本实用新型专利技术公开了一种隔离式打字训练键盘,包括键盘,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。本新型的键盘,为了满足人们盲打练习的需求,在相邻的两个键盘之间增加了隔断,隔断的高度高于键盘的上表面,这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于打字的电脑键盘,更具体的说涉及一种隔离式打字训练键盘。技术背景电脑键盘是电脑的重要附件之一,很多人在岗接触电脑的时候,第一件事情就是利用键盘来学习如何打字,与人交流。而在练习打字的时候,因为是刚开始接触键盘,所以对于键盘没有手感,各个手指应该按的按键也不清楚,尤其是盲打的时候,更是费力
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足之处,提供一种隔离式打字训练键盘。本技术的技术解决措施如下隔离式打字训练键盘,包括键盘,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。所述的隔离式打字训练键盘,所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间,第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间,第三隔断向上延伸至D键与F键、E 键与R键之间,第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间,第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间,第六隔断向上延伸至H键与J键、Y键与U键之间。所述的隔离式打字训练键盘,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。所述的隔离式打字训练键盘,所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm,第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm,第三隔断高于C键和V键上表面5mm-10mm,第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第六隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm。所述的隔离式打字训练键盘,在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断、I键和0键之间有高于这两个键上表面的第八隔断。所述的隔离式打字训练键盘,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。本技术有益效果在于本新型的键盘,为了满足人们盲打练习的需求,在相邻的两个键盘之间增加了隔断,隔断的高度高于键盘的上表面,这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。附图说明以下结合附图对本技术做进一步的说明图1为本新型的结构示意图。具体实施方式以下所述仅为本技术的较佳实施例,并非对本技术的范围进行限定。实施例,见附图1,隔离式打字训练键盘,包括键盘1,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断2,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断3, C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断4,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断5,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断6,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断7。所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间,第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间,第三隔断向上延伸至D键与F键、E键与R键之间,第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间,第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间,第六隔断向上延伸至H键与J键、Y键与U键之间。所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm,第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm,第三隔断高于C键和V键上表面5mm-10mm,第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第六隔断高于V键和B键上表面 5mm_IOmmο在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断8、I键和0键之间有高于这两个键上表面的第八隔断9。所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。权利要求1.隔离式打字训练键盘,包括键盘(1),其特征在于在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V 键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。2.根据权利要求1所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间,第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间,第三隔断向上延伸至D键与F键、E键与R键之间,第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间,第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间,第六隔断向上延伸至H键与J键、Y 键与U键之间。3.根据权利要求1或2所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。4.根据权利要求3所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm,第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm,第三隔断高于C键和V 键上表面5mm-10mm,第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第六隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm。5.根据权利要求1所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断、I键和0键之间有高于这两个键上表面的第八隔断。6.根据权利要求5所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。专利摘要本技术公开了一种隔离式打字训练键盘,包括键盘,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。本新型的键盘,为了满足人们盲打练习的需求,在相邻的两个键盘之间增加了隔断,隔断的高度高于键盘的上表面,这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。文档编号G06F3/02GK202153492SQ20112021120公开日2012年2月29日 申请日期2011年6月20日 优先权日2011年6月20日专利技术者何越 申请人:何越本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.隔离式打字训练键盘,包括键盘(1),其特征在于:在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何越,
申请(专利权)人:何越,
类型:实用新型
国别省市:33
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