本发明专利技术涉及半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法。本发明专利技术涉及半导体背面用加热剥离片集成膜，其包括：包括基材层和压敏粘合剂层的压敏粘合片，和形成于压敏粘合片的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中压敏粘合片为其从半导体背面用膜的剥离力在加热时减少的热剥离性压敏粘合片。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体背面用加热剥离片集成膜，其安装有半导体背面用膜。使用半导体背面用膜以保护半导体元件如半导体芯片的背面和提高背面的强度等。本专利技术还涉及各自使用半导体背面用加热剥离片集成膜的半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体元件如半导体芯片借助于倒装芯片接合安装(倒装芯片连接)至基板的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，会存在其中半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见， 专利文献1至10)。然而，为了用保护膜保护半导体芯片的背面，应当添加将保护膜粘贴至通过切割步骤获得的半导体芯片的背面的新步骤。这导致了步骤数的增加和生产成本的增加等。从减少生产成本考虑，已开发出半导体背面用切割带集成膜。该半导体背面用切割带集成膜包括具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割带和设置于切割带的压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜。在生产半导体器件时，该半导体背面用切割带集成膜以以下方式使用。首先，将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上。然后将所得的半导体晶片切割为半导体元件。在各半导体元件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离和拾取之后，将半导体元件倒装芯片连接至被粘物如基板上。以此方式，可获得倒装芯片型半导体器件。专利文献1 JP-A-2008-166451专利文献2 JP-A-2008-006386专利文献3 JP-A-2007-261035专利文献4 JP-A-2007-250970专利文献5 JP-A-2007-158026专利文献6 JP-A-2004-221169专利文献7 :JP-A-2004-21^88 专利文献 8 JP-A-2004-142430专利文献9 JP-A-2004-072108专利文献10 JP-A-2004-063551然而，在上述半导体背面用切割带集成膜的情况下，当压敏粘合剂层和半导体背面用膜之间的紧密粘合性高时，变得难以拾取半导体元件，并且在极端情况下，会导致在一些情况下的生产损失。
技术实现思路
考虑到前述问题进行本专利技术。其目的在于提供半导体背面用加热剥离片集成膜， 当半导体元件与半导体背面用膜一起拾取时其促进半导体元件从半导体背面用膜的剥离， 由此可改进半导体器件生产中的产率和生产效率；半导体元件的收集方法；和半导体器件的生产方法。本专利技术人进行研究以解决前述问题。结果，发现该问题可通过采用以下构造克服，导致本专利技术的完成。S卩，本专利技术提供半导体背面用加热剥离片集成膜(下文可称为"半导体背面用集成膜")，其包括包括基材层和压敏粘合剂层的压敏粘合片，和形成于压敏粘合片的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中压敏粘合片为加热时其从半导体背面用膜的剥离力降低的热剥离性压敏粘合片。当使用半导体背面用集成膜时，由于压敏粘合片为加热时其从半导体背面用膜的剥离力降低的热剥离性压敏粘合片(下文中称为"加热剥离片")，所以在拾取半导体元件之前仅加热半导体背面用集成膜也可提高加热剥离片和半导体背面用膜之间的剥离性， 由此实现良好的拾取性。另外，剥离力的减少可仅通过简单处理即加热达到，因此可减少半导体器件生产的生产成本或繁琐步骤。压敏粘合剂层优选包括热膨胀性层，所述热膨胀性层包含在加热时膨胀的热膨胀性微球。通过使用该构造，例如，在拾取半导体元件时，所述热膨胀性微球仅通过加热膨胀由此给予压敏粘合剂层表面的凹凸。由此形成的凹凸用作从半导体背面用膜分离压敏粘合剂层并且其间的紧密粘合性(剥离力)降低。结果，可实现良好的剥离性。此处使用的术语"压敏粘合剂层"是指涵盖仅由热膨胀性层构成的压敏粘合剂层的概念。压敏粘合剂层优选进一步包括在热膨胀性层上形成以及在热膨胀性层和半导体背面用膜之间形成的非热膨胀性粘合层。使用该构造可防止微污染物(micro contaminant)如气体或有机物质转移至半导体背面用膜并将其污染，所述微污染物在由加热而引起的热膨胀性微球膨胀时产生。当半导体器件在不除去转移至半导体背面用膜的源自热膨胀性微球的污染物而残留于其上的情况下生产时，有时发生半导体元件背面(半导体背面用膜的表面)的外观或激光标识性的劣化。使用上述半导体背面用集成膜可防止源自热膨胀性层的污染物转移至半导体背面用膜，因此可防止半导体元件背面的外观或激光标识性的劣化。当热膨胀性微球的热膨胀开始温度为100°C以上时，可以防止热膨胀性微球不期望的膨胀，由此促进半导体器件的生产效率，所述不期望的膨胀将由于在用于半导体器件生产的拾取步骤前施加至半导体背面用加热剥离片集成膜的热而另外发生。当热膨胀性微球显示5倍以上的体积膨胀时，可大幅降低加热剥离片的压敏粘合剂层和半导体背面用膜之间的紧密粘合从而进一步提高剥离性和获得拾取性的进一步改进。优选压敏粘合片进一步包括在基材层和热膨胀性层之间的橡胶状有机弹性层。具有橡胶状有机弹性层的压敏粘合片可进一步提高加热时热膨胀性层膨胀的可控制性。另外，其可以使热膨胀性层沿厚度方向而不是沿表面方向膨胀，从而形成在厚度均勻方面优CN 102373022 A说明书3/31 页 异的膨胀的层。即使在热膨胀性层膨胀后，橡胶状有机弹性层吸收凹凸因此可防止压敏粘合剂层从基材的剥离。本专利技术还提供半导体元件的收集方法，其包括粘贴半导体晶片至上述半导体背面用加热剥离片集成膜的半导体背面用膜上；切割半导体晶片以形成半导体元件；加热半导体背面用加热剥离片集成膜；和将半导体元件与半导体背面用膜一起从加热剥离片的压敏粘合剂层剥离。因而，使用半导体背面用加热剥离片集成膜作为用于在其切割时固定半导体晶片的装置能够精密和明确地切割半导体晶片，这是因为所述膜在切割时稳固地粘贴至半导体晶片，并且同时，由于在收集半导体元件时通过加热引起的剥离力的减少压敏粘合片能够容易地从半导体背面用膜分离。由此可以容易有效地收集通过将半导体晶片分离为半导体元件而获得的半导体元件。本专利技术进一步提供半导体器件的生产方法，其包括将通过上述半导体元件的收集方法收集的半导体元件倒装芯片连接至被粘物上。在该生产方法中，将半导体背面用加热剥离片集成膜粘贴至半导体晶片的背面， 因此不需要仅粘贴半导体背面用膜的步骤(半导体背面用膜的粘贴步骤)。另外，由于半导体背面用加热剥离片集成膜的加热步骤改进压敏粘合片和半导体背面用膜之间的剥离性， 所以可容易地拾取半导体元件。此外，在切割半导体晶片或拾取利用切割获得的半导体元件中，半导体晶片或半导体元件的背面由半导体背面用膜保护，因此防止损坏等。结果，可生产倒装芯片型半导体器件同时改进其产率。根据本专利技术的半导体背面用加热剥离片集成膜安装有加热剥离片，所述加热剥离片能够在半导体元件的拾取步骤之前仅通过加热半导体背面用剥离片集成膜来减少压敏粘合片和半导体背面用膜之间的剥离力，因此其可显示良好的拾取性并改进生产效率。此外，由于集成地形成作为切割带的压敏粘合片和倒装芯片型半导体背面用膜，所以能够提供半导体背面用集成膜用于切割半导体晶片成为单个半导体元件的切割步骤和本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种半导体背面用加热剥离片集成膜，其包括：包括基材层和压敏粘合剂层的压敏粘合片，和形成于所述压敏粘合片的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中所述压敏粘合片为加热时其从半导体背面用膜的剥离力降低的热剥离性压敏粘合片。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，志贺豪士，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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