一种圆柱状石英晶体谐振器基座制造技术

技术编号:7200648 阅读:277 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及石英晶体谐振器技术领域,尤其是涉及一种石英晶体谐振器基座,本实用新型专利技术包括基座圈及引线基体,所述基座圈及引线基体的一侧设置有电镀层底层,所述底层的外面设置有中间层,中间层外面设置有外层;所述底层是由铜或镊镀成,中间层是由锡或锡铜合金镀成,外层是由金镀成;所述中间层的厚度大于底层和外层的厚度;本实用新型专利技术结构设计合理,导电性能良好,具有好的抗氧化性,适合焊锡膏焊接及导电胶固化连接。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石英晶体谐振器
,尤其是一种圆柱状石英晶体谐振器基座
技术介绍
由于石英晶体内部晶片电极与基座引线的接触是保证晶体电性能稳定的重要因素,而目前的圆柱状基座镀层普遍采用锡或高铅,受热时引线镀层熔化会引发高频柱状晶体内部的导电胶与引线间的接触不良,或者焊锡流淌造成晶体元件内部绝缘阻抗不良甚至短路,而引起晶体失效。
技术实现思路
本技术的目的是为克服上述技术缺点,提供一种圆柱状石英晶体谐振器基座。本技术解决技术问题采用的技术方案为一种圆柱状石英晶体谐振器基座,包括基座圈及引线基体,所述基座圈及引线基体的一侧设置有电镀层底层,所述底层的外面设置有中间层,中间层外面设置有外层。所述底层是由铜或镊镀成,中间层是由锡或锡铜合金镀成,外层是由金镀成。所述中间层的厚度大于底层和外层的厚度。本技术所具有的有益效果是本技术结构设计合理,导电性能良好,具有好的抗氧化性,耐老化及耐潮湿,适合焊锡膏焊接及导电胶固化连接,容易形成规模化生产。附图说明附图为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术做以下详细说明。如图所示,本技术包括基座圈及引线基体1,所述基座圈及引线基体1的一侧设置有电镀层底层2,所述底层2的外面设置有中间层3,中间层3外面设置有外层4 ;所述底层2是由铜或镊镀成,中间层3是由锡或锡铜合金镀成,外层4是由金镀成;所述中间层3的厚度大于底层2和外层4的厚度。采用本技术的石英晶体谐振器经受240°C至260°C高温时,即使引线上的镀层熔化而最外面的镀层也不会熔化,从而与水晶片电极保持良好接触。权利要求1.一种圆柱状石英晶体谐振器基座,其特征在于包括基座圈及引线基体,所述基座圈及引线基体的一侧设置有电镀层底层,所述底层的外面设置有中间层,中间层外面设置有外层。2.根据权利要求1所述的一种圆柱状石英晶体谐振器基座,其特征在于所述底层是由铜或镊镀成,中间层是由锡或锡铜合金镀成,外层是由金镀成。3.根据权利要求1所述的一种圆柱状石英晶体谐振器基座,其特征在于所述中间层的厚度大于底层和外层的厚度。专利摘要本技术涉及石英晶体谐振器
,尤其是涉及一种石英晶体谐振器基座,本技术包括基座圈及引线基体,所述基座圈及引线基体的一侧设置有电镀层底层,所述底层的外面设置有中间层,中间层外面设置有外层;所述底层是由铜或镊镀成,中间层是由锡或锡铜合金镀成,外层是由金镀成;所述中间层的厚度大于底层和外层的厚度;本技术结构设计合理,导电性能良好,具有好的抗氧化性,适合焊锡膏焊接及导电胶固化连接。文档编号H03H9/05GK202160148SQ20112027175公开日2012年3月7日 申请日期2011年7月22日 优先权日2011年7月22日专利技术者刘春晨, 宋兵, 郭志成 申请人:日照思科骋创电子科技有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种圆柱状石英晶体谐振器基座,其特征在于:包括基座圈及引线基体,所述基座圈及引线基体的一侧设置有电镀层底层,所述底层的外面设置有中间层,中间层外面设置有外层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋兵郭志成刘春晨
申请(专利权)人:日照思科骋创电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:37

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