一种电源重置电路，包括一电源重置单元、一电压检测单元以及一开关单元。其中电源重置单元具有一电阻电容电路耦接至电源重置单元的输入端并产生一延迟输入电压，电源重置单元根据延迟输入电压及一第一临界电平以在其输出端输出一重置信号。电压检测单元检测一电源电压，并根据电源电压的电平下降一偏移电压来产生一开关信号。另外，开关单元耦接在电压检测单元与电源重置单元的输入端间，根据开关信号导通而使电源重置单元的输入端导通至一参考电压。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种重置电路，特别涉及一种电源的开机重置(power on reset)电路。
技术介绍
在设计电子电路时，往往会加入重置(reset)机制在电路中，以使所设计的电子电路在需要时得以回复为初始状态。尤其在对电子电路开启电源(开机)之初时，电路中各元件(例如暂存器)处于不确定状态，此时需要重置这些电路元件，以将电路中各元件设定为初始状态。图IA为现有的电源重置电路的电路图。请参照图1A，现有的电源重置电路100A 包括电阻Rl、电容Cl以及反相器Al。其中电阻Rl耦接于电源电压VDD与反相器Al的输入端之间，电容Cl耦接于反相器Al的输入端与接地电压GND之间。请同时参照图1A、图2A以及图2B，其中，图2A为图IA中的电源重置电路中反相器Al输出端的电压波形图，而图2B为图IA中的电容Cl上电压的电压波形图。当系统的电源开启时，电源电压VDD的电压渐渐上升，此时电容Cl上的电压也随之渐渐上升，当电容 Cl上的电压被充电至反相器Al的转换电平时，反相器Al的输出端便由逻辑高电平转为逻辑低电平。而当电源电压VDD因为某种原因而下降时(非关闭电源)，电容Cl中所储存的电能将通过电阻Rl流向电源电压VDD，而使得电容Cl上的电压下降。当电容Cl上的电压下降至反相器Al的转换电平时，反相器Al便可根据其输入端的电平在其输出端输出一逻辑高电平的重置信号SR以重置系统，而避免系统因为所接收的电源电压VDD过低而导致误动作的发生。然而如图2B所示，若当电容Cl上的放电速度过慢时，将使得电容Cl上的电压无法实时下降至反相器Al的转换电平，就会使得反相器Al无法在其输出端输出重置信号SR， 并进而使系统因为电源电压VDD过低而导致不可预期的状态发生。当电源电压VDD回复正常工作电压后，系统将因其内部信号错乱而无法正常工作。上述图IA中现有的电源重置电路100A仅为多种现有电源重置电路的其中一种， 其它现有的电源重置电路例如可将电源重置电路100A中的电阻Rl置换为一 P型晶体管Ql 或N型晶体管M1，其耦接的方式如图IB 图ID所示。反相器Al输出端的电压波形以及电源重置电路100B 100D中电容Cl上电压的电压波形分别类似于图2A与图2B所示的电压波形，其动作原理类似于图IA中的电源重置电路100A，在此不再赘述。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电源重置电路，确保在电源下降成低电压时可有效发出重置信号。本专利技术提出一种电源重置电路，包括一电源重置单元、一电压检测单元以及一开关单元。其中电源重置单元具有一电阻电容电路耦接至电源重置单元的输入端并产生一延迟输入电压，电源重置单元根据延迟输入电压及一第一临界电平以在其输出端输出一重置信号。电压检测单元接收并检测一电源电压，并根据电源电压的电平下降一偏移电压来产生一开关信号。另外，开关单元耦接在电压检测单元与电源重置单元的输入端间，根据开关信号导通而使电源重置单元的输入端导通至一参考电压。在本专利技术的一实施例中，上述电压检测单元包括一压降单元与一缓冲器。其中压降单元耦接电源电压，并将电源电压的电平下降一偏移电压以使电压检测单元产生开关信号。另外缓冲器的输入端与输出端分别耦接压降单元与开关单元，当电源电压下降一偏移电压后的电平低于一第二临界电平时，缓冲器输出开关信号。在本专利技术的一实施例中，上述缓冲器为一反相器。在本专利技术的一实施例中，电源重置电路还包括一第一电容单元，其耦接于电源电压与缓冲器的输入端之间。在本专利技术的一实施例中，上述压降单元为一二极管元件，其中二极管元件的阳极耦接电源电压，二极管元件的阴极耦接缓冲器的输入端。在本专利技术的一实施例中，上述二极管元件包括一第一晶体管，第一晶体管的源极耦接电源电压，第一晶体管的漏极耦接缓冲器，第一晶体管的栅极与漏极相互耦接。在本专利技术的一实施例中，上述开关单元包括一 N型晶体管，其栅极耦接电压检测单元，N型晶体管的漏极与源极分别耦接电源重置单元与参考电压。在本专利技术的一实施例中，上述电源重置单元包括一阻抗单元、一第二电容单元以及一第二反相器。其中阻抗单元耦接于电源电压与电源重置单元的输入端之间。第二电容单元耦接于电源重置单元的输入端与参考电压之间，第二电容单元与阻抗单元形成电阻电容电路，其中延迟输入电压为第二电容单元上的电压。第二反相器的输入端与输出端分别耦接电源重置单元的输入端与输出端，当第二电容单元的电压低于第一临界电平时，输出重置信号。在本专利技术的一实施例中，上述阻抗单元包括一第一延迟晶体管，其源极耦接电源电压，第一延迟晶体管的漏极耦接第二电容单元，第一延迟晶体管的栅极与漏极相互耦接。在本专利技术的一实施例中，上述阻抗单元包括一第二延迟晶体管，其源极耦接电源电压，第二延迟晶体管的漏极耦接第二电容单元，第二延迟晶体管的栅极耦接参考电压。基于上述，本专利技术利用提高电源重置单元中电容电阻电路的放电速度，将电源重置单元输入端上延迟输入电压的电压快速拉低，以确保电源重置单元可发出重置信号，避免系统因为电压过低而导致误动作的发生。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图IA 图ID为现有的电源重置电路的电路图。图2A为图IA中的电源重置电路中反相器Al输出端的电压波形图。图2B为图IA中的电容上电压的电压波形图。图3为本专利技术一实施例的电源重置电路的示意图。图4为本专利技术另一实施例的电源重置电路的示意图。图5A 图5D为图4实施例的电源重置电路的多个电平波形图。图6、7为本专利技术配合不同电源重置单元的电源重置电路的实施例的示意图。主要元件符号说明100A 100D、300、400、600、700 电源重置电路302:电源重置单元304 电压检测单元306:开关单元402 压降单元404、408:电容单元406:阻抗单元410、610、710 电阻电容电路Al A3:反相器Bl 缓冲器Q1、Q2:晶体管Q3 延迟晶体管VDD:电源电压GND:接地电压Cl C3 电容Vf:参考电压Sl 开关信号SR 重置信号Ml M2 :N型晶体管Vd:延迟输入电压具体实施例方式图3为本专利技术一实施例的电源重置电路的示意图。请参照图3，其中电源重置电路 300内装于一系统(未示出)中，电源重置电路300包括电源重置单元302、电压检测单元 304、以及开关单元306。其中开关单元306耦接在电压检测单元304与电源重置单元302 的输入端之间，电源重置单元302具有一电阻电容电路(未示出)，其耦接至电源重置单元 302的输入端，并在电源重置单元302的输入端产生一延迟输入电压Vd。电压检测单元304 用以检测系统的电源电压VDD，并根据电源电压VDD下降一偏移电压后的电压来产生开关信号Si。开关单元306则根据开关信号Sl将电源重置单元302的输入端导通至参考电压 Vf，其中此参考电压Vf可为系统中电平较低的电压，例如接地电压。电源重置单元302的输入端被导通至参考电压Vf后，将使得电源重置单元302中的电阻电容电路经由开关单元306往参考电压Vf放电，而使得电源重置单元302输入端上的延迟输入电压Vd的电平快速的下降，一旦延迟输入电压Vd的电平低于第一临界电平时， 电源重置单元302便在其输出端输出重置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：廖俊尧，
申请(专利权)人：盛群半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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