促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，包括匀气罐，匀气罐为圆盘形开口的空腔结构，匀气罐上端中心位置设有进气口，匀气罐的空腔内设有上匀气盘，匀气罐的下端开口安装有下匀气盘，上匀气盘为弧形结构，其中凹弧面与进气口相对，下匀气盘上均匀分布有小孔，小孔按所在轴向位置不同而直径不同，实现气流的均匀性分布，保证了所沉积薄膜的质量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种集成电路(IC)装备，特别是一种促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，特别涉及采用PECVD法制备各种微电子和光电子领域薄膜类材料的设备。
技术介绍
薄膜制备是集成电路(IC)芯片生产中主要工艺过程之一。等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备被广泛应用于生长钝化与多层布线等半导体工艺中，具有沉积温度低、薄膜成分与厚度易控、膜厚与沉积时间成正比、均勻性与重复性好、台阶覆盖优良、操作简便等众多优点，是IC制造工艺中制备钝化层与多层布线介质层(以Si3N4与Si02薄膜为主) 最理想的设备。在PECVD工艺中需要不断往反应腔室内通入反应气体以生成所需薄膜，反应气体的均勻性是影响薄膜质量的重要因素，现有PECVD设备主要通过在腔室进气前设置勻气盘结构来提高反应气体的均勻性，现有的勻气盘结构还未完全解决反应气体的均勻性的问题。因此，需要对现有勻气盘结构进行改进，从而提高反应气体的均勻性，保证沉积的薄膜的质量。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供改进的促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，能够实现PECVD设备气流流入更均勻，从而保证沉积的薄膜的质量。为了解决上述技术问题，本技术的促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，包括勻气罐，所述勻气罐为圆盘形开口的空腔结构，所述勻气罐上端中心位置设有进气口，勻气罐的空腔内设有上勻气盘，所述勻气罐的下端开口安装有下勻气盘，所述上勻气盘为弧形结构，其中凹弧面与进气口相对，所述下勻气盘上均勻分布有小孔，小孔按所在轴向位置不同而直径不同。作为上述技术方案的改进，所述上勻气盘通过两个以上、可调整勻气盘位置的螺栓连接于勻气罐。作为上述技术方案的改进，所述上勻气盘上均勻分布有2 5圈孔径渐变的气孔。 所述下勻气盘通过螺钉连接于勻气罐的下端。所述小孔两端为相对的锥形孔，两个锥形孔顶端相连通。本技术的有益效果是这种促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构采用两级勻气方式，上勻气盘保证进气的气流初步均勻化，下勻气盘进一步均勻化气流，使得气流更均勻的分布在反应室中。上勻气盘采用弧形结构，凹弧面与进气口相对。因为对于采用中间勻气的方式时，中间的气流冲击速度和气流密度要远大于四周的气流密度，所以为了使得气流能在更大范围内保证均勻性，采用渐变孔来补偿气流的值；进气口和上勻气盘之间的距离要可以调节，当沉积不同种类薄膜的时候，气流速度的要求往往不同，为了保证薄膜的均勻性，气体出口和勻气盘之间的距离要可以调节，下勻气盘上均布小孔，该均布的小孔按所在轴向位置改变直径，使得气流流量均勻性误差进一步弱化，实现气流的均勻性分布， 保证了所沉积薄膜的质量。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是图1中A处结构放大图。具体实施方式参照图1、图2，本技术的促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，包括勻气罐1，所述勻气罐1为圆盘形开口的空腔结构，所述勻气罐1上端中心位置设有进气口 6， 勻气罐1的空腔内设有上勻气盘2，所述勻气罐1的下端开口安装有下勻气盘3，所述上勻气盘2为弧形结构，其中凹弧面与进气口 6相对，所述下勻气盘3上均勻分布有小孔7，小孔 7按所在轴向位置不同而直径不同。这种促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构采用两级勻气方式，上勻气盘保证进气的气流初步均勻化，下勻气盘进一步均勻化气流，使得气流更均勻的分布在反应室中。上勻气盘采用弧形结构，凹弧面与进气口相对，下勻气盘上均布小孔，该均布的小孔按所在轴向位置改变直径，使得气流流量均勻性误差进一步弱化，实现气流的均勻性分布，保证了所沉积薄膜的质量。进气口和上勻气盘之间的距离要可以调节，当沉积不同种类薄膜的时候，气流速度的要求往往不同，为了保证薄膜的均勻性，气体出口和勻气盘之间的距离要可以调节，这在结构上也很好实现。在本实施例中，所述上勻气盘2通过两个以上、可调整上勻气盘2位置的螺栓4连接于勻气罐1。所述上勻气盘2上均勻分布有2 5圈孔径渐变的气孔8，因为对于采用中间勻气的方式时，中间的气流冲击速度和气流密度要远大于四周的气流密度，所以为了使得气流能在更大范围内保证均勻性，采用渐变孔来补偿气流的值。为了使气流得到进一步缓冲，所述下勻气盘3通过螺钉5连接于勻气罐1的下端， 便于结构的组装。所述小孔7两端为相对的锥形孔，两个锥形孔顶端相连通。以上所述仅为本技术的优先实施方式，只要以基本相同手段实现本技术目的的技术方案都属于本技术的保护范围之内。权利要求1.促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，包括勻气罐(1)，其特征在于所述勻气罐(1)为圆盘形开口的空腔结构，所述勻气罐(1)上端中心位置设有进气口(6)，勻气罐(1) 的空腔内设有上勻气盘(2)，所述勻气罐(1)的下端开口安装有下勻气盘(3)，所述上勻气盘(2)为弧形结构，其中凹弧面与进气口(6)相对，所述下勻气盘(3)上均勻分布有小孔 (7)，小孔(7)按所在轴向位置不同而直径不同。2.根据权利要求1所述的促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，其特征在于所述上勻气盘(2)通过两个以上、可调整勻气盘(2)位置的螺栓(4)连接于勻气罐(1)。3.根据权利要求1或2所述的促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，其特征在于所述上勻气盘(2)上均勻分布有2 5圈孔径渐变的气孔(8)。4.根据权利要求1所述的促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，其特征在于所述下勻气盘(3)通过螺钉(5)连接于勻气罐(1)的下端。5.根据权利要求1所述的促进腔室气流均勻的双级组合式勻气结构，其特征在于所述小孔(7)两端为相对的锥形孔，两个锥形孔顶端相连通。专利摘要本技术公开了一种促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，包括匀气罐，匀气罐为圆盘形开口的空腔结构，匀气罐上端中心位置设有进气口，匀气罐的空腔内设有上匀气盘，匀气罐的下端开口安装有下匀气盘，上匀气盘为弧形结构，其中凹弧面与进气口相对，下匀气盘上均匀分布有小孔，小孔按所在轴向位置不同而直径不同，实现气流的均匀性分布，保证了所沉积薄膜的质量。文档编号H01L21/00GK202167465SQ20112027294公开日2012年3月14日 申请日期2011年7月29日 优先权日2011年7月29日专利技术者侯曙光, 张祈莉, 李昌明, 李鹤喜, 杨铁牛, 黄尊地, 黄辉 申请人:五邑大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，包括匀气罐（１），其特征在于所述匀气罐（１）为圆盘形开口的空腔结构，所述匀气罐（１）上端中心位置设有进气口（６），匀气罐（１）的空腔内设有上匀气盘（２），所述匀气罐（１）的下端开口安装有下匀气盘（３），所述上匀气盘（２）为弧形结构，其中凹弧面与进气口（６）相对，所述下匀气盘（３）上均匀分布有小孔（７），小孔（７）按所在轴向位置不同而直径不同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨铁牛，黄尊地，侯曙光，李昌明，黄辉，张祈莉，李鹤喜，
申请(专利权)人：五邑大学，
类型：实用新型
国别省市：44