的解开装置(Loeseeinrichtimg)。通过使解开装置包围载体晶片复合体的侧缘，特别有效的作用于连接层是可能的。此外，解开装置用于晶片的保护、尤其侧缘的保护。此外可通过包围的措施阻止流体介质从解开装置离开或紫外光强度损失。在应用机械的分开器件时避免可能的污物从解开装置离开并且污染晶片。解开装置在有利的设计方案中在横截面中构造成U形。只要解开连接器件、尤其解开装置具有优选地对环境密封的工作腔，则上面提到的优点还被更好地转化，尤其在使用流体介质时。在本专利技术的另一有利的设计方案中设置成，工作腔构造成接收载体晶片复合体的侧缘的周围部分⑴mfangssektor)。有利地，工作腔仅些微地在载体晶片复合体的侧缘上向晶片中心的方向伸延，尤其直至在载体侧上的接收方向并且直至在晶片侧上的分离器件。有利地，分离器件可旋转地构造，尤其借助于可旋转的接收装置来驱动。只要解开连接器件具有用于清洁晶片的清洁剂，则在分离晶片的同时可至少在作用有连接层的区域中实现晶片的清洁。根据本专利技术的方法由此被改进，即连接层在载体晶片复合体的侧缘的区域中粘附地并且在尤其由聚氟物形成的、优选地仅接触晶片的内部区域中至少在晶片的方向上更少粘附地直至不粘附地来构造。附图说明从优选的实施例的下面的说明以及借助于附图得到本专利技术的另外的优点、特征和细节；其中图1显示了在根据本专利技术的第一方法步骤中的根据本专利技术的装置的示意图，图2显示了在根据本专利技术的第二方法步骤中的根据本专利技术的装置的示意图，图3a、3b、3c显示了在根据本专利技术的第二方法步骤中的根据本专利技术的解开装置的示意性的详细视图，图4显示了在根据本专利技术的第三方法步骤中的根据本专利技术的解开装置的示意性的详细视图，图5显示了在用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·塔尔纳，
申请(专利权)人：EV集团有限责任公司，
类型：发明
国别省市：