一种蓝光LED结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种蓝光LED结构,包括蓝宝石底层，所述蓝宝石底层的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面；所述蓝宝石底层的上方自下而上依次设置有氮化镓缓冲层、n-GaN:SI接触层、AI0.1Ga0.9N:Mg保护层、InGaN/GaN发光层、p-AI0.1Ga0.9N:Mg保护层和p-GaN:Mgp型电接触层；所述n-GaN:SI接触层连接有n型电极；所述p-GaN:Mgp型电接触层连接有p型电极。该蓝光LED结构具有抗静电能力强、没有漏电流、可靠性高、光效高等优点，可以应用到生产线上进行大批量生产。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体照明
，具体地说，涉及一种蓝光LED结构。
技术介绍
白光LED具有节能、环保、寿命长、可以工作在高速状态等诸多优点，其用途越来越广，政府正大力推广。目前，通常采用蓝光LED激发黄色萤光粉来生产白光LED。现有的蓝光LED的外延结构如附图说明图1所示，是在衬片层的上面自下而上依次设有蓝宝石衬底层、低温GaN缓冲层、N-GaN接触层、InGaN/GaN发光层、PAWaN过渡层和P-GaN接触层。该结构的蓝光LED的抗静电能力较弱，一般是500V，容易被静电击穿。如何提高其抗静电能力，减少漏电流，提高光效、延长LED的使用寿命正成为当今大家最为关心的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种蓝光LED结构，该蓝光LED结构具有抗静电能力强、没有漏电流、可靠性高、光效高等优点，可以应用到生产线上进行大批量生产。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种蓝光LED结构，包括蓝宝石底层，所述蓝宝石底层的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面；所述蓝宝石底层的上方自下而上依次设置有氮化镓缓冲层、n-GaN:SI接触层、AIa^iia9N = Mg保护层、 化6鄉/6鄉发光层、？41(1.16￡1(1.0:1%保护层和p-GaN:Mg ρ型电接触层；所述n-GaN:SI接触层连接有η型电极；所述p-GaN:Mg ρ型电接触层连接有ρ型电极。作为优选，所述氮化镓缓冲层的厚度为IOnm -lOOnm。作为优选，所述n-GaN:SI接触层的厚度为2um_10um。作为优选，所述AIa Aiia9N = Mg保护层的厚度为10nm-100nm。作为优选，所述hGaN/GaN发光层的厚度为lOnm-lOOnm。作为优选，所述ρ-ΑΙ。. A^l9N = Mg保护层的厚度为lOnm-lOOnm。作为优选，所述p-GaN:Mg ρ型电接触层的厚度为50nm_500nm。由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是本专利技术的蓝光LED结构，由于在hGaN/GaN发光层的下面先长了一层AIa ^a0.9NMg保护层，之后长hGaN/GaN发光层， 长完hGaN/GaN发光层后，再长ρ_ΑΙα A^l9N = Mg保护层，这样就杜绝了漏电流的产生，使其抗静电电压提高到5000V，提高了蓝光LED的抗静电能力，提高了其可靠性，延长了使用寿命，可大批量生产、大面积推广。本专利技术的蓝光LED结构，由于蓝宝石底层的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面，设置在其上表面的氮化镓缓冲层也呈与该凹凸面相适配的凹凸状，设置在氮化镓缓冲层上面的n-GaN:SI接触层也相应具有由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸下表面，因而增大了相互之间的接触面积，极大地提高了蓝光LED的发光效率。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明图1是现有技术的蓝光LED外延结构示意图；图2是本技术实施例的结构示意图；图1中01-蓝宝石衬底层；02-低温GaN缓冲层；03- N-GaN接触层；04- InGaN/ GaN发光层；05-PAWaN过渡层；06_P_GaN接触层；图2中1-蓝宝石底层；2-氮化镓缓冲层；3- n-GaN:SI接触层；4- AIaiGiia9N = Mg 保护层；5- InGaN/GaN 发光层；e-p-AI^Gi^.^Mg 保护层；7-p-GaN:Mg ρ 型电接触层；8_η 型电极；9-ρ型电极。具体实施方式如图2所示，一种蓝光LED结构，包括蓝宝石底层1，所述蓝宝石底层1的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面；所述蓝宝石底层1的上方自下而上依次设置有氮化镓缓冲层2、n-GaN:SI接触层3、AI0. A^l9N = Mg保护层4、InGaN/GaN发光层5、 P-AI0. !Ga0^NiMg保护层6和p-GaN:Mg ρ型电接触层7 ；所述n-GaN: SI接触层3连接有η型电极8 ；所述p-GaN:Mg ρ型电接触层7连接有ρ型电极9。其中，所述氮化镓缓冲层2的厚度为IOnm -lOOnm。其中，所述n_GaN:SI接触层3的厚度为2um_10um。其中，所述AIa A^l9N = Mg保护层4的厚度为lOnm-lOOnm。其中，所述hGaN/GaN发光层5的厚度为lOnm-lOOnm。其中，所述P-AIaiGEia9N = Mg 保护层 6 的厚度为 10nm-100nm。其中，所述p-GaN:Mg ρ型电接触层7的厚度为50nm_500nm。该p_GaN:Mg ρ型电接触层7的材料是Pt、Ag、Ti或者Au，其中Ag可以起到反射镜的作用，可提高LED的发光效率。如图1所示，现有技术的蓝光LED的外延结构是自下而上依次设有蓝宝石衬底层 01、低温GaN缓冲层02、N-GaN接触层03、InGaN/GaN发光层04、PAWaN过渡层05和P-GaN 接触层06。与图1所示的蓝光LED相比，本专利技术的蓝光LED结构，由于在hGaN/GaN发光层5 的下面先长了一层AIaiGEia9N = Mg保护层4，之后长hGaN/GaN发光层5，长完hGaN/GaN发光层5后，再长P-AIaiGiia9N = Mg保护层6，这样就杜绝了漏电流的产生，使其抗静电电压提高到5000V，提高了蓝光LED的抗静电能力，提高了其可靠性，延长了使用寿命，可大批量生产、大面积推广；由于蓝宝石底层1的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面，设置在其上表面的氮化镓缓冲层2也呈与该凹凸面相适配的凹凸状，设置在氮化镓缓冲层2 上面的n-GaN:SI接触层3也相应具有由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸下表面，因而增大了相互之间的接触面积，极大地提高了蓝光LED的发光效率。以上所述为本技术最佳实施方式的举例，其中未详细述及的部分均为本领域普通技术人员的公知常识。本技术的保护范围以权利要求的内容为准，任何基于本技术的技术启示而进行的等效变换，也在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种蓝光LED结构，包括蓝宝石底层，其特征在于所述蓝宝石底层的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面；所述蓝宝石底层的上方自下而上依次设置有氮化镓缓冲层、n-GaN:SI 接触层、AIaiGEia9N = Mg 保护层、hGaN/GaN 发光层、P-AIaiGEia9N = Mg 保护层和p-GaN:Mg ρ型电接触层；所述n-GaN:SI接触层连接有η型电极；所述p-GaN:Mg ρ型电接触层连接有P型电极。2.如权利要求1所述的一种蓝光LED结构，其特征在于所述氮化镓缓冲层的厚度为 IOnm -IOOnm03.如权利要求1所述的一种蓝光LED结构，其特征在于所述n-GaN:SI接触层的厚度为 2um_10umo4.如权利要求1所述的一种蓝光LED结构，其特征在于所述AIa^a9N = Mg保护层的厚度为 IOnm-IOOnm。5.如权利要求1所述的一种蓝光LED结构，其特征在于所述hGaN/GaN发光层的厚度为 IOnm-IOOnm。6.如权利要求1所述的一种蓝光LED结构，其特征在于所述P-AIaiGiia9N= Mg保护层的厚度为IOnm-IOOnm。7.如权利要求1所述的一种蓝光LED结构，其特征在于所述p本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吉磊，吉爱华，吉爱国，吉慕璇，张志伟，
申请(专利权)人：吉爱华，
类型：实用新型
国别省市：