本发明专利技术公开一种液晶基板及其制作方法、液晶显示装置，一种液晶基板，包括电极，所述电极由透明导电胶体制成。本发明专利技术采用透明导电胶体代替氧化铟锡(ITO)薄膜做电极，透明导电胶体(例如纳米银胶、碳纳米管胶体等)经涂布、固化后成膜，成本低廉，工艺简单，只需经过涂布、烘干后即可蚀刻，减少氧化铟锡(ITO)制备中物理气相沉积(PVD，Physical?Vapor?Deposition)所需设备的成本；并且有效利用工厂(FAB)空间，减少铟锡等金属的使用，减少制作LCD的设备成本和废液处理，以及减少制程时间提高产出数量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域，更具体的说，涉及一种液晶基板及其制作方法、液晶显示装置。
技术介绍
传统的LCD (liquid crystal display)制程中薄膜晶体管(TFT，thin film transistor)和彩色滤光片(Color filter)制程中所用透明电极为氧化铟锡(ITO)，近年来铟的价格上涨，造成LCD的成本上升，而且采用氧化铟锡(ITO)制作透明电极需要使用物理气相沉积(PVD)工艺，制程复杂，物理气相沉积(PVD)设备昂贵，进一步增加了 IXD的成本，在目前日益成熟之液晶显示面板制造过程中，成本与产能是提升竞争力的重要因数，成本上升显然不利于产品的销售。另外，物理气相沉积(PVD)制程会产生大量废液，容易污染环境，特别是金属铟具有一定毒性，长期使用会对工人的健康构成威胁，如果废液处理不当危害更为严重。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种低成本、环保的液晶基板及其制作方法、 液晶显示装置。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的一种液晶基板，包括电极，其特征在于，所述电极由透明导电胶体制成。优选的，所述透明导电胶体为纳米银胶。此为一种具体的透明导电胶体材料。优选的，所述透明导电胶体为碳纳米管胶体。此为另一种具体的透明导电胶体材料。优选的，所述液晶基板包括阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述电极为薄膜晶体管的像素电极。此为一种具体的电极形式。优选的，所述液晶基板包括彩色滤光板，所述电极为彩色滤光板的公共电极。此为另外一种具体的电极形式。一种液晶基板的制造方法，包括以下步骤A 在电极所在位置涂布透明导电胶体后进行干燥处理；B:用激光蚀刻出电极形状。优选的，所述的液晶基板为阵列基板，所述步骤A为所述阵列基板的最后一道制程，所述透明导电胶体为纳米银胶。此为一种具体的阵列基板中像素电极的制作方法。优选的，所述的液晶基板为彩色滤光板，所述步骤A中包括在彩色滤光板依次制备黑色矩阵，三基色色阻后，然后在公共电极的相应位置涂布碳纳米管透明导电胶体。此为一种具体的彩色滤光板中公共电极的制作方法。优选的，所述的液晶基板为阵列基板，在边界电场切换(FFS :fringe field-switching)模式中，所述步骤A为所述阵列基板的第一道制程和最后一道制程，所述透明导电胶体为碳纳米管透明胶体。此为在边界电场切换(FFS:fringe field-switching)模式中，一种具体的阵列基板中像素电极的制作方法。一种液晶显示装置，包括上述的液晶基板。专利技术人通过研究发现，透明导电胶体在穿透率和导电性能方面均有一定优势，而且无需采用物理气相沉积(PVD)来蚀刻，因此完全可以应用到IXD领域。本专利技术采用透明导电胶体代替氧化铟锡(ITO)薄膜做电极，透明导电胶体(例如纳米银胶、碳纳米管胶体等) 经涂布、固化后成膜，成本低廉，工艺简单，只需经过涂布、烘干后即可蚀刻，减少氧化铟锡 (ITO)制备中物理气相沉积(PVD)所需设备的成本；并且有效利用工厂(FAB)空间，减少铟锡等金属的使用，减少制作LCD的设备成本和废液处理，以及减少制程时间提高产出数量。附图说明图1是本专利技术实施例一的结构示意图；其中132、栅极；138、有源层的非晶硅层；140a/b、有源层的晶硅层；134、源极； 136、漏极；148、像素电极。具体实施例方式下面结合附图和较佳的实施例对本专利技术作进一步说明。如图1所示，一种液晶显示装置，包括一种液晶基板，该液晶基板包括电极，所述电极由透明导电胶体制成。所述透明导电胶体可以采用纳米银胶、碳纳米管胶体等具备优良导电性能的透明胶体。所述液晶基板包括阵列基板和彩色滤光板，所述阵列基板包括薄膜晶体管，而薄膜晶体管上有像素电极；所述液彩色滤光板上有公共电极，这些电极都可以采用所述透明导电胶体制作。物理气相沉积(PVD)设备昂贵，采用透明导电胶体做电极材料，可以使设备经费降低，并且有效利用工厂(FAB)空间，减少铟锡等金属的使用，减少制作LCD的设备成本和废液处理。一种液晶基板的制造方法，包括以下步骤A 在电极所在位置涂布透明导电胶体后进行干燥处理；B:用激光蚀刻出电极形状。下面结合具体实施例进一步介绍本制造方法实施例一所述步骤A包括在阵列基板最后一道制程中涂布纳米银胶。如图1所示，在阵列基板最后一道制程中涂布纳米银胶，经自然风干或烘干后，采用激光蚀刻出电极形状；所述薄膜晶体管包括栅极132，其上依次包括有源层的非晶硅层 138 (a-Si)、有源层的晶硅层140a/b (n+Si)、源极134、与源极134处于同一层的漏极136，与漏极136连接的像素电极148 ；所述像素电极148为纳米银胶，经烘干、蚀刻后代替氧化铟锡(ITO)做电极。实施例二所述步骤A包括在彩色滤光板依次制备黑色矩阵，三基色色阻后，最后涂布碳纳米管透明导电胶体。在彩色滤光板(Color filter)依次制备黑色矩阵(BM)，三基色(RGB)色阻或四色(RGBY)或四色(RGBW)，最后涂布碳纳米管透明导电胶体，经自然风干或烘干后，采用激光蚀刻狭缝(slit)。实施例三所述步骤A包括在边界电场切换(FFS :fringe field-switching)模式中，阵列基板上第一道制程和最后一道制程涂布碳纳米管透明胶体。在边界电场切换(FFS:fringe field-switching)模式中，阵列基板上第一道制程和最后一道制程采用碳纳米管透明胶体涂布，经烘干、蚀刻后代替ITO做电极。所谓边界电场切换(FFS:fringe field-switching)模式，是指采用透明导电材料作为像素电极，驱动电场以横向电场为主，同时增加了垂直电场分量的模式。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。透明导电胶体除了上述的纳米银胶、碳纳米管胶体， 还可以采用其它透明导电胶体，对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术的保护范围。权利要求1.一种液晶基板，包括电极，其特征在于，所述电极由透明导电胶体制成。2.如权利要求1所述的一种液晶基板，其特征在于，所述透明导电胶体为纳米银胶。3.如权利要求1所述的一种液晶基板，其特征在于，所述透明导电胶体为碳纳米管胶体。4.如权利要求1所述的一种液晶基板，其特征在于，所述液晶基板包括阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述电极为薄膜晶体管的像素电极。5.如权利要求1所述的一种液晶基板，其特征在于，所述液晶基板包括彩色滤光板，所述电极为彩色滤光板的公共电极。6.一种液晶基板的制造方法，包括以下步骤A 在电极所在位置涂布透明导电胶体后进行干燥处理； B:用激光蚀刻出电极形状。7.如权利要求6所述的一种液晶基板的制造方法，所述的液晶基板为阵列基板，所述步骤A为所述阵列基板的最后一道制程，所述透明导电胶体为纳米银胶。8.如权利要求6所述的一种液晶基板的制造方法，所述的液晶基板为彩色滤光板，所述步骤A中包括在彩色滤光板依次制备黑色矩阵，三基色色阻后，然后在公共电极的相应位置涂布碳纳米管透明导电胶体。9.如权利要求6所述的一种液晶基板的制造方法，所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种液晶基板，包括电极，其特征在于，所述电极由透明导电胶体制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王烨文，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94
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