基于基片制造卡的方法技术

本发明专利技术涉及一种基于基片(101)来制造卡(102)的方法，所述方法包括以下步骤：在基片(101)内定义卡(102)的边界，所述方法还包括以下步骤：在卡(102)边界的一部分上形成斜切，使得在边界定义步骤和斜切步骤完成时，卡(102)的物理尺寸符合Micro?SD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：i＝1，6...8；j＝1，4，10，11，x，y，[x，y]对等于[6，9]或等于[14，15]；以及m＝1...6，17...19；当x＝6，y＝9时，卡(102)的物理尺寸还符合所述标准的参数A9。

【技术实现步骤摘要】
基于基片制造卡的方法
本专利技术涉及基于基片的卡制造
本专利技术尤其适用于(但不限于)具有接触盘(contactpad)的微电路卡的制造，对于这种卡，微电路和接触盘是从本申请人的文献FR2805206中描述的卡主体中部分地切出的可拆分晶片的一部分。本专利技术更尤其适用于制造具有符合或近似于MicroSDTMe卡标准的物理尺寸的卡，该标准引用如下：“SDspecifications，Partl，microSDCardSpecifications，Version3.00，February18，2010”。在本文的其余部分，利用表述“MicroSD标准”或者“MicroSD标准V3.00”来指代由TechnicalCommittee，SDCardAssosication建立的上述标准。
技术介绍
近年来，MicroSD类型的卡的使用越来越成功。这些卡尤其有利于移动应用，并且用于例如移动电话中的存储卡。一般地，这些卡是基于模制(molding)技术制造的，并且因此需要专用制作设备。然而，本申请人观察到，这类卡的传统制造技术不能令人满意。具体地，通常使用的制作技术的生产率过低，不总是能够执行所有必需的技术步骤。因此，这种设备通常不能定制卡，例如通过在卡面上印制装饰性设计或者甚至通过一旦制造了卡就对卡进行电学配置等方式，来定制卡。因此，在现有技术中，需要一种使用被设计为对不同卡格式操作的生产设备来制造物理尺寸符合或近似于MicroSD标准的卡的方法。
技术实现思路
为此，本专利技术提出了一种基于具有预定厚度的基片来制造卡的方法，所述方法包括以下步骤：在基片内定义卡的边界，所述方法还包括以下步骤：在卡边界(perimeter)的一部分上形成斜切(chamfer)(或“斜切”步骤)，在卡边界定义步骤和斜切步骤结束后，卡的物理尺寸符合MicroSD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：·i＝1，6...8；·i＝1，4，10，11，x，y，[x，y]对等于[6，9]或等于[14，15]；以及·m＝1...6，17...19；当x＝6，y＝9时，物理尺寸还符合所述标准的参数A9，其中，边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述基片中提取卡之前执行的。优选地，上述基片是平坦的。提取卡是通过将卡与其基片手动(或借助于机器)拆分来执行的。本专利技术还可以制造MicroSD格式(或非常近似)的卡，并从物理尺寸适于合适生产设备的基片开始制造。按照这种方式，可以提高MicroSD格式卡或近似格式卡的生产速度和质量。此外，边界定义步骤可以包括以下子步骤中的至少一个：-预切割子步骤，制作用于将卡边界的一部分附着至基片的至少一个减弱附着件(weakenattachment)，-冲孔(punching)子步骤，在卡边界的所谓自由部分与基片之间创建至少一个槽区域(slotarea)。在一个具体实施例中，卡的预定厚度严格小于0.9mm。本专利技术方法的优点在于，可以从厚度严格小于MicroSD卡所需的最小厚度(即0.9mm)的基片开始，制造物理尺寸非常接近于MicroSD卡物理尺寸的卡。因此，所生产的卡能够与原先设计为与MicroSD卡协作的大多数设备一起使用。基片可以符合根据ISO7816标准的ID-1或ID-00卡格式。此外，在斜切形成步骤中，可以通过铣削(milling)来制作斜切。该铣削步骤可以在定义卡边界的步骤之前或之后执行。备选地，定义卡边界的步骤和形成斜切的步骤在同一铣削步骤期间执行，在所述同一铣削步骤期间，将卡并入其基片中来制造卡。在一个具体实现中，所述方法还包括以下步骤：在提取卡之前，将卡减薄，以形成夹持区域(griparea)，所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处，所述夹持区域沿边界上具有所述斜切的方向延伸。该预定距离可以根据情况而变化，因为该预定距离需要选择为，允许用户从例如读取设备中取出卡。该预定距离对应于例如根据所述MicroSD标准的距离B2，从而在1.64至2.04mm之间。备选地，该预定距离可以在1mm至3mm之间。根据第一实施例，夹持区域是与斜切表面相对的卡表面上的凹槽。制作凹槽的步骤可以在形成上述边界的步骤之前执行。该凹槽允许更容易的拿取，尤其是从读取设备中提取卡。因此，该凹槽具有与MicroSD标准定义的参数R7，R10，R11，B2，B3和C所限定的卡边缘等效的功能优点。凹槽可以具有实质上等于300μm的深度和实质上等于2mm的宽度。此外，凹槽可以具有实质上等于200μm的曲率半径。根据第二实施例，减薄步骤对应于：铣削步骤，对与斜切表面相对的卡表面进行部分地铣削，使得卡的物理尺寸符合MicroSD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：·i＝1，6...9；·j＝1...4，6，9...11；以及·m＝1...19.备选地，当x＝14，y＝15时，减薄步骤对应于：铣削步骤，使得卡的物理尺寸符合MicroSD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：·i＝1，6...8；·j＝1...4，10，11，14，15；以及·m＝1...19.该第二实施例有利地允许制造物理尺寸非常接近于MicroSD卡的卡，使得卡能够与原先设计为与MicroSD卡协作的设备一起操作。此外，所述方法可以包括以下步骤：在提取卡之前，将模块置于卡中，所述模块包括符合MicroSD卡标准的微电路和齐平接触盘。按照这种方式，卡尤其符合定义MicroSD类型接触件的物理尺寸的参数A2，A3，A4，A5，B5，B7和B8。在一个具体实施例中，所述模块还包括符合ISO7816标准的齐平接触盘(flushcontactpad)。此外，槽区域可以界定卡与基片之间的间隔，所述间隔在300至400μm之间。同时，本专利技术涉及一种卡，其物理尺寸符合MicroSD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：·i＝1，6...9；·i＝1，4，10，11，x，y，[x，y]对等于[6，9]或等于[14，15]；以及·m＝1...6，17...19；当x＝6，y＝9时，物理尺寸还符合所述MicroSD标准的参数A9，所述卡还包括夹持区域，所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处，所述夹持区域沿边界上具有所述斜切的方向延伸，所述卡的预定厚度严格小于0.9mm。该预定距离可以根据情况而变化，因为该预定距离需要被选择为允许用户从例如读取器中退出卡。该预定距离对应于例如根据所述MicroSD标准的距离B2，从而在1.64至2.04mm之间。备选地，该预定距离可以在1mm至5mm之间，优选地在1mm至3mm之间。该卡的优点在于，其物理尺寸接近于MicroSD标准定义的物理尺寸，从而能够与原先设计为与MicroSD卡协作的设备一起操作。所述卡的预定厚度可以例如对应于根据7816标准的ID-1或ID-00卡的厚度。根据第一实施例，夹持区域是在与斜切相对的卡表面上制作的凹槽。凹槽可以具有实质上等于300μm的深度和实质上等于2mm的宽度。此外，凹槽可以具有实质上等于200μm的曲率半径。根据第二实施例，卡的物理尺寸符合Micr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2010.08.26 FR 10567761.一种基于具有预定厚度的基片来制造卡的方法，所述方法包括以下步骤：在基片内定义卡的边界，所述方法的特征在于还包括以下步骤：在卡边界的一部分上形成斜切，在边界定义步骤和斜切形成步骤之后，卡的物理尺寸符合MicroSD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：·i＝1，6...8；·j＝1，4，10，11，x，y，[x，y]对等于[6，9]或等于[14，15]；以及·m＝1...6，17...19；当x＝6，y＝9时，物理尺寸还符合所述MicroSD卡标准的参数A9，所述方法的特征还在于，边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述基片中提取卡之前执行的；其中所述预定厚度严格小于0.9mm；其中在提取卡之前，将卡减薄，以形成夹持区域，所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处，所述夹持区域沿具有所述斜切的边界的方向延伸，所述预定距离对应于根据所述MicroSD卡标准的距离B2；以及其中夹持区域是与所述斜切的表面相对的卡表面上的凹槽。2.根据权利要求1所述的方法，其中，边界定义步骤包括以下子步骤中的至少一个：-预切割子步骤，制作用于将卡边界的一部分附着至基片的至少一个减弱附着件，-冲孔子步骤，在卡边界的所谓自由部分与基片之间创建至少一个槽区域。3.根据权利要求1所述的方法，其中，基片符合根据ISO7816标准的ID-1或ID-00卡格式。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在所述斜切形成步骤期间，通过铣削来制作斜切。5.根据权利要求1所述的方法，凹槽具有实质上等于300μm的深度和实质上等于2mm的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克·伯廷，格拉尔德·加兰，
申请(专利权)人：欧贝特科技公司，
类型：发明
国别省市：