隔离式打字训练键盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种隔离式打字训练键盘，包括键盘，在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断，X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断，C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断，V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断，B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断，N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。本新型的键盘，为了满足人们盲打练习的需求，在相邻的两个键盘之间增加了隔断，隔断的高度高于键盘的上表面，这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于打字的电脑键盘，更具体的说涉及一种隔离式打字训练键盘。技术背景电脑键盘是电脑的重要附件之一，很多人在岗接触电脑的时候，第一件事情就是利用键盘来学习如何打字，与人交流。而在练习打字的时候，因为是刚开始接触键盘，所以对于键盘没有手感，各个手指应该按的按键也不清楚，尤其是盲打的时候，更是费力
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种隔离式打字训练键盘。本技术的技术解决措施如下隔离式打字训练键盘，包括键盘，在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断，X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断，C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断，V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断，B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断，N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。所述的隔离式打字训练键盘，所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间，第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间，第三隔断向上延伸至D键与F键、E 键与R键之间，第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间，第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间，第六隔断向上延伸至H键与J键、Y键与U键之间。所述的隔离式打字训练键盘，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。所述的隔离式打字训练键盘，所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm，第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm，第三隔断高于C键和V键上表面5mm-10mm，第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm，第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm，第六隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm。所述的隔离式打字训练键盘，在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断、I键和0键之间有高于这两个键上表面的第八隔断。所述的隔离式打字训练键盘，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。本技术有益效果在于本新型的键盘，为了满足人们盲打练习的需求，在相邻的两个键盘之间增加了隔断，隔断的高度高于键盘的上表面，这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。附图说明以下结合附图对本技术做进一步的说明图1为本新型的结构示意图。具体实施方式以下所述仅为本技术的较佳实施例，并非对本技术的范围进行限定。实施例，见附图1，隔离式打字训练键盘，包括键盘1，在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断2，X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断3， C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断4，V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断5，B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断6，N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断7。所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间，第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间，第三隔断向上延伸至D键与F键、E键与R键之间，第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间，第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间，第六隔断向上延伸至H键与J键、Y键与U键之间。所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm，第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm，第三隔断高于C键和V键上表面5mm-10mm，第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm，第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm，第六隔断高于V键和B键上表面 5mm_IOmmο在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断8、I键和0键之间有高于这两个键上表面的第八隔断9。所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。权利要求1.隔离式打字训练键盘，包括键盘(1)，其特征在于在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断，X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断，C键和V 键之间有高于这两个键上表面的第三隔断，V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断，B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断，N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。2.根据权利要求1所述的隔离式打字训练键盘，其特征在于所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间，第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间，第三隔断向上延伸至D键与F键、E键与R键之间，第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间，第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间，第六隔断向上延伸至H键与J键、Y 键与U键之间。3.根据权利要求1或2所述的隔离式打字训练键盘，其特征在于所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。4.根据权利要求3所述的隔离式打字训练键盘，其特征在于所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm，第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm，第三隔断高于C键和V 键上表面5mm-10mm，第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm，第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm，第六隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm。5.根据权利要求1所述的隔离式打字训练键盘，其特征在于在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断、I键和0键之间有高于这两个键上表面的第八隔断。6.根据权利要求5所述的隔离式打字训练键盘，其特征在于所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。专利摘要本技术公开了一种隔离式打字训练键盘，包括键盘，在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断，X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断，C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断，V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断，B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断，N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。本新型的键盘，为了满足人们盲打练习的需求，在相邻的两个键盘之间增加了隔断，隔断的高度高于键盘的上表面，这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。文档编号G06F3/02GK202153492SQ20112021120公开日2012年2月29日 申请日期2011年6月20日 优先权日2011年6月20日专利技术者何越 申请人:何越本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．隔离式打字训练键盘，包括键盘（１），其特征在于：在键盘的Ｚ键和Ｘ键之间有高于这两个键上表面的第一隔断，Ｘ键和Ｃ键之间有高于这两个键上表面的第二隔断，Ｃ键和Ｖ键之间有高于这两个键上表面的第三隔断，Ｖ键和Ｂ键之间有高于这两个键上表面的第四隔断，Ｂ键和Ｎ键之间有高于这两个键上表面的第五隔断，Ｎ键和Ｍ键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何越，
申请(专利权)人：何越，
类型：实用新型
国别省市：33