【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池钝化实现方法
，特别是一种。
技术介绍
太阳能电池的钝化是提高电池效率一个主要的途径。现有的钝化技术有PECVD沉积的SiNx、热氧化法生长的Si02、SiNx和Si02两种薄膜的叠层，其它的一些钝化膜例如 MgF2、A1203等也都被用在钝化表面上。商业上比较常用的是SiNx薄膜，高效电池上用的比较多的是热氧化生长的Si02，可以降低表面的复合速率到lOcm/s以下，效率可以达到20% 以上。Si02钝化膜虽然在高效电池上的应用很广泛，但是热氧化所需要的温度都在 1000°C，对于高效电池所用的FZ的硅片来说，在氧化过程中少子寿命不会受到影响，而商业化生产所用的CZ硅片一般少子寿命较低，杂质含量比较高，因此在高温氧化过程中硅片的少子寿命会大幅度降低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，克服传统热氧化生长二氧化硅的缺陷，在降低了生产的成本的同时提高电池的效率。本专利技术解决其技术问题所采用的方案是一种，在低温下用热氧化的方法在硅片的表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜，温度范围为 600°C _800°C，氧化时间为 5-60min。进一步地，二氧化硅薄膜作为太阳能电池的一层钝化层，在这层钝化层的表面另外再沉积一层钝化层，形成叠层的钝化膜来钝化电池的表面。再进一步地，另外再沉积的一层钝化层为SiNx、SiOx或者A1203钝化膜。本专利技术的有益效果是在太阳能电池的表面多增加一层本专利技术所涉及的二氧化硅钝化膜，再加上一层如SiNx薄膜的钝化层之后，相对于单层的SiNx薄膜或高温下生长的二氧化硅薄膜的...
【技术保护点】
１．一种晶体硅太阳能电池的钝化方法，其特征是：在低温下用热氧化的方法在硅片表面生长一层厚度为５－５０ｎｍ的二氧化硅薄膜（１），温度范围为６００℃－８００℃，氧化时间为５－６０ｍｉｎ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓伟伟，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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