【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】 １．一种刻蚀金属钨材料的方法，在金属钨材料上形成刻蚀掩膜，然后对金属钨材料进行高密度等离子体干法刻蚀，其中，等离子体密度大于１０１２ｃｍ－３。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】 技术研发人员：陈兢， 申请(专利权)人：北京大学， 类型：发明 国别省市：11
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