一种大功率LED厚膜集成面光源，在紫铜衬底上通过载流焊有陶瓷衬底，陶瓷衬底背面覆有银浆，陶瓷衬底上用环氧树脂粘贴有陶瓷盖板，陶瓷衬底上设置有LED芯片，LED芯片的上表面设置有透明硅脂层。本实用新型专利技术采用将两组串联的15个发光二极管并联通过后膜连接片接电源、另外两组串联的15个发光二极管并联通过后膜连接片接电源构成LED芯片，提高了光源的发光效率，延长了灯具的使用寿命。本实用新型专利技术与现有LED集成面光源相比，具有绝缘性高、导热效果好、电路印制快捷方便、封装简单、产品成本低，光源的发光效率高、灯具的使用寿命长等优点，可作为大功率LED照明灯具的光源。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于发光器件
，具体涉及到LED半导体照明灯的光源。
技术介绍
随着LED半导体照明的普及和发展，LED集成光源的需求也越来越大，提高LED集成光源的导热散热，降低封装成本成为本
专业技术人员关注的焦点。目前常用的 LED集成面光源封装有支架式和COB LED集成封装两种方式。支架式LED集成光源封装应用最为普遍，这种光源是将LED芯片封装在支架上，再将支架阵列焊接在外加的PCB板上形成电气连接，其可靠性和绝缘性较好，但是由于其热传导中间环节多、热阻大，因此造成导热效果较差，加之结构复杂，使其工艺要求较高。COB LED封装结构是将来大功率及超大功率LED集成光源封装的主要发展趋势，它是一种将LED芯片直接安装到铜或铝基板上的封装结构，具有导热效果好的特点，但其基板表面要求绝缘性好，增加表面绝缘处理工艺，整体封装成本较高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于克服上述支架式LED集成光源和COB LED集成光源的缺点，提供一种导热性好、绝缘可靠、封装简单、产品成本低的大功率LED厚膜集成面光源。解决上述技术问题所采用的技术方案在紫铜衬底上通过载流焊有陶瓷衬底，陶瓷衬底背面覆有银浆，陶瓷衬底上用环氧树脂粘贴有陶瓷盖板，陶瓷衬底上设置有LED芯片，LED芯片的上表面设置有透明硅脂层。本技术的LED芯片为发光二极管Dl 发光二极管D15串联接，发光二极管 D16 发光二极管D30串联接，将这两部分并联接排列成直角三角形焊接在陶瓷衬底上，发光二极管Dl的正极和发光二极管D16的正极通过厚膜连接片接50V电源正极，发光二极管 D15的负极和发光二极管D30的负极通过厚膜连接片接50V电源负极；发光二极管D31 发光二极管D45串联接，发光二极管D46 发光二极管D60串联接，将这两部分并连联排列成直角三角形焊接在陶瓷衬底上，发光二极管D31的正极和发光二极管D46的正极通过厚膜连接片接50V电源正极，发光二极管D45的负极和发光二极管D60的负极通过厚膜连接片接50V电源负极。本技术采用将两组串联的15个发光二极管并联通过后膜连接片接电源、另外两组串联的15个发光二极管并联通过后膜连接片接电源构成LED芯片，提高了光源的发光效率，延长了灯具的使用寿命。本技术与现有LED集成面光源相比，具有绝缘性高、 导热效果好、电路印制快捷方便、封装简单、产品成本低，光源的发光效率高、灯具的使用寿命长等优点，可作为大功率LED照明灯具的光源。附图说明图1是本技术一个实施例的主视图。图2是图1的剖视图。图3是LED芯片4的印刷电路板层示意图。图4是图1中LED芯片4的电子线路原理图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术进一步详细说明，但本技术不限于这些实施例。实施例1在图1、2、3中，本实施例的大功率LED厚膜集成面光源由陶瓷盖板1、紫铜衬底2、 LED芯片4、透明硅脂层5、陶瓷衬底6、厚膜连接片7联接构成。紫铜衬底2的形状为圆片形结构，紫铜衬底2上均布加工有4个固定螺孔，用于将本技术与其它零部件固定联接，紫铜衬底2上加工有关于XY轴中心线对称的4个反光杯卡孔3，光源紫铜衬底2经过电镀镍处理，在紫铜衬底2上通过载流焊接有陶瓷衬底6，陶瓷衬底6上加工有关于XY轴中心线对称的4个反光杯卡孔3，陶瓷衬底6背面覆有银浆， 陶瓷衬底6上用环氧树脂粘贴有陶瓷盖板1，陶瓷盖板1的形状为蝶形，陶瓷盖板1上加工有关于XY轴中心线对称的4个反光杯卡孔3，4个反光杯卡孔3与陶瓷衬底6、紫铜衬底2 上的4个卡孔相通，用于放置和固定外围反光杯配件。陶瓷衬底6上，采用丝网印刷印制有双路独立控制功能的厚膜连接片7、焊盘、焊点，厚膜连接片7、焊盘、焊点上焊接有LED芯片 4，LED芯片4的上表面粘贴有透明硅脂层5，透明硅脂层5用于保护LED芯片4。在图4中，本实施例的LED芯片4由发光二极管Dl 发光二极管D60连接构成。 发光二极管Dl 发光二极管D15串联接，发光二极管D16 发光二极管D30串联接，将这两部分并联接排列成直角三角形焊接在陶瓷衬底6上，发光二极管D 1的正极和发光二极管D16的正极通过厚膜连接片7接50V电源正极，发光二极管D15的负极和发光二极管D30 的负极通过厚膜连接片7接50V电源负极。发光二极管D31 发光二极管D45串联接，发光二极管D46 发光二极管D60串联接，将这两部分并连联排列成直角三角形焊接在陶瓷衬底6上，发光二极管D31的正极和发光二极管D46的正极通过厚膜连接片7接50V电源正极，发光二极管D45的负极和发光二极管D60的负极通过厚膜连接片7接50V电源负极。 这种结构的大功率LED厚膜集成面光源，光源的发光效率高、灯具的使用寿命长。权利要求1.一种大功率LED厚膜集成面光源，其特征在于在紫铜衬底( 上通过载流焊有陶瓷衬底(6)，陶瓷衬底(6)背面覆有银浆，陶瓷衬底(6)上用环氧树脂粘贴有陶瓷盖板(1)， 陶瓷衬底(6)上设置有LED芯片(4)，LED芯片的上表面设置有透明硅脂层(5)。2.按照权利要求1所述的大功率LED厚膜集成面光源，其特征在于所述的LED芯片(4) 为发光二极管Dl 发光二极管D15串联接，发光二极管D16 发光二极管D30串联接，将这两部分并联接排列成直角三角形焊接在陶瓷衬底(6)上，发光二极管Dl的正极和发光二极管D16的正极通过厚膜连接片(7)接50V电源正极，发光二极管D15的负极和发光二极管D30的负极通过厚膜连接片(7)接50V电源负极；发光二极管D31 发光二极管D45串联接，发光二极管D46 发光二极管D60串联接，将这两部分并连联排列成直角三角形焊接在陶瓷衬底(6)上，发光二极管D31的正极和发光二极管D46的正极通过厚膜连接片(7) 接50V电源正极，发光二极管D45的负极和发光二极管D60的负极通过厚膜连接片(7)接 50V电源负极。专利摘要一种大功率LED厚膜集成面光源，在紫铜衬底上通过载流焊有陶瓷衬底，陶瓷衬底背面覆有银浆，陶瓷衬底上用环氧树脂粘贴有陶瓷盖板，陶瓷衬底上设置有LED芯片，LED芯片的上表面设置有透明硅脂层。本技术采用将两组串联的15个发光二极管并联通过后膜连接片接电源、另外两组串联的15个发光二极管并联通过后膜连接片接电源构成LED芯片，提高了光源的发光效率，延长了灯具的使用寿命。本技术与现有LED集成面光源相比，具有绝缘性高、导热效果好、电路印制快捷方便、封装简单、产品成本低，光源的发光效率高、灯具的使用寿命长等优点，可作为大功率LED照明灯具的光源。文档编号H01L33/62GK202159663SQ201120266969公开日2012年3月7日 申请日期2011年7月26日 优先权日2011年7月26日专利技术者吕俊峰, 李博, 贺立龙, 韩领社 申请人:西安创联电气科技(集团)有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种大功率ＬＥＤ厚膜集成面光源，其特征在于：在紫铜衬底（２）上通过载流焊有陶瓷衬底（６），陶瓷衬底（６）背面覆有银浆，陶瓷衬底（６）上用环氧树脂粘贴有陶瓷盖板（１），陶瓷衬底（６）上设置有ＬＥＤ芯片（４），ＬＥＤ芯片（４）的上表面设置有透明硅脂层（５）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李博，贺立龙，吕俊峰，韩领社，
申请(专利权)人：西安创联电气科技集团有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：87
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